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[導(dǎo)讀]摘要:采用MC34063設(shè)計帶電流擴充的負(fù)電源電路,功率MOS管NTB2506作外接開關(guān)管,通過調(diào)節(jié)功率MOS管的柵極驅(qū)動電阻和柵-源之間的電阻,使得柵極有最優(yōu)驅(qū)動電壓波形和電流大小

摘要:采用MC34063設(shè)計帶電流擴充的負(fù)電源電路,功率MOS管NTB2506作外接開關(guān)管,通過調(diào)節(jié)功率MOS管的柵極驅(qū)動電阻和柵-源之間的電阻,使得柵極有最優(yōu)驅(qū)動電壓波形和電流大小,以增加電源的輸出功率和效率。實驗表明,設(shè)計的電源輸出電流可達(dá)1A,且體積小、效率高。

在干涉型光纖傳感器研制中,相位載波(PGC)調(diào)制解調(diào)是較為常用的信號檢測方案,由濾波電路、模擬乘法器、D/A轉(zhuǎn)換電路、微分電路、積分電路等部分組成,需要采用雙電源供電且對電源功率要求較大。如用線性電源方案為系統(tǒng)供電,要經(jīng)過降壓、整流、濾波產(chǎn)生正負(fù)2種直流電壓,再用穩(wěn)壓芯片進(jìn)行穩(wěn)壓,不但效率低,而且濾波電容、散熱片會增加電源部分體積,不適合電路小型化的要求。而用開關(guān)電源方案供電時,只需要1套經(jīng)變壓器降壓整流后的直流電壓,就可以設(shè)計出各種輸出電壓的穩(wěn)壓電源,且電源功率密度高、發(fā)熱量小。

在開關(guān)電源管理芯片中,輸出為正電源的器件種類較多,電路易于設(shè)計,而輸出為負(fù)電源的且輸出電流達(dá)到1A的電源電路則較難設(shè)計。本文采用MC34063設(shè)計負(fù)電源電路,NTB2506做外接功率管,并優(yōu)化柵極驅(qū)動波形,以此提高電源輸出電流的能力。

1MC34063內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路工作原理

MC34063內(nèi)部原理框圖如圖1所示,是一種單片雙極性集成電路,具有DC/DC變換器所需要的主要功能,由基準(zhǔn)電壓發(fā)生器、比較器、占空比可控的振蕩器,RS觸發(fā)器和大電流輸出開關(guān)管等部分組成。

 

 

圖1MC34063原理框圖

MC34063電路控制方式是它激式,內(nèi)部有1個振蕩器,通過外接電容,產(chǎn)生一定頻率的開關(guān)脈沖信號,以控制開關(guān)管的斷通,使輸出端有穩(wěn)定直流電壓輸出,開關(guān)頻率由外接電容決定。MC34063可以根據(jù)實際需要,完成各種電壓變換功能。

穩(wěn)壓電路工作原理如下:當(dāng)輸出電壓低于設(shè)計規(guī)定值時,反饋端輸入電壓小于內(nèi)部基準(zhǔn)電源1.25V,誤差比較器輸出高電平,打開“與門”,振蕩器的振蕩脈沖加在RS觸發(fā)器的R端,使輸出端Q為高電平,開關(guān)管導(dǎo)通,輸入電壓向濾波電容充電,使輸出電壓升高,直到反饋電壓等于內(nèi)部基準(zhǔn)電源1.25V時,電路達(dá)到平衡狀態(tài),輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)計時規(guī)定的值;反之,當(dāng)輸出電壓高于設(shè)計規(guī)定值時,開關(guān)管截止,電容放電,輸出電壓減小,最終穩(wěn)定在設(shè)計時規(guī)定的值,從而達(dá)到了穩(wěn)壓的目的。

2MC34063設(shè)計負(fù)電源變換電路

MC34063開關(guān)電源控制器是一種單端輸出式直流變換器,它不僅可以設(shè)計升壓和降壓電路,而且還可以完成電壓反相功能[3]。在設(shè)計電壓反相的負(fù)電源電路時,由于受芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)的影響,流過開關(guān)管的電流是梯形波,效率偏低,使得輸出電流超過200mA時,電源系統(tǒng)就不穩(wěn)定,輸出紋波電壓增大,不能滿足在負(fù)載要求較大的情況下運行,嚴(yán)重影響了其應(yīng)用范圍。

采用MC34063設(shè)計的帶電流擴充的負(fù)電源電路如圖2所示。外接開關(guān)管的選用對電路性能影響很大,直接決定了電路輸出電流的大小和效率的高低。用三極管做外接開關(guān)管,可以和內(nèi)部功率管接成達(dá)林頓形式和非達(dá)林頓形式兩種電路。采用非達(dá)林頓電路時,在開關(guān)過程中,三極管的基極存儲電荷,會導(dǎo)致管子達(dá)到飽和狀態(tài),當(dāng)達(dá)到深度飽和時,就會影響開關(guān)頻率,限制了其應(yīng)用范圍。采用達(dá)林頓電路時,雖然不會出現(xiàn)電荷飽和現(xiàn)象,但是開關(guān)管導(dǎo)通時壓降增加,功耗明顯變大,三極管發(fā)熱嚴(yán)重,輸出電流增加有限。采用功率MOSFET做外接開關(guān)管時,具有很多優(yōu)點。它是多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制性器件,不存在電荷存儲問題,且開關(guān)速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小和無二次擊穿問題等特點[5]。NTB2506是工作在低壓環(huán)境下,具有高速開關(guān)特性的P溝道功率MOSFET,開關(guān)特性好、損耗小,它的漏極和源極耐壓為60V,柵極和源極電壓可以達(dá)到20V,連續(xù)工作電流可達(dá)27.5A。故本文選用NTB2506做外接開關(guān)管與MC34063內(nèi)部的功率管并接成非達(dá)林頓形式的電路結(jié)構(gòu)。

