安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

時(shí)間：2015-05-22 13:20:42

關(guān)鍵字： MOSFET 安森美電源新品

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[導(dǎo)讀]經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣

經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣的產(chǎn)品陣容。

這些器件能提供低得令人難以置信的導(dǎo)通電阻RDS(on) 值，從而將導(dǎo)通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅(qū)動損耗。

安森美半導(dǎo)體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導(dǎo)通電阻值(Vgs為10 V時(shí))分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續(xù)漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導(dǎo)通電阻分別為1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相關(guān)的連續(xù)漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結(jié)溫都高達(dá)175 ˚C，從而為工程師的設(shè)計(jì)提供更大的熱余裕。安森美半導(dǎo)體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK 和 TO220來擴(kuò)大此產(chǎn)品線。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“OEM的工程團(tuán)隊(duì)不斷致力于創(chuàng)建更高能效的電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)占用更少用板空間。我們新加的器件擴(kuò)大了我們廣泛的功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達(dá)到更高能效的設(shè)計(jì)目標(biāo)。”

封裝和定價(jià)

NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝，每10,000片批量的單價(jià)從0.42美元起。