• GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機(jī)會(huì)以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強(qiáng)調(diào)每個(gè)方面的一些權(quán)衡。

  • EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個(gè)問題。一些系統(tǒng)會(huì)發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會(huì)發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應(yīng)商輕松獲得可用于在幾乎任何應(yīng)用中有效過濾 EMI 的各種組件。

  • EMI 噪聲，箱級(jí) EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)所必需的板級(jí) EMI 抑制解決方案。然而，對(duì)于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應(yīng)用，它們可能還不夠。此類應(yīng)用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng))需要盒級(jí) EMI 濾波。

  • 不要讓EMI 噪聲成為我們的問題

    電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個(gè)問題。這個(gè)由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對(duì)汽車、醫(yī)療、植入式和空間應(yīng)用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中，我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。

  • EMI 噪聲，惡劣環(huán)境下的 EMI 抑制

    在惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用的組件通常會(huì)承受過大的機(jī)械應(yīng)力、極熱或極冷的溫度、增加的靜電放電潛力和/或高水平的輻射。因此，這些組件采用能夠處理高溫變化的材料制造，并具有機(jī)械堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)。例如，陶瓷 NP0/C0G 等電介質(zhì)能夠處理高達(dá) 150 o C 的溫度而電容沒有變化，但缺乏制造高電容器件所需的高介電常數(shù)。由于這一限制，已開發(fā)出具有更高常數(shù)的電介質(zhì)，如 X8R，以將典型 X7R 電介質(zhì)的溫度范圍擴(kuò)展到其通常的溫度范圍之外125 oC 極限。

  • AmberSemi 實(shí)現(xiàn)電力的固態(tài)數(shù)字控制

    Amber Solutions 已更名為 Amber Semiconductor (AmberSemi)，立即生效。遷移至 AmberSemi 反映了該公司更清楚地展示其關(guān)鍵技術(shù)功能的意圖，其中包括將其專利的突破性技術(shù)產(chǎn)品化，用于將能量的交流直接數(shù)字控制轉(zhuǎn)化為硅芯片。這一成就為主要的半導(dǎo)體和電氣產(chǎn)品公司 徹底改革全球電網(wǎng)和實(shí)現(xiàn)電氣產(chǎn)品現(xiàn)代化鋪平了道路 。

  • 具有自適應(yīng)電源共享功能的降壓轉(zhuǎn)換器 IC

    電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括設(shè)計(jì)參數(shù)之間的許多權(quán)衡，例如尺寸、成本、效率和負(fù)載瞬態(tài)性能。為了設(shè)計(jì)功率級(jí)，必須建立各種特性，例如瞬態(tài)容限、紋波電壓和負(fù)載特性。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正專注于通過更好地控制電池特性來使用新的電路拓?fù)鋪硖岣唠娫崔D(zhuǎn)換效率，以開發(fā)具有更長運(yùn)行時(shí)間和更小的占位面積的系統(tǒng)。低效率對(duì)應(yīng)于增加的功耗，必須充分處理。較低的開關(guān)頻率會(huì)降低開關(guān)損耗，但較高的開關(guān)頻率可提供更高的性能和更快的瞬態(tài)響應(yīng)。西蘭娜半導(dǎo)體推出了智能功率共享降壓轉(zhuǎn)換器電源IC。具有集成 USB-PD/FC 端口控制器的新型 SZPL3002A 降壓轉(zhuǎn)換器 IC 可顯著減少執(zhí)行 65-W 快速充電器和具有多達(dá)四個(gè)端口的適配器應(yīng)用所需的組件數(shù)量。該電源 IC 采用完全集成的 USB-PD 控制器、MCU 和 VCONN 電纜通信協(xié)議，在這款高效 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)智能電源共享。

  • 電力電子課程：第 6 部分 - BJT

    BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術(shù)的進(jìn)程。晶體管_也可以是一個(gè)功率元件，并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號(hào)晶體管不同的技術(shù)制造，但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時(shí)間太長，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個(gè)問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

  • 電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

    基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢(shì)，碳化硅(SiC)近年來在市場(chǎng)上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

  • 通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率

    開關(guān)、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設(shè)備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因?yàn)樗鼈儾皇軣嵊绊懖环€(wěn)定性，并聯(lián)連接通常比其他更過時(shí)的組件更簡單，更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個(gè)單元之間的簡單并聯(lián)在正常條件下工作良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的異常事件中，操作條件可能變得至關(guān)重要。因此，必須采取一定的預(yù)防措施來創(chuàng)建防故障電路，以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢(shì)。

  • 英飛凌推出電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)

    英飛凌科技推出了一款名為 TLE9012AQU 的新電池管理系統(tǒng)，用于管理和平衡電動(dòng)汽車的電池電量。這家德國芯片公司專門為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車電池設(shè)計(jì)了它，但它也適用于其他應(yīng)用，如儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)自行車電池管理系統(tǒng)。

  • 用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

    近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進(jìn)入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

  • 新的汽車通訊架構(gòu)替代CAN 總線的案例

    汽車電子系統(tǒng)架構(gòu)發(fā)生了顛覆性變化。它已經(jīng)持續(xù)了近十年，現(xiàn)在正在加快速度。這主要發(fā)生在 BEV 初創(chuàng)公司中，因?yàn)樗鼈儧]有歷史限制或根深蒂固的喜愛設(shè)計(jì)，并且可以從電子架構(gòu)的零基礎(chǔ)開始。

  • 無線充電指標(biāo)爭(zhēng)論不休

    無線充電可能需要應(yīng)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)之爭(zhēng)，但無線充電聯(lián)盟(WPC) 認(rèn)為還有一個(gè)重大的測(cè)量問題。因此，WPC 與人合著了一項(xiàng)研究，以發(fā)現(xiàn)測(cè)量無線充電能效的最佳方法。

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