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[導讀]對應(yīng)國內(nèi)標準為GB22794:2008《家用和類似用途的不帶和帶過電流保護的B型剩余電流動作斷路器》B型剩余電流保護器不僅能夠?qū)涣魇S嚯娏?、脈動直流剩余電流進行保護,此外,

對應(yīng)國內(nèi)標準為GB22794:2008《家用和類似用途的不帶和帶過電流保護的B型剩余電流動作斷路器》

B型剩余電流保護器不僅能夠?qū)涣魇S嚯娏?、脈動直流剩余電流進行保護,此外,還能對1000Hz及以下的正弦交流剩余電流、交流剩余電流疊加平滑直流剩余電流、脈動直流剩余電流疊加平滑剩余電流、兩相或多相整流電路產(chǎn)生的脈動直流剩余電流、平滑直流剩余電流確保脫扣,能夠非常好的應(yīng)用在交直流混合微電網(wǎng)中。

Magtron基于iFluxgate技術(shù)的SoC芯片整體方案,為B型漏電保護進行了數(shù)字化集成,為RCCB從傳統(tǒng)的AC型/A型向B型的技術(shù)升級,提供了一套高性價比的B型漏電解決方案,為充電設(shè)備的用電安全提供了更好的保障。

 

 

圖1: EV12DS460A的混合式分割DAC架構(gòu)

如上文所述,要實現(xiàn)超過8bit的線性度難度極大,但是通過把多個比特的轉(zhuǎn)換分割成MSB和LSB單元,則能夠大大降低核心的復雜度。通過仔細的設(shè)計,可以從同一個開關(guān)、電阻和電流源建立編碼單元和二進制權(quán)重單元。

簡單的單核心設(shè)計

任何轉(zhuǎn)換器設(shè)計的起點是保證優(yōu)秀的靜態(tài)精度。在混合式分割設(shè)計中,精度由二進制權(quán)重LSB單元的誤差決定。

設(shè)計的目標是提高SFDR并且規(guī)避校準的操作,達到優(yōu)于0.5LSB的性能。需考慮如下三點數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器配置:

1. 2比特編碼器(3段)加10比特權(quán)重段 = 13段

2. 3比特編碼器(7段)加9比特權(quán)重段 = 16段

3. 4比特編碼器(15段)加8比特權(quán)重段 = 23段

初步分析表明配置1是最佳的選擇;它的段數(shù)最少,因此核心區(qū)域最小。但是,它的靜態(tài)精度較差。要理解這一點,請考慮12比特量化器能輸出滿福1V峰峰值,表明LSB量化電壓是244 μV (1Vp-p/4096)。模擬實驗表明9比特權(quán)重段的匹配是125 μV。這比12比特0.5LSB的性能好兩倍,保證單片DAC的工作。但是,因為權(quán)重選項是10比特,無法進一步提高匹配的性能,125 μV是物理性能的極限,所以選項1是不可取的。模擬實驗也表明選項3不可取,因為其對時鐘緩沖的動態(tài)載荷過大。

處理技術(shù)

規(guī)避CMOS制程限制的設(shè)計使得轉(zhuǎn)換路徑更容易實現(xiàn)。這種方案利用Infineon異質(zhì)結(jié)硅鍺碳雙極型工藝實現(xiàn)較高的原始速度。通過引入NPN雙極型晶體管內(nèi)在固有的碳元素,B7HF200工藝允許實現(xiàn)極薄的高度摻雜基極。高轉(zhuǎn)化速度(200GHz Ft)和低阻抗基極是實現(xiàn)DAC高性能的兩個最重要的因素。

這種工藝已經(jīng)在高速和毫米波應(yīng)用中應(yīng)用了超過10年,可用于多種固態(tài)微波器件。

 

 

圖 2: B7HF200晶體管類型的比較

使用四層銅能夠進一步提高B7HF200的速度,適用于低電流密度的連接。銅幫助降低寄生電流,此寄生電流是高速設(shè)計的夢魘。

DAC設(shè)計的秘密

EV12DS460A的卓越性能并不是偶然得到的。自2011推出的較慢速的12bit產(chǎn)品以來,這種架構(gòu)已經(jīng)進化了數(shù)代。即使是早期的產(chǎn)品,性能也是非常優(yōu)秀的,帶寬達到1.5GHz。

