• CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第二部分

    眾所周知，當(dāng) V GS 在增強模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應(yīng)泄漏任何電流，因此當(dāng) V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0，但當(dāng) V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導(dǎo)通道 。

  • CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分

    傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當(dāng)柵極控制電壓在電源和地之間變化時，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第二部分

    目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠(yuǎn)不止兩個，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司，級聯(lián) GaN 實際上是第一個誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯(lián)的 GaN 解決方案時，我就在那里。

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

    氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率。GaN 很有吸引力，因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動下一步的改進(jìn)。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第四部分

    目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點將放在開發(fā)用于擴大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為，未來未來，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場的很大一部分，很大一部分，可以說是電動汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對于實現(xiàn)這些市場滲透尤為重要。那么，高價格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個市場未來降低價格?

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第二部分

    如我們所知，目前增長最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強調(diào)了一些為電動汽車提供模塊的長期合同。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第一部分

    在多個能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個能源行業(yè)擴展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動汽車和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學(xué) SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。

  • 了解傳導(dǎo)產(chǎn)生的EMI電磁干擾問題

    電磁干擾是我們生活的一部分。許多人認(rèn)為電子產(chǎn)品的普及是一件好事，因為它們提高了我們的舒適度、安全性和健康度。這些產(chǎn)品還帶來了潛在的電子有害 EMI 信號。EMI 信號可以來自各種來源，包括我們周圍常見的電子設(shè)備，以及車輛和重型設(shè)備。在汽車設(shè)計中，其中一些 EMI 發(fā)生器與車輛的敏感電子電路位于同一個機柜中。這種接近會影響音響設(shè)備、自動門控制和其他設(shè)備。

  • GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

    在過去的幾年里，我們道路上的電動汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加，給設(shè)計人員帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎(chǔ)設(shè)施和縮短充電時間。

  • 面向設(shè)計師的 datasheets.com

    本教程將介紹https://www.datasheets.com的主要功能，這是一個詳盡的任何電子元件的數(shù)據(jù)表和技術(shù)文檔集合。任何電子設(shè)計師、工程師或簡單的愛好者都會發(fā)現(xiàn)這是一個非常有用的資源。該網(wǎng)站提供先進(jìn)的研究工具等等。

  • 封裝、集成和快速切換：已經(jīng)取得了什么成就，下一步發(fā)展是什么？

    今天，由于該領(lǐng)域眾多公司的研究，功率器件已達(dá)到極高的效率水平。優(yōu)異的成績是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用，它們結(jié)合在一起，可以達(dá)到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實現(xiàn)非常高的效率，尤其是在高開關(guān)速度下，從而積極利用所有可用功率。

  • 金屬納米粒子可以降低太陽能成本

    盡管現(xiàn)在的太陽能產(chǎn)業(yè)增長了很多，但要實現(xiàn)將太陽能發(fā)電成本降低，仍然需要進(jìn)行根本性的技術(shù)突破。萊斯大學(xué)的研究人員聲稱已經(jīng)找到了一種降低光伏太陽能電池成本的方法。

  • 車輛到電網(wǎng)的愿景：釋放電動汽車的力量

    老化的電網(wǎng)在全球面臨著前所未有的需求，而且這種壓力可能只會隨著汽車電氣化而加劇。但是，如果電動汽車(EV)可以通過將電力返回電網(wǎng)來減輕負(fù)擔(dān)呢?

  • 谷歌和雪佛龍投資核聚變

    核聚變有時被稱為清潔能源的圣杯，因為它有潛力提供幾乎無限的無排放能源，而不會產(chǎn)生由核裂變產(chǎn)生的破壞性、持久的放射性廢物。

  • 電源設(shè)計：比較器件的不同效率

    本教程說明了使用不同設(shè)備驅(qū)動電阻負(fù)載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在相同電源電壓和負(fù)載阻抗的情況下哪個電子開關(guān)效率最高。

發(fā)布文章