超級電容器可以提供更多功能:更高的功率密度、更大的法拉、更長的循環(huán)壽命等等。但它們也需要更復雜的解決方案來實現(xiàn)最佳性能。許多設計考慮因素包括管理超級電容器放電、優(yōu)化超級電容器充電,以及在超級電容器模塊串聯(lián)配置的情況下,在電池之間提供有效的電壓平衡。
WBG的高頻切換帶來了與帶寬和速度相關的挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)可以通過新的傳感技術來解決。此外,氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。
效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設計中的重要因素。每個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量,而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關和碳化硅 (SiC) 技術的結合可以提高開關頻率,從而可以減小臨時存儲能量的無源元件的尺寸和數(shù)量,并平滑開關模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎。
寬帶隙 (WBG) 半導體器件,例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET),以其最小的靜態(tài)和動態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外,該技術還可以承受高脈沖電流,在固態(tài)斷路器等應用中特別有優(yōu)勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性,并與傳統(tǒng)硅解決方案進行了比較分析。
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應用,從電機驅(qū)動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關的應用可能性示例。
晶閘管是四層半導體開關,具有交替的 P 型和 N 型材料層。雖然所有晶閘管都具有相同的基本結構,但可以修改其實現(xiàn)和封裝的細節(jié)以滿足特定應用的需求。
PLC與變頻器的搭配使用在工業(yè)控制中非常常見,主要用于實現(xiàn)對電機的精確控制和調(diào)節(jié)。
那么模塊的紋波噪聲該如何降低?普科科技從紋波噪聲的波形、測試方式、模塊設計及應用的角度出發(fā),闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。
變頻調(diào)速系統(tǒng)在各類中小型企業(yè)的工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應用。這都是得益于我們可以變頻調(diào)速方案可以提供精確的速度控制,實現(xiàn)無級調(diào)速。
高頻工作,可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積,降低電源成本,讓電源實現(xiàn)小型化,美觀化。從而實現(xiàn)電源的升級換代。
直流電源輸入:逆變電路的輸入端連接一個直流電源,如太陽能電池板或蓄電池。直流電源為逆變電路提供電能。
一片用來發(fā)作PWM波,操控推挽升壓電路;另一片與正弦函數(shù)發(fā)作芯片ICL8 038聯(lián)接來發(fā)作SPWM波,操控全橋逆變電路。
推挽升壓電路和SPWM逆變電路,實現(xiàn)了將12VDC輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC交流正弦電壓輸出。實驗表明,該逆變器具有電壓紋波小、動態(tài)響應高和全數(shù)字等特點,能夠滿足實際需要。
經(jīng)常遇到有人把晶振的負載電容與外接電容混淆,甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。
開關電源,作為現(xiàn)代電子設備中不可或缺的部分,其穩(wěn)定性和可靠性對于整個系統(tǒng)的運行至關重要。在開關電源的設計中,光耦作為一種關鍵的隔離與傳輸元件,發(fā)揮著不可替代的作用。本文旨在深入探討開關電源中光耦的作用,以及其在電源設計中的重要性。