飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT

21IC訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench® MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求。

FDMA905P和FDME905PT是具有低導(dǎo)通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應(yīng)用。

特性和優(yōu)勢(shì)

FDMA905P:

• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm
• 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)
• 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W)

FDME905PT:

• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm
• 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)
• 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W)

FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運(yùn)作，適用于手機(jī)和超便攜設(shè)備。

價(jià)格：訂購(gòu)1,000個(gè)
FDMA905P 每個(gè)0.29美元
FDME905PT 每個(gè)0.26美元

供貨: 按請(qǐng)求提供樣品

交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)