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小米圈鐵四單元耳機(jī)發(fā)布 雙11預(yù)售價699元
10月21日，小米圈鐵四單元耳機(jī)發(fā)布，Hi-Res 認(rèn)證、圈鐵四單元設(shè)計、大尺寸硅膠振膜，可更換耳機(jī)線材設(shè)計，目前已上線小米商城、京東天貓小米旗艦店，雙11預(yù)售價699元。 其“雙動鐵
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小米圈鐵四單元耳機(jī)高清圖集
10月21日，小米圈鐵四單元耳機(jī)發(fā)布，Hi-Res 認(rèn)證、圈鐵四單元設(shè)計、大尺寸硅膠振膜，可更換耳機(jī)線材設(shè)計，售價699元。 我們快科技已經(jīng)拿到了這款新品，下面為大家?guī)韴D賞。
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采用變?nèi)荻O管的低失真振蕩電路b
采用變?nèi)荻O管的低失真振蕩電路b
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采用變?nèi)荻O管的低失真振蕩電路a
采用變?nèi)荻O管的低失真振蕩電路a
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低失真、狀態(tài)變量式2相振蕩電路
低失真、狀態(tài)變量式2相振蕩電路
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低失真文氏電橋正弦波振蕩電路
低失真文氏電橋正弦波振蕩電路
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大動態(tài)，低失真全晶體三極管三級差動功放
大動態(tài)，低失真全晶體三極管三級差動功放
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用于高阻抗電路的低失真、低噪聲放大器
用于高阻抗電路的低失真、低噪聲放大器
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分立元件噪聲、低失真前置放大器
分立元件噪聲、低失真前置放大器
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正弦波電路圖
電路圖中使用CA3140運(yùn)放和二極管陣列，產(chǎn)生低失真的正弦波。表格顯示R和C的值，從50Hz到30kHz獲得頻率。使用齊納二極管鉗位用于幅度控制，并提供快速的AGC。
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可處理雙極信號的低失真分立式緩沖放大器設(shè)計
有時候我們需要很多低失真緩沖放大器處理雙極信號。這些應(yīng)用可以采用運(yùn)放或集成緩沖器，但為了更加靈活，分立設(shè)計可能更有用，其應(yīng)用包括ADC的輸入緩沖，或DAC的輸出緩沖，
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低失真音頻限制器電路圖
音頻限制器中的電平可以用限制電平微調(diào)電位計來調(diào)節(jié)。如果超過了電位計的電平，那么來自半個運(yùn)算放大器（用作比較器）的限制探測器的輸出會使發(fā)光二極管發(fā)亮，于是光敏電阻的阻值會迅速減小。同時另外半個運(yùn)算放大器
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MAX4475-MAX4478/MAX4488/MAX4489低失真運(yùn)算放大器
概述MAX4475–MAX4478/MAX4488/MAX4489為寬帶、低噪聲、低失真運(yùn)算放大器, 提供滿擺幅輸出，工作電壓可低至2.7V。每路運(yùn)放僅消耗2.2mA的靜態(tài)電流，并具有超低失真度(0.0002% THD+N)、低輸入電壓噪聲密度(4.5nV每
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IDT推出針對4G無線基站收發(fā)器的低失真混頻器IDTF1162
21ic訊 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出針對 4G 無線基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-Distortion™ 系列產(chǎn)品之一，這款新器件可在降低長期演進(jìn)（LTE）和
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IDT推出針對4G無線基站收發(fā)器的低失真混頻器IDTF1162
21ic訊 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出針對 4G 無線基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-Distortion™ 系列產(chǎn)品之一，這款新器件可在降低長期演進(jìn)（LTE）和
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低失真、狀態(tài)變量式2相振蕩電路及工作原理分析
電路的功能用于音響設(shè)備的放大器在進(jìn)行試驗(yàn)時需要低失真率信號源。近來，用于音響電路的低失真率OP放大器的產(chǎn)品很多。振蕩器有失真，測量就受到限制。狀態(tài)變量電路用途有源濾波器的基本組成部分，如加正反饋，便可成
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低失真、覆蓋三個十倍頻程的鎖定同步正弦波發(fā)生器
測試、校準(zhǔn)、普通系統(tǒng)操作等模擬應(yīng)用經(jīng)常需要具有準(zhǔn)確振幅和頻率、THD（總諧波失真）很低的正弦波形。一些應(yīng)用要求此類波形的發(fā)生器能用外部時序信號來使輸出準(zhǔn)確同步。簡單的正弦波發(fā)生器能提供多個性能級別，但保持
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用于高阻抗電路的低失真、低噪聲放大器工作原理分析
電路的功能近年來，噪聲及失真特性得到改進(jìn)的低噪聲放大器品種繁多，已無須用分立元件制作了。此外，也有為了使噪聲減到最小而降低源極電阻，同時輸入端的偏流IR又比通用OP放大器還大的OP放大器（如NE5534等）。但是
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分立元件低噪聲、低失真前置放大器工作原理分析
為音響設(shè)備研制的OP放大器有以低器聲見長的NE5532A、LM833A等，但這些IC受到輸入阻抗、高頻特性、電源電壓的制約。而采用分立元件的晶體管電路則具有按使用要求進(jìn)行設(shè)計的自由度。由于輸入級采用了低噪聲的并聯(lián)J-FET
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Ziptronix宣布背照式圖像傳感器可實(shí)現(xiàn)最低失真度
美國Ziptronix公司近期宣布，該公司最近的研究表明，Ziptronix和 ZiBondTM直接鍵合工藝可讓背照式(BSI)圖像傳感器實(shí)現(xiàn)最低的失真度。Ziptronix首席執(zhí)行官Dan Donabedian表示：“經(jīng)過證實(shí)，Ziptronix直接鍵合技術(shù)
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