基于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)案例（2）

下方電路圖是從整個(gè)電路圖中摘錄的輸入部分的電路。輸入端的輸入電容需要C2、C3、C4這3個(gè)電容。輸入電容的容值通過下表來確定。

關(guān)于輸入，如設(shè)計(jì)案例電路中所述，將AC輸入電壓整流后會(huì)變?yōu)镈C電壓，因此將根據(jù)DC輸入電壓值來設(shè)置常數(shù)。

輸入電壓規(guī)格：300～900VDC(400～690VAC)

Pout=24V×1.1A=25W

根據(jù)上述規(guī)格，Cin為1×25=25?F，因此選擇33?F的電容。

輸入電容也與輸入停止后的輸入電壓保持時(shí)間等有關(guān)，因此，也可根據(jù)這些相關(guān)規(guī)格來選擇電容量。

接下來，我們將探討并來確定輸入電容的耐壓。從上面可以看出，這個(gè)電路是處理高電壓的電路，要求輸入電容具有高耐壓特性。輸入電容的耐壓需要達(dá)到最大輸入電壓以上。最大輸入電壓按80%降額。

最大輸入電壓/降額=900V/0.8=1125V

要想支持1125V，需要串聯(lián)使用三個(gè)450V耐壓的電容，從而獲得450V×3=1350V的耐壓。當(dāng)然，整體上要獲得33?F的電容量，各電容需要三倍的電容量，因此選擇100?F/450V的電容。

?主要部件選型：平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6?

為了獲得所需的耐壓，我們采用了串聯(lián)連接電容的手法，但在這種情況下，需要保持施加到所有電容的電壓均衡，因而需要與各電容并聯(lián)連接平衡電阻。從電路圖中可以看出，平衡電阻是串聯(lián)在輸入端和GND之間，因此流經(jīng)平衡電阻的電流只是一種損耗，故建議選擇470kΩ以上的電阻值。平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6的損耗如下：

平衡電阻損耗(W)=最大輸入電壓×最大輸入電壓/平衡電阻的和=900V×900V/(470k×6=2.82MΩ)=0.287W

綜上所述，得出：

輸入電容C2、C3、C4：100?F/450V

平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6：470kΩ

關(guān)鍵要點(diǎn)

?輸入電容采用串聯(lián)連接的方法，以獲得所需的耐壓。

?串聯(lián)連接電容時(shí)，需要插入平衡電阻以確保施加于各電容的電壓均衡。

?由于平衡電阻只是產(chǎn)生IR損耗，因此需要注意電阻值。