 

 

功率MOSFET的柵極驅(qū)動波形對電源的效率有著重要影響,若R5和R6值選擇不當(dāng),會使電源效率偏低,功率管發(fā)熱嚴(yán)重,輸出電流減小。功率MOSFET對柵極驅(qū)動電路的要求主要有:最優(yōu)的驅(qū)動電壓和電流波形,最優(yōu)的驅(qū)動電壓和電流大小[6]。電阻R5加在柵極和源極之間,主要作用是通過電阻對功率MOSFET柵-源之間的等效電容進(jìn)行充電,改善驅(qū)動電壓的波形,保證開通信號具有良好的前沿陡度。如果R5的值過大,漏極與源極之間電壓的突變,會通過極間電容耦合到柵極,產(chǎn)生相當(dāng)高的柵-源尖峰電壓,其電壓輕則會使功率MOSFET嚴(yán)重發(fā)熱,重則會使柵-源氧化層擊穿,造成管子永久性損壞。電阻R6為柵極驅(qū)動電阻,用以調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的大小和驅(qū)動電壓的波形。功率MOSFET開通時,以低電阻對柵極電容充電;關(guān)斷時,為柵極電荷提供放電回路,以提高功率MOSFET開關(guān)速度。電阻的具體數(shù)值需要在系統(tǒng)運行狀態(tài)下通過試驗進(jìn)行調(diào)試,使得柵極驅(qū)動效果最好,一般情況下,電阻值不能太大。另外,電路帶有感性負(fù)載,當(dāng)器件在開關(guān)過程中,漏極電流的突變會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,可能會導(dǎo)致器件的擊穿,開關(guān)頻率越高,產(chǎn)生的過壓越大。本文采用2種方法來消除漏極尖峰電壓:一是利用二極管D在NTB2506開關(guān)過程中給電流提供放電回路;二是利用電阻R4和電容C4構(gòu)成RC吸收電路,吸收NTB2506漏-源兩極間的瞬時電壓尖峰,這樣可以基本消除尖峰電壓,很好地保護(hù)了功率MOSFET。

MC34063內(nèi)部的誤差放大器采用的是開環(huán)控制,占空比不能鎖定,這給電感電容等參數(shù)的選擇帶來了困難,按照芯片說明書計算出的電感電容等值往往偏小,實際使用時一般是計算值的2~3倍。電容C3加在取樣電阻兩端,以穩(wěn)定反饋電壓的輸入,改善瞬態(tài)響應(yīng)波形。續(xù)流二極管選擇正向?qū)妷盒?、恢?fù)時間快的肖特基二極管,并且要注意耐壓值和承受電流的能力。電感要選擇線圈粗、承受電流大、自身電阻小的,使其發(fā)熱量小,穩(wěn)定性好。濾波電容除了需要電解電容外,一般還要選擇等效串聯(lián)電阻小的高頻陶瓷電容,以減小電源的紋波電壓。

3實驗結(jié)果

在電源電路中,開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷的頻率高,環(huán)路電流大,在設(shè)計PCB元件布局時應(yīng)使其面積最小,布線時應(yīng)使相關(guān)的線路要寬。為了減小電源的電磁干擾和改善散熱系統(tǒng),采用鍍鋅鋼板將整個電源部分封閉起來,將功率管NTB2506的漏極涂上導(dǎo)熱膠,使其和鋼板緊密接觸來增加散熱面積,降低管子溫度。

電路測試中采用的輸入直流電壓為18V,輸出電壓為-12V,元件參數(shù)見圖2,測試不外接功率管和外接功率管分別為雙極型晶體管TIP127和功率MOSFETNTB2506以及改變NTB2506柵極和源極之間電阻的條件下輸出電壓。輸出紋波電壓和電源效率的數(shù)據(jù)如表1所示,表中未填的部分表示輸出電壓已明顯偏離-12V。

表1不同條件下電源輸出情況表

 

 

由表1可以看出:

(1)不外接功率管時,電源輸出電流較小,外接功率管可以明顯增加電源帶負(fù)載的能力。

(2)外接雙極型晶體管TIP127時比功率MOSFETNTB2506效率低,帶負(fù)載能力差。

(3)NTB2506柵極和源極之間的電阻對電源的效率和帶負(fù)載能力有很大影響,因此,選擇合適的柵-源之間的電阻可以顯著改善電源的性能。

 

 

圖3不同柵極驅(qū)動電阻的驅(qū)動波形

功率MOSFET柵極驅(qū)動電阻的改變,對柵極驅(qū)動波形的影響如圖3所示。其中,圖3(a)驅(qū)動電阻為100Ω,圖3(b)為500Ω,圖3(c)為5kΩ,且圖3(c)輸出電流已經(jīng)達(dá)不到1A。從3幅圖的比較可以得出,柵極驅(qū)動波形隨著驅(qū)動電阻的改變而改變,因此,選擇合適的柵極驅(qū)動電阻可以明顯改善驅(qū)動波形,減小功率MOSFET的損耗,提高效率。

本文采用MC34063和NTB2506設(shè)計的負(fù)電源電路,具有輸出電流大、成本低、效率較高的特點。實驗室長時間運行表明,在大電流輸出時,供電電壓穩(wěn)定,芯片溫度不高,紋波電壓在可以接受的范圍內(nèi),特別適用于對負(fù)電源功率要求較大、體積要求較小的系統(tǒng)中。

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