開(kāi)關(guān)電源控制芯片M51995及其應(yīng)用
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1引言
M51995A是一專門(mén)為AC/DC變換設(shè)計(jì)的離線式開(kāi)關(guān)電源初級(jí)PWM控制芯片。該芯片內(nèi)置大容量圖騰柱電路,可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。M51995A不僅具有高頻振蕩和快速輸出能力,而且具有快速響應(yīng)的電流限制功能。它的另一大特點(diǎn)是過(guò)流時(shí)采用斷續(xù)方式工作。芯片的主要特征如下:
?500kHz工作頻率;
?輸出電流達(dá)±2A,輸出上升時(shí)間60μs,下降時(shí)間40μs;
?起動(dòng)電流小,典型值為90μA;
?起動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓間壓差大:起動(dòng)電壓為16V,關(guān)閉電壓為10V;
?改進(jìn)圖騰柱輸出方法,穿透電流?。?/span>
?過(guò)流保護(hù)采用斷續(xù)方式工作;
?用逐脈沖方法快速限制電流;
?欠壓、過(guò)壓鎖存電路。
2管腳排列及說(shuō)明
管腳排列見(jiàn)圖1。
各引腳定義如下:
COLLECTOR:圖騰柱輸出集電極
Vout:圖騰柱輸出
EMITTER:圖騰柱輸出發(fā)射極
VF:VF控制端
ON/OFF:工作使能端
OVP:過(guò)壓保護(hù)端
DET:檢測(cè)端
F/B:電壓反饋端
T-ON:計(jì)時(shí)電阻ON端
CF:計(jì)時(shí)電容端
T-OFF:計(jì)時(shí)電阻OFF端
CT:斷續(xù)方式工作檢測(cè)電容端
GND:芯片地
CLM-:負(fù)壓過(guò)流檢測(cè)端
CLM+:正壓過(guò)流檢測(cè)端
圖1M51995AP管腳排列
圖2M51995A的原理框圖
Vcc:芯片供電端
3工作原理
M51995A的原理框圖如圖2所示。它主要由振蕩器、反饋電壓檢測(cè)變換、PWM比較、PWM鎖存、過(guò)壓鎖存、欠壓鎖存、斷續(xù)工作電路、斷續(xù)方式和振蕩控制電路、驅(qū)動(dòng)輸出及內(nèi)部基準(zhǔn)電壓等部分組成。[!--empirenews.page--]
?。?)振蕩器
振蕩電路的等效電路如圖3所示。CF電壓由于恒流源的充放電而呈三角波。在正常工作時(shí)
圖3振蕩器等效電路
充電電流為I1=UT-on/Ron
放電電流為I2=UT-off/Roff+UT-on/16Ron
振蕩周期為
T=(UOSCH-UOSCL)CF/(I1+I(xiàn)2)
其中(UOSCH-UOSCL)為三角波的峰峰值,UOSCH≈4.4V,UOSCL≈2.0V,UT-on≈4.5V,UT-Off≈3.5V。芯片輸出最大脈寬為三角波的上升時(shí)間,而三角波的下降時(shí)間則為死區(qū)時(shí)間。當(dāng)發(fā)生過(guò)流時(shí),斷續(xù)方式和振蕩控制電路開(kāi)始工作,此時(shí)T-off端電壓依賴于VF端電壓,振蕩器的充電電流同正常工作時(shí)一樣,
充電電流為I1=UT-on/Ron
放電電流為
I2'=(UVF-UVFO)/Roff+UT-on/16Ron
振蕩周期為
T=(UOSCH-UOSCL)CF/(I1+I(xiàn)2)
其中UVF為VF端電壓,UVFO≈0.4V,
圖4正激式變換器中VF端的應(yīng)用
如果UVF-UVFO<0, 則 UVF- UVFO="0;"
如果UVF-UVFO>UT-Off≈3.5V,則UVF-UVFO=UT-Off。所以當(dāng)UVF>3.5V時(shí)振蕩器的工作和沒(méi)有發(fā)生過(guò)流時(shí)一樣。通常使VF端電壓正比于變換器的輸出電壓,這樣當(dāng)發(fā)生過(guò)流而使輸出電壓變低時(shí)死區(qū)時(shí)間也相應(yīng)變長(zhǎng),從而進(jìn)一步降低占空比。圖4顯示了正激式變換器中VF端的應(yīng)用,這里RC構(gòu)成低通濾波器;而在反激式變換器中可以對(duì)偏置繞組電壓進(jìn)行分壓后接到VF端,因?yàn)槠美@組電壓正比于變換器的輸出電壓。
?。?)PWM比較鎖存部分
圖5為PWM比較和鎖存部分的電路圖,由圖可知A點(diǎn)電位為
UA=5.8-15.2k×(500·IF/B/3k)
A點(diǎn)電位與振蕩三角波比較后鎖存,并與從振蕩器輸出的控制信號(hào)邏輯組合后輸出。各點(diǎn)波形如圖6所示。故B、C、D、E各點(diǎn)的邏輯關(guān)系為
B=D·E,C=B·E=D·E (3)輸出電路