設(shè)計過程的重點在于3個通用的設(shè)計原則:

· 驅(qū)動量化器的動態(tài)載荷,減少線長

· 保證工作穩(wěn)定

· 輸出脈沖整形,減少畸變,提高性能

驅(qū)動量化器的動態(tài)載荷

量化器的設(shè)計,部分是可以重用的(圖3)。右邊是包含16個段的量化器,而左邊是采樣時鐘系統(tǒng)的模擬電路。將它們組合起來,連接兩個電路的橋梁是芯片布線產(chǎn)生的Lp和Cp。

 

 

圖3: 簡化EV12DS460A的輸入驅(qū)動

為了支持6到7Gsp的采樣率,時鐘源的抖動要低,瞬變時間要短。當6Gsps采樣率時,時鐘周期只有166ps。保證干凈、快速的瞬變是確??焖倭炕筒蓸拥闹刂兄?。但是,在這個設(shè)計中,相對高的量化器滿量程電流被設(shè)置成20mA。為了快速驅(qū)動,需要一個復雜的驅(qū)動器,包含差分對和輸出電路,其輸出阻抗非常低。

對于這個驅(qū)動器電路,輸出阻抗Zout可以表示為:

Zout = (1/gm + Rbb + Rg)/Beta(f), 這里 gm 是晶體管跨導 (1/gm=1,25 ohms), Rbb 是輸出阻抗, Rg 是差分對的輸出阻抗, Beta(f)是三極管的動態(tài)電流增益和頻率之間的關(guān)系。

考慮到B7HF200工藝的指標(截止頻率 fT = 200 GHz), 20GHz時的電流增益Beta(f) 等于10。同時,極低的雙極型晶體管的固有基極阻抗使Rbb 為25歐姆。

Rg 也應(yīng)當是越小越好,但是其不能太小,以避免過多地增大偏置電流,導致功耗變大。大約50歐姆是比較合適的值。

最后,初步估算的輸出阻抗是: Zout = (1.25 + 25+ 50)/10 = ~ 7.5 ohms. 低輸出阻抗是器件快速工作的關(guān)鍵。

為了維持輸出緩沖的300mV的脈沖幅度,需要用300mV驅(qū)動50歐姆的終端 (300mV/50 = 6mA)。 Rg 的進一步優(yōu)化會略微改善阻抗,但其代價是更高的功耗。將 Rg減半,偏置電流會上升到12mA。

減少線長,保證DAC的穩(wěn)定性

下面將討論線長的重要性和它對高速設(shè)計的寄生效應(yīng)的影響。上述設(shè)計的每一個量化器段都只有50μm寬,所以16段的總信號線長是800 μm (16 x 50 μm)。減少線長是非常有用的。

EV12DS460A的全局時間常數(shù)與如下三個因數(shù)有關(guān):

1. 動態(tài)負載電容 (CL) 大約是 0.5 pF (CL=gm.Tf with gm = ΔI/ΔV = ~ 20mA/25mV .Tf 晶體管前向瞬變時間 = 0.8 ps)

2. 金屬信號線的被動寄生電容(CP)大約是0.5 pF

3. 金屬信號線的被動寄生電感 (LP)大約是 50 pH

在最壞的條件下,全局時間常量ΣT可根據(jù)下式計算:

ΣT = Zout.CL + Zout.CP + LP/Zout, so ΣT = 7.5?. 0.5pF + 7.5 ?.500fF + 50pH/7.5 ? = 3.75 ps + 3.75 ps + 6.66 ps = ~14 ps

這個時間常量與DAC數(shù)據(jù)的35ps上升和下降時間 (tr/tf)有關(guān)。而且,在這一層級上,tr/tf 分別表示整個時鐘周期(166ps)的少于20%的時間,其能產(chǎn)生足夠快的時鐘邊沿,支持10GHz的初步帶寬估算,達到DAC的設(shè)計目標。

