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閾值電壓和關斷電壓
閾值電壓受襯偏效應的影響，即襯底偏置電位，零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標準閾值電壓為nmos0.7v pmos負 0.8，過驅動電壓為Vgs減Vth。 MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經(jīng)歷一個 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時器 件處于臨界導通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。
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如何針對反向轉換器的FET關斷電壓而進行緩沖
本文來研究如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖。 圖1顯示了反向轉換器功率級和一次側MOSFET電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在MOSFET關閉時
