飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件

21ic訊  對于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計人員來說，構(gòu)建一個具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項非常重要的指標(biāo)。

為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench® MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇，包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述器件屬于中等電壓范圍功率MOSFET產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷(QG)、低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開關(guān)產(chǎn)品，可在AC-DC電源中實現(xiàn)同步整流功能的快速開關(guān)。

這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，通過使用這項技術(shù)，其品質(zhì)因數(shù)(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達(dá)66%，為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線UPS系統(tǒng)之應(yīng)用，以及電信功率分配PDU/BFU單元之設(shè)計人員提供高效率的解決方案。

新產(chǎn)品采用低反向恢復(fù)電荷和軟反向恢復(fù)體二極管，可以減少系統(tǒng)中的電壓尖刺或振蕩，省去緩沖器電路，或不需替換額定電壓更高的MOSFET器件，有助于提升效率并降低設(shè)計的材料清單成本。

首批采用工業(yè)類型封裝的器件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N溝道PowerTrench MOSFET器件。如同PowerTrench MOSFET系列中的所有器件一樣，這些產(chǎn)品具有快速開關(guān)特性和低柵極電荷，并采用高性能技術(shù)實現(xiàn)了極低的RDS(ON)。此外，該系列器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵素和無鉛封裝，能夠滿足環(huán)保法規(guī)的要求。

新增PowerTrench MOSFET器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

飛兆半導(dǎo)體： 卓越技術(shù)助您實現(xiàn)成功！

價格(訂購1,000個):
FDP083N15A_F102的單價為3.43美元
FDB082N15A的單價為3.45美元
FDP036N10A的單價為3.50美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

交貨期 ：收到訂單后8至10周