在初步的估算之外,我們使用一些特別的技術(shù)保證DAC的動態(tài)穩(wěn)定性。我們實現(xiàn)最大過沖(+4%)和最小回彈(-2%)的性能。B7HF200工藝提供低阻抗的鍍銅技術(shù),幫助進一步調(diào)節(jié)和改善芯片的關(guān)鍵節(jié)點。由此產(chǎn)生的優(yōu)異的性能(純凈的6GHz采樣)在圖4中以階躍響應(yīng)的形式表示。

 

 

圖4: 加負載后30ps上升時間的階躍響應(yīng)

通過輸出脈沖整形提高動態(tài)性能

我們提供四種輸出脈沖整形模式(NRZ, NRTZ, RTZ, RF)以幫助系統(tǒng)設(shè)計師根據(jù)特定的輸出頻帶裁剪DAC的動態(tài)響應(yīng)性能,從而使設(shè)計更加便利。大多數(shù)的量化器畸變與開關(guān)瞬變有關(guān)。任何開關(guān)的毛刺都會疊加在最后的輸出信號上(圖5)。如果能夠移除這些毛刺,輸出的頻譜純凈度將大大提高。

 

 

圖5: DAC 脈沖整形的概念圖和NRTZ、RF模式的擴展波形為了實現(xiàn)上述的脈沖整形,我們在每個瞬變環(huán)節(jié)的邊緣之前強制把DAC輸出截止為0,可以在NRTZ和RF模式的圖中看到輸出的波形。脈沖整形通過3線串行接口控制,其有兩個用戶可控的參數(shù):整形脈沖寬度(RPW)和整形脈沖中心(RPB)。如果所有的毛刺都被移除,脈沖中心必然與瞬變邊緣的中心一致。注意,這種技術(shù)犧牲了少量的輸出信號強度(與RPW定義的區(qū)域有關(guān))。

 

特性曲線(圖6)表明脈沖整形帶來的優(yōu)勢。這些數(shù)據(jù)展示了兩種RPW設(shè)置(如果您對信號偏置不了解,請閱讀這里)時橫跨8個奈奎斯特區(qū)間的高達27GHz (采樣率fs = 6 & 7Gsps)的頻譜。注意采樣率的提高顯著地擴展了典型的SINC (sin(x)/x) DAC 輸出特性曲線。

 

 

圖6: 兩種脈沖整形模式下DAC EV12DS460的輸出功率譜 (采樣率 6/7Gsps)

由于波形整形(H3從-57dBm提到到-69dBm),三次諧波的性能提高了+12dB,極大地提高了DAC的性能。為了對比,我們在6Gsps采樣率,F(xiàn)out = 2940MHz的條件下使用有波形整形(NRTZ模式)和無波形整形(NRZ模式)產(chǎn)生如下的頻譜(圖7)。在NRTZ模式下,波形整形帶來的性能提升非常明顯。

 

 

圖7: 6 GSps,F(xiàn)out = 2940MHz時的單音頻譜,有波形整形和無波形整形

實測的性能

輸出3dB帶寬最大7GHz,采樣率6Gsps保證產(chǎn)生3GHz的瞬時帶寬。有用的輸出功率在X波段非常明顯(圖8a)。曲線表示一個第四奈奎斯特區(qū)間的11950MHz的單音載波,SFDR為50dBc。這里4次諧波主導SFDR。這個載波頻譜是仔細選擇的,為了在X波段的邊沿,使諧波信號更容易被觀察到,因為它們以自然的諧波順序出現(xiàn)。

如果提高載波頻率到K波段(圖8),信號參考設(shè)置為在第8奈奎斯特區(qū)間的23950MHz,2次諧波主導SFDR(-36.5dBc) 。顯然,諧波的純凈度有明顯提高。

 

 

圖8: 11950 MHz 和 23950 MHz 處的SFDR

這些圖線還包含著其他突出的性能指標。每張圖里都展示了中頻點的非諧波雜散。這些雜散與DAC 4:1輸入多路復用器的不完全混合信號抑制有關(guān)。這些雜散的峰值在-80dBm,相當好。DAC的底噪大約接近-110dBm。

