本文前一部分建立了超級電容器的背景,并用簡單的術語解釋了它們的結構;顯然,這是一個具有深厚物理、化學、材料科學考慮和制造問題的組件。第一種廣泛使用的標準超級電容器于 20 世紀 70 年代末和 80 年代初進入市場。它們主要用于易失性存儲器的內存?zhèn)浞?,但由于成本和性能問題,它們并未被大眾市場接受。然而,到了 20 世紀 90 年代,超級電容器以適中的價格上市,具有卓越的性能和可靠性,因此開始被常規(guī)設計到系統(tǒng)中。相關的維基百科參考資料對其歷史進行了相當詳細的介紹,同樣重要的是,引用了許多信譽良好的來源,包括行業(yè)媒體上的新聞和學術期刊上的論文。
許多系統(tǒng)使用可用的線路供電或可更換電池供電。然而,在其他系統(tǒng)中,許多系統(tǒng)需要不斷捕獲、存儲然后輸送能量來為系統(tǒng)供電。電量范圍從通過物聯(lián)網(wǎng)和智能電表等遠程監(jiān)控設備的能量收集提供的微量到更大規(guī)模的電網(wǎng)級系統(tǒng)。情況是,在能量生成或捕獲時立即“實時”利用來自各種來源的能量是一回事。然而,在實際應用中,通常需要一個能量存儲子系統(tǒng),以便將捕獲的任何能量存儲起來以供日后使用。
任何由主電源供電的電氣設備都容易受到電壓浪涌的影響。這些完全不可預測的事件可能以多種形式出現(xiàn):從正常運行期間的適度功率尖峰到外部雷擊引起的巨大功率浪涌。為了防止損壞和停機,電氣設備和電路需要配備足夠的浪涌保護。
打開一個普通的 LED 燈泡,你經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)一個電解電容器占據(jù)了交流線路輸入的位置。雖然照明級 LED 的使用壽命通常超過 10,000 小時,但其底座中的電解電容器可能使用壽命不會那么長。造成這種不良后果的原因可能有很多種。
超級電容器可以提供更多功能:更高的功率密度、更大的法拉、更長的循環(huán)壽命等等。但它們也需要更復雜的解決方案來實現(xiàn)最佳性能。許多設計考慮因素包括管理超級電容器放電、優(yōu)化超級電容器充電,以及在超級電容器模塊串聯(lián)配置的情況下,在電池之間提供有效的電壓平衡。
WBG的高頻切換帶來了與帶寬和速度相關的挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)可以通過新的傳感技術來解決。此外,氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。
效率和功率密度都是電源轉換器設計中的重要因素。每個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量,而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關和碳化硅 (SiC) 技術的結合可以提高開關頻率,從而可以減小臨時存儲能量的無源元件的尺寸和數(shù)量,并平滑開關模式轉換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉換器提供了基礎。
寬帶隙 (WBG) 半導體器件,例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET),以其最小的靜態(tài)和動態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外,該技術還可以承受高脈沖電流,在固態(tài)斷路器等應用中特別有優(yōu)勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性,并與傳統(tǒng)硅解決方案進行了比較分析。
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應用,從電機驅動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關的應用可能性示例。
晶閘管是四層半導體開關,具有交替的 P 型和 N 型材料層。雖然所有晶閘管都具有相同的基本結構,但可以修改其實現(xiàn)和封裝的細節(jié)以滿足特定應用的需求。
PLC與變頻器的搭配使用在工業(yè)控制中非常常見,主要用于實現(xiàn)對電機的精確控制和調節(jié)。
那么模塊的紋波噪聲該如何降低?普科科技從紋波噪聲的波形、測試方式、模塊設計及應用的角度出發(fā),闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。
變頻調速系統(tǒng)在各類中小型企業(yè)的工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應用。這都是得益于我們可以變頻調速方案可以提供精確的速度控制,實現(xiàn)無級調速。
高頻工作,可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積,降低電源成本,讓電源實現(xiàn)小型化,美觀化。從而實現(xiàn)電源的升級換代。
直流電源輸入:逆變電路的輸入端連接一個直流電源,如太陽能電池板或蓄電池。直流電源為逆變電路提供電能。