Vishay 推出的新款VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案

日前，Vishay Intertechnology Inc.宣布，為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對(duì)大電流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率級(jí)解決方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix 的這五款器件在熱增強(qiáng)的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝內(nèi)，組合了功率MOSFET、先進(jìn)的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC和自舉肖特基二極管，占位面積比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常適合使用Intel®的Skylake平臺(tái)的計(jì)算平臺(tái)。器件還適用于工業(yè)PC和用在網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)應(yīng)用中的大電流多相模塊。


現(xiàn)在的移動(dòng)計(jì)算和桌面計(jì)算平臺(tái)需要比前一代產(chǎn)品更大的電流，同時(shí)要求面積和尺寸要比以往更小。推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的集成器件可輸出最高30A的連續(xù)電流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的器件可輸出40A連續(xù)電流。除了能輸出大電流和節(jié)省占位面積，這些功率級(jí)還減小了封裝寄生參數(shù)，使開關(guān)頻率最高能達(dá)到2MHz，從而減小輸出濾波器的尺寸，進(jìn)一步縮小了整個(gè)方案的尺寸和高度。為提高性能，器件的高邊和低邊MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技術(shù)，來(lái)減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。功率級(jí)的驅(qū)動(dòng)IC兼容眾多PWM控制器，支持5V的三態(tài)PWM邏輯電平。SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC電壓穩(wěn)壓模塊、CPU和GPU的多相VRD，以及存儲(chǔ)器。為在這些應(yīng)用里提高輕負(fù)載效率，器件的驅(qū)動(dòng)IC帶有二極管調(diào)制模式電路和零電流檢測(cè)電路。自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制有助于在所有負(fù)載點(diǎn)下進(jìn)一步提高效率。為支持IMVP8的PS4模式輕負(fù)載要求，當(dāng)系統(tǒng)在待機(jī)模式下運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，功率級(jí)會(huì)把電流降到5μA，而且可以在5μs內(nèi)從這種狀態(tài)中喚醒。器件符合RoHS，無(wú)鹵素，具有欠壓鎖定 (UVLO)等保護(hù)功能。