飛兆半導體推出30V PowerTrench® MOSFET

時間：2012-04-24 01:31:41

關鍵字： MOSFET 飛兆半導體 POWER TRENCH

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[導讀]21ic訊在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

21ic訊在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導損耗，能夠滿足這些需求。

FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench® 技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實現(xiàn)最低RDS(ON) 的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)、高效負載開關和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設計人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中，Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗，從而提高散熱效率多達25%。要了解更多的信息及索取樣品，請訪問公司網(wǎng)頁：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

特性和優(yōu)勢

• 高性能技術(shù)，具有業(yè)界最佳RDS(ON)，最大僅為1.3 mΩ
• 3.3mm x 3.3mm行業(yè)標準外形尺寸，PQFN，節(jié)省線路板空間
• FDMC8010具有更低的傳導損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)比競爭解決方案更高的功率密度和更高的效率。
• 無鉛RoHS封裝

新增PowerTrench®器件豐富了飛兆半導體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

價格：訂購1,000個
FDMC8010 每個0.87美元