TL494是一種固定頻率脈寬調(diào)制電路,它包含了開關電源控制所需的全部功能,廣泛應用于單端正激雙管式、半橋式、全橋式開關 電源。TL494有SO-16和PDIP-16兩種封裝形式,以適應不同場合的要求。TL494主要特征 集成了全部的脈寬調(diào)制電路。 片內(nèi)置線性鋸齒波振蕩器,外置振蕩元件僅兩個(一個電阻和一個電容)。 內(nèi)置誤差放大器。 內(nèi)止5V參考基準電壓源。 可調(diào)整死區(qū)時間。 內(nèi)置功率晶體管可提供500mA的驅(qū)動能力
隨著電子技術的高速發(fā)展,電子系統(tǒng)的應用領域越來越廣泛,電子設備的種類也越來越多,電子設備與人們的工作、生活的關系日益密切。近年來 ,隨著功率電子器件(如IGBT、MOSFET)、PWM技術及開關電源理論的發(fā)展 ,新一代的電源開始逐步取代傳統(tǒng)的電源電路。該電路具有體積小,控制方便靈活,輸出特性好、紋波小、負載調(diào)整率高等特點。
開關電源中的功率調(diào)整管工作在開關狀態(tài),具有功耗小、效率高、穩(wěn)壓范圍寬、溫升低、體積小等突出優(yōu)點,在通信設備、數(shù)控裝置、儀器儀表、視頻音響、家用電器等電子電路中得到廣泛應用。開關電源的高頻變換電路形式很多, 常用的變換電路有推挽、全橋、半橋、單端正激和單端反激等形式。本論文采用雙端驅(qū)動集成電路——TL494輸?shù)腜WM脈沖控制器設計小汽車中的音響供電電源,利用MOSFET管作為開關管,可以提高電源變壓器的工作效率,有利于抑制脈沖干擾,同時還可以減小電源變壓器的體積。
TL494廣泛應用于半橋式開關電源,它具有工作頻率和工作電壓高、控制方式多、價格低廉等優(yōu)點。輸出部分在上下兩端各自采用N溝道MOSFET和P溝道MOSFET構成獨特的驅(qū)動方式來驅(qū)動,負載的另一側連接到半橋方式的電容器,因此具有整體電路簡單、工作狀態(tài)穩(wěn)定、價格低廉等特點,應用于工作頻率低于10kHz、功率在15W~50W的工業(yè)用報警器時可提高產(chǎn)品的競爭力。
TL494的主要特性
TL494工作在7V~40V的寬電壓范圍內(nèi),最大工作頻率為200kHz,內(nèi)部具有鋸齒波發(fā)生器、PWM發(fā)生器和滯后時間調(diào)整功能。
基于TL494的開關功率放大器
圖1是基于TL494的開關功率放大器的框圖。電路設計的關鍵是占空比調(diào)節(jié)電路、輸入信號壓縮電路和MOSFET驅(qū)動電路。
占空比調(diào)節(jié)電路
占空比是PWM信號調(diào)制時提高電壓利用率的關鍵。因為TL494是開關電源用集成芯片,所以在其內(nèi)部把最小滯后時間設定為0.1V電壓。最大占空比在發(fā)射級輸出時約為96%。圖2所示為輸入部分和PWM信號調(diào)制的部分電路。
在圖2中,當C4=1000pF,R4=24k時,工作頻率約為78kHz。如果沒有占空比調(diào)節(jié)電路D8、D17、R23,則因為內(nèi)部滯后時間比較器的比較點為0.1V,所以最小導通時間約為1.52μs,最小占空比為D=1.52/13≈12%。因此,PWM時電壓利用率將下降。如果使用D8、D17、R23,則會在鋸齒波發(fā)生用的電容器C4的E點產(chǎn)生0.82V的偏置電壓,把鋸齒波的起點從原來的0V提高到0.82V。因此導通時間減小到0.64μs,最小占空比減小到D=0.64/13≈4.9%,可明顯地提高電壓利用率。圖3是無占空比調(diào)節(jié)電路時輸出波形,圖4是有占空比調(diào)節(jié)電路時輸出波形。
輸入信號壓縮電路
因為報警器的輸入信號變化范圍較大,所以需要將幅度較大的信號按一定比例壓縮。在圖2中,R6、R16、D10、D11構成輸入信號壓縮電路,其關鍵是利用了二極管的輸入特性。圖5示出其輸入特性,其中D10和D11并聯(lián),可在正負兩個方向壓縮信號。