芯片的輸出為圖騰柱電路,以驅(qū)動(dòng)MOS管。傳統(tǒng)的圖騰柱電路具有高穿透電流的缺點(diǎn),可達(dá)1A,這在高頻應(yīng)用時(shí)將引起較大的ICC電流和不可避免的IC受熱及噪聲電壓。M51995A使用了改進(jìn)的圖騰柱電路,在不惡化性能的條件下穿透電流約為100mA。
?。?)電流限制電路
在圖6中,如果A點(diǎn)波形和三角波的上升沿相交之前電流限制端CLM+或CLM-的電壓超過(guò)閾值(+200mV/-200mV),過(guò)流信號(hào)將使輸出截止并且這個(gè)截止?fàn)顟B(tài)持續(xù)到下一個(gè)周期。實(shí)際上該信號(hào)控制
圖5PWM比較和鎖存
圖6PWM比較和鎖存部分各點(diǎn)波形 [!--empirenews.page--]
的狀態(tài)在接下來(lái)的死區(qū)時(shí)間里被復(fù)位,所以電流限制電路在每個(gè)周期都可以起作用,被稱為“逐脈沖電流限制”。為了消除寄生電容引起的噪聲電壓的影響,需要使用RC組成的低通濾波器,如圖7所示。
(a)CLM+的情況(b)CLM-的情況
圖7CLM+/CLM-的連接
圖8斷續(xù)方式和振蕩控制電路時(shí)序
圖9斷續(xù)方式工作電路圖
當(dāng)內(nèi)部限流電路工作時(shí),斷續(xù)方式和振蕩控制電路開(kāi)始工作,即輸出高電平。圖8為時(shí)序圖,在斷續(xù)方式和振蕩控制電路輸出為高電平并且VF端電壓下降到低于約3V的臨界值時(shí),斷續(xù)方式電路開(kāi)始工作。圖9為斷續(xù)方式電路的原理圖。當(dāng)VF端電壓高于UTHTIME時(shí),晶體管V導(dǎo)通,CT端電位接近于GND;當(dāng)VF端電壓低于UTHTIME時(shí),晶體管V截止,CT將被充放電。SWA閉合而SWB斷開(kāi)時(shí),CT被120μA的電流充電,SWB閉合而SBA斷開(kāi)時(shí),CT被15μA的電流放電,所以CT端呈三角波。只有在CT端電壓上升期才會(huì)產(chǎn)生輸出脈沖。顯然CT端的三角波頻率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于開(kāi)關(guān)振蕩頻率。這樣功率電路中包括次級(jí)整流二極管在內(nèi)的元器件可被有效保護(hù),以防過(guò)流引起的過(guò)熱。當(dāng)斷續(xù)方式不用時(shí),建議CT端接地。
?。?)輔助功能部分
DET端可被用來(lái)控制輸出電壓。DET端和F/B端之間的電路與并聯(lián)型可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片431非常相似,當(dāng)DET端電壓高于2.5V時(shí)運(yùn)放具有吸收電流能力,而當(dāng)DET端電壓低于2.5V時(shí)輸出為高阻。DET端和F/B端相互具有反相特性,所以建議在它們之間串接電阻和電容以利相位補(bǔ)償。
OVP和ON/OFF端子可方便地用來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)和開(kāi)關(guān)芯片工作。兩者都具有遲滯特性。在過(guò)壓保護(hù)及OFF狀態(tài)下,芯片的工作電流均由起動(dòng)電路提供。ON/OFF端為低電平時(shí)芯片才工作,閾值電壓為2.4V。當(dāng)OVP端高于750mV的閾值電壓時(shí)芯片進(jìn)入過(guò)壓保護(hù)狀態(tài)(OVP)。為了復(fù)位OVP狀態(tài),須使OVP端電壓低于閾值電壓或使VCC低于OVP復(fù)位供電電壓(典型值為9V)。
圖10M51995AP在正激式變換器的中的應(yīng)用
4典型應(yīng)用
圖10和圖11分別為M51995AP在正激式和反激
圖11M51995AP在反激式變換器的中的應(yīng)用
式變換器中的應(yīng)用。在正激式變換器中,交流輸入經(jīng)全波整流和平滑濾波后進(jìn)行開(kāi)關(guān)變換。次級(jí)為多組輸出,而穩(wěn)壓控制則是對(duì)主輸出來(lái)進(jìn)行的。采樣和誤差放大采用431用基準(zhǔn)芯片和光耦以提高輸出精度和隔離初級(jí)和次級(jí)電壓。過(guò)流檢測(cè)使用電流檢測(cè)變壓器。電源可由外部信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)。Ron推薦為10k到75k,Roff推薦為2k到30k;電源電壓推薦為12V到17V;流過(guò)R1起動(dòng)電阻的起動(dòng)電流推薦300μA以上以穩(wěn)定起動(dòng)。