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閾值電壓和關(guān)斷電壓
閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，零點(diǎn)五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。
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如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
本文來研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)
小軒窗
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