ST 推出新一代智能功率模塊，可進(jìn)一步減少低功率電機(jī)的耗散功率

21ic訊 近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)進(jìn)一步擴(kuò)大智能功率模塊產(chǎn)品陣容，推出SLLIMM^TM–nano新一代產(chǎn)品，新增更高功率和封裝選擇，特別適用于對(duì)提高能效和降低成本有需求的應(yīng)用。新一代SLLIMM-nano產(chǎn)品可滿足冰箱、洗衣機(jī)等家電的壓縮機(jī)、風(fēng)扇和電泵的電源要求，還適用于驅(qū)動(dòng)200W以下電器的硬開關(guān)電路且工作頻率低于20 kHz的低功耗電機(jī)。

SLLIMM-nano模塊集成三個(gè)半橋高壓柵驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT晶體管和六個(gè)快速超軟恢復(fù)續(xù)流二極管(ultra-soft freewheeling recovery diode)，以及在低功耗微控制器與低功耗電網(wǎng)供電三相電機(jī)之間實(shí)現(xiàn)完整接口的低壓輸入邏輯器件。意法半導(dǎo)體針對(duì)低功耗BLDC無刷DC直流電機(jī)的特點(diǎn)，優(yōu)化了模塊內(nèi)部IGBT管(一個(gè)3A的平面技術(shù)晶體管和一個(gè)5A的溝柵式場(chǎng)截止 (Trench-gate Field Stop，TFS)晶體管)和續(xù)流二極管的設(shè)計(jì)，取得了最佳的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗比，提高了電機(jī)的能效，降低了電磁干擾。

意法半導(dǎo)體SLLIMM-nano二代產(chǎn)品的主要特性：

· 在25°C時(shí)，3A-5A額定電流，600V擊穿電壓;

· 受益于TFS技術(shù)，V_CE(sat) 電壓更低，即使在5A時(shí)，V_CE(sat)僅為1.65V;

· 低EMI干擾;

· 黏著式插槽，散熱器安裝更容易，成本更低;

· 內(nèi)部集成自舉二極管，節(jié)省組件成本，簡(jiǎn)化印刷電路板布局;

· 150°C最高工作結(jié)溫;

· 集成運(yùn)放和比較器，用于保護(hù)電路;

· 獨(dú)立式開射極輸出，為單路和三路分流器解決方案簡(jiǎn)化電路板走線;

· 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC，Negative Temperature Coefficient)溫度監(jiān)控;

· 智能關(guān)機(jī)功能;

· 可選插入式Z型引腳封裝，有/無stand-off引腳，以最大限度提高印刷電路板布局的靈活性;

· 1500 V_rms 最低隔離電壓

意法半導(dǎo)體的新一代SLLIMM-nano 首批產(chǎn)品已經(jīng)上市，采用N2DIP-26L 封裝，有多種針腳可選。