貼片鉭電容的頻率特性分析

我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX 鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會(huì)減小，直到共振達(dá)到(通常視0.5 - 5MHz 的之間該評(píng)級(jí))。

除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型的220UF 10V 規(guī)格為例，來(lái)說(shuō)明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線前，我們必需對(duì)以下兩個(gè)基本概念有所認(rèn)識(shí)：

額定容量(CR)

這是額定電容。對(duì)于鉭OxiCap?電容器的電容測(cè)量是在25° C 時(shí)等效串聯(lián)電路使用測(cè)量電橋提供一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)，諧波與2.2Vd.c.

電容公差

這是實(shí)際值的允許偏差電容額定值。

AVX 鉭電容的溫度特征。

鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會(huì)隨著溫度的上升而上升。

損耗角正切(TAN)。

這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測(cè)量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語(yǔ)是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS(90 - )是真正的功率因數(shù)。 “使用測(cè)量進(jìn)行測(cè)量譚橋梁，提供一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)。

耗散與溫度的關(guān)系

耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。

耗散因數(shù)測(cè)量的切線損耗角(TAN)，以百分比表示。測(cè)量DF 是開展測(cè)量橋梁供應(yīng)一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。注意：對(duì)于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請(qǐng)注意，這些限額會(huì)見了由組件后基板上焊接。

耗散因數(shù)的頻率依賴性

隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗(Z)。

這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.

AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR.

阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，

粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測(cè)量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性。

ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz 的(和超越電容的諧振點(diǎn))阻抗再次增加由于電感，電容的。

典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。

AVX 代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167 千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超過(guò)規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。

然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器：

例如，兩個(gè)22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V 的一部分。

是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國(guó)家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過(guò)程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR,浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

鉭電容的反向電壓

AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：

在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓

在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓

在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓

反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的設(shè)計(jì)蓋小級(jí)別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

鉭電容的疊加交流電壓(Vr.m.s.)------又稱紋波電壓

這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類別電壓。

鉭電容的成型電壓。

這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。 ”這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。