壓縮比取決于R6、R16的值,其值越大,壓縮比越大。調(diào)整R6、R16的值,設定壓縮信號的變化范圍為-0.82V~0.82V,則變化量是1.64V。見圖4,鋸齒波電壓變化范圍是0.82V~3.25V,所以TL494內(nèi)部誤差放大器的輸出信號變化范圍是2.43V。內(nèi)部誤差放大器的增益取決于R7和R20,調(diào)整其值,當壓縮信號的變化量在1.64V時,將內(nèi)部誤差放大器的輸出信號變化范圍設定為2.43V即可。警報器大都使用高音揚聲器,因此可大幅度降低振幅較大的低音。
MOSFET驅(qū)動電路
P溝道MOSFET采用IRF9540,具有最大工作電壓100V、最大工作電流18A、VGS電壓5V~15V時飽和等特性。N溝道MOSFET采用IRF540,具有最大工作電壓100V、最大工作電流27A、VGS電壓5V~15V時飽和等特性。驅(qū)動三極管Q3采用NPN型C8050,Q7采用PNP型C8550。這兩種驅(qū)動三極管都具有最大工作電壓30V、最大工作電流1A、VBE為12V的特性。圖6為MOSFET驅(qū)動電路。
圖7所示為MOSFET驅(qū)動原理波形。當A點的脈沖電壓為低時,電流通過穩(wěn)壓二極管D7和三極管Q3的反偏形成VGS電壓,QH導通。當A點的脈沖電壓為高時,電流通過穩(wěn)壓二極管D9和三極管Q7的反偏形成VGS電壓,QL導通。圖7示出了詳細的驅(qū)動波形,其中脈沖電壓為低時,其電壓低于VL才能使QH導通,脈沖電壓為高時,其電壓高于VH才能使QL導通。從VL變化到VH需要一定時間,這時會出現(xiàn)QH和QL同時截止的狀態(tài),因此,脈沖變化過程很安全。
QH和QL的VGS由下式?jīng)Q定:
15》VGS=VC-VD-VBE》5 (1)
式中:VGS為MOSFET的驅(qū)動電壓;VC為電源電壓;VD為穩(wěn)壓管D7和D9的穩(wěn)壓電壓(一般使用相同的穩(wěn)壓管);VBE為C8050和C8550的反擊穿電壓。
圖8是實測的驅(qū)動波形。脈沖電壓從低到高變化過程中,QH和QL同時截止的時間約為100~300ns。
輸出部分工作原理
如圖6所示,輸出部分由QH、QL和L3、C8、C5、C7構成。輸出電壓經(jīng)過L3、C8濾除高頻波后傳送到負載。一般在輸出端采用一個電解電容器,但本電路采用C5和C7構成半橋方式,然后將其中點連接到負載。這種連接方式的優(yōu)點是兩個電容器既為輸出信號的傳送通路(此時電容值是兩個電容的并聯(lián)值),同時也對電源具有濾波作用(此時電容值是兩個電容的串聯(lián)值),而且把電容器的內(nèi)壓降低一半。
實驗結果
表1所示為輸入電壓為35V、工作頻率為78kHz時使用不同穩(wěn)壓值的穩(wěn)壓二極管時的靜態(tài)電流。
從表1可以看出,穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值為0V、5V時VL和VH導通點的距離太近,同時導通時間太長,有較大的靜態(tài)電流,而20V時雖然電流較小,但MOSFET嚴重發(fā)熱。從表1可知,工作電壓為35V時穩(wěn)壓二極管的選取范圍是7.5V~15V。
實驗結果表明,把TL494的PWM信號用于N溝道MOSFET和P溝道MOSFET,構成獨特驅(qū)動方式的開關功率放大器克服了兩個功率MOSFET同時導通的缺點,具有理想的驅(qū)動波形,效率大于95%,帶寬良好且價格低廉,完全滿足工業(yè)用報警器的要求。
在18W輸出功率下,與TDA7481構成的功率放大器相比,無多大差別,而且基本上沒有發(fā)熱現(xiàn)象,可以去除散熱片。
若要獲得更大輸出功率,只需把工作電壓提高到35V以上,并配上適當?shù)姆€(wěn)壓二極管即可。