一文讀懂SDRAM的電源系統(tǒng)及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

任何一個(gè)領(lǐng)域的深入發(fā)展，想有所收獲，都需要熟悉其中更多的套路。電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)調(diào)試也不例外，大體包括幾個(gè)大的部分：電源供電以及時(shí)序的控制;時(shí)鐘是否工作;復(fù)位信號(hào)是否正確給出;再有就是一些外圍的接口以及GPIO的控制等等。只有熟悉了這一個(gè)個(gè)的模塊，才能讓系統(tǒng)正常的轉(zhuǎn)起來。

研究SDRAM也是一樣，首先看看電源系統(tǒng)部分。

DDR的電源

主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。

參考電源Vref，參考電源Vref要求跟隨VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用電源芯片提供，也可以采用電阻分壓的方式得到。

用于匹配的電壓VTT(Tracking Termination Voltage)

VTT為匹配電阻上拉到的電源，VTT=VDDQ/2。DDR的設(shè)計(jì)中，根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的不同，有的設(shè)計(jì)使用不到VTT，如控制器帶的DDR器件比較少的情況下。如果使用VTT，則VTT的電流要求是比較大的，所以需要走線使用銅皮鋪過去。并且VTT要求電源即可以吸電流，又可以灌電流才可以。一般情況下可以使用專門為DDR設(shè)計(jì)的產(chǎn)生VTT的電源芯片來滿足要求。

而且，每個(gè)拉到VTT的電阻旁一般放一個(gè)10Nf~100nF的電容，整個(gè)VTT電路上需要有uF級(jí)大電容進(jìn)行儲(chǔ)能。

在華為的設(shè)計(jì)中，在使用DDR顆粒的情況下，已經(jīng)基本全部不使用VTT電源，全部采用電阻上下拉的戴維南匹配，只有在使用內(nèi)存條的情況下才使用VTT電源。

DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

首先要確定DDR的拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，一句話，DDR1/2采用星形結(jié)構(gòu)，DDR3采用菊花鏈結(jié)構(gòu)。

拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)只影響地址線的走線方式，不影響數(shù)據(jù)線。以下是示意圖。

星形拓?fù)?/p>

菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

星形拓補(bǔ)就是地址線走到兩片DDR中間再向兩片DDR分別走線，菊花鏈就是用地址線把兩片DDR“串起來”。

上面的PCB電路能夠清晰地說明實(shí)際電路中對(duì)應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。