在實驗室里使用單音或多音的信號測試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器并不困難。這些測試的結(jié)果并不能完全表明DAC的性能。當今的數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)在大塊帶寬上部署復雜的模塊,所以我們需要更有效的寬帶測試方法。這時噪聲功率比(NPR)非常有用。它在一個較寬的帶寬上測試DAC,能表明信號如何包含多個非相干窄帶頻率,以及它們在被DAC混合之時如何互相影響和互相干涉。顯然,一款NPR指標接近理想n-bit器件的NPR指標的DAC是非常優(yōu)秀的寬帶器件。

NPR測試通常由一組高斯噪聲功率密度的數(shù)字譜實現(xiàn)。對這個數(shù)字譜在頻域使用(數(shù)字)陷波濾波器將在感興趣的帶寬內(nèi)得到一個“安靜”的區(qū)域。然后把這個數(shù)字譜發(fā)送給DAC,NPR的值通過計算陷波內(nèi)外的功率密度比的平均值得出。對于一個理想的DAC,陷波內(nèi)的信號功率只和量化噪聲有關(guān)。而對于現(xiàn)實的DAC,量化噪聲由熱噪聲、時鐘抖動帶來的噪聲和通道間交調(diào)帶來的噪聲有關(guān)。

這款器件的寬帶NPR如下圖(圖9)所示。7Gsps的采樣率帶來3.150GHz的合成帶寬。NPR是42.6dB,等效的有效位數(shù)(ENOB)為8.6。注意NPR的平坦度一直到3325MHz的位置都相當好。

 

 

圖9: 3.15 GHz帶寬,30MHz陷波的寬帶NPR

圖10中的第二個NPR特性在22GHz的范圍內(nèi)復制了3.150/2.700GHz的NPR譜。這時DAC的采樣率為7/6Gsps,工作模式是RF模式。這些圖線表明提高采樣率帶來的優(yōu)勢之一。它不僅影響DAC產(chǎn)生的最大瞬時帶寬,還擴展了高奈奎斯特區(qū)間的SINC特性和輸出功率。

 

 

圖 10:多奈奎斯特區(qū)間的重復的NPR譜 —— 7Gsps時K波段的NPR有明顯提高

其他尖端的DAC

德州儀器最近有一款14bit 8.9Gsps RF DAC,使用40nm CMOS工藝,支持4G LTE的應(yīng)用。它的SFDR在8.9Gsps(Fout = 4300MHz)時是50dBc[3]。雖然這款DAC可以支持8.9Gsps的采樣率,但是沒有任何超過4300MHz的測試數(shù)據(jù),而絕大多數(shù)的微波頻段都超過4300MHz。

Analog Devices公司也在開發(fā)一款11/16bit, 12Gsps的DAC (AD9161/AD9162),其RF模式(也叫作混合模式)下的采樣率能達到12Gsps。在RF模式下,因為每半個時鐘周期數(shù)據(jù)會反向,似乎DAC在以12Gsps的采樣率采樣。而對于RF模式下的EV12DS460A (圖5),數(shù)據(jù)反向被沒有被考慮進標稱的采樣率(6Gsps)。因此,EV12DS460A和AD9161/62的采樣率是相同的。這一點也可以由3GHz的瞬時帶寬證明。

Analog Devices的器件在前兩個奈奎斯特區(qū)間的最佳的SFDR是65dBc (Fclock = 5Gsps, Fout = 4000MHz)。但是,其性能在超過7500MHz的位置急劇下降。輸出功率在Fout = 7500MHz時只有 -66dBm,因此它無法在X波段和K波段很好地工作。

結(jié)語

EV12DS460的發(fā)布給微波工程師帶來一款帶寬從DC一直到K波段頻率的寬帶DAC。雖然這款器件并不是唯一的Gsps采樣率的DAC,但是如同上文所述,它是第一款合成帶寬跨多個奈奎斯特區(qū)域,同時保持優(yōu)秀的頻譜純度的DAC。它為全新的毫米波應(yīng)用開拓了一個激動人心的新領(lǐng)域。

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