意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

時(shí)間：2015-09-16 15:15:39

關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體同步整流電路功率MOSFET ST

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產(chǎn)品線(xiàn)，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產(chǎn)品線(xiàn)，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。

功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制" />

STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)性能，還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) x Qg)。此外，本征體二極管的恢復(fù)電荷(recovery charge)很低，有助于提高開(kāi)關(guān)性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健，反向傳輸電容對(duì)輸入電容(Crss/Ciss)的比值低，有助于強(qiáng)化抗電磁干擾(EMI immunity)。

意法半導(dǎo)體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流(synchronous rectification)電路定制，能夠以更少的并聯(lián)器件達(dá)到最大目標(biāo)電流，以此提高功率密度、降低元器件使用數(shù)量。該系列共有12款產(chǎn)品，覆蓋了所有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電源，最大輸出電流從90A到260A(在Tc=25°C下，硅限制連續(xù)漏極電流)。新產(chǎn)品提供多個(gè)封裝選擇，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、雙引腳或六引腳H2PAK。

所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)(包括采用PowerFLAT 5x6封裝的90A STL90N6F7)