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Rambus發(fā)布業(yè)內首款HBM4內存控制器IP，助力AI訓練持續(xù)突破性能瓶頸
作為“AI加速年”，2024年AI進展迅猛。得益于GPU、TPU等硬件計算能力的持續(xù)提升、算法優(yōu)化的深化以及數(shù)據(jù)收集規(guī)模的擴大，AI模型在自然語言處理、計算機視覺、自動駕駛等多個領域取得了顯著突破。例如，OpenAI、Google和Meta等公司推出的超大規(guī)模模型推動了AI技術的前沿發(fā)展，且模型訓練的規(guī)模不斷創(chuàng)下新紀錄。
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Rambus通過GDDR7內存控制器IP推動AI 2.0發(fā)展
作為 Rambus 行業(yè)領先的接口和安全數(shù)字 IP 產(chǎn)品組合的最新成員，GDDR7 內存控制器將為下一波AI推理浪潮中的服務器和客戶端提供所需的突破性內存吞吐量。
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Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能
中國北京，2023年12月7日——作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.(納斯達克股票代碼：RMBS)今日宣布Rambus HBM3內存控制器IP現(xiàn)在可提供高達9.6 Gbps的性能，可支持HBM3標準的持續(xù)演進。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3內存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%，總內存吞吐量超過1.2 TB/s，適用于推薦系統(tǒng)的訓練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。
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內存雙通道概述
內存雙通道，就是在北橋(又稱之為MCH)芯片級里設計兩個內存控制器，這兩個內存控制器可相互獨立工作，每個控制器控制一個內存通道。
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Cadence流片GDDR6芯片：基于三星的7LPP
根據(jù)外媒報道，Cadence宣布已成功在三星的7LPP制造工藝中流片其GDDR6 IP芯片。
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那些被對手借鑒又超越的AMD技術
[導讀] AMD作為一家歷史悠久的X86 CPU生產(chǎn)廠商，雖然一直被英特爾壓制，但總是可以出其不意的推出一些創(chuàng)新性的產(chǎn)品讓對手措手不及?？上У氖?，每次AMD在稍微獲得一點競爭優(yōu)勢之后，很快就會被競爭對手再次超越。如果
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處理器外接SDRAM的控制技術介紹
現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內建有內存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內存的控制接口。但不同處理器內部的內存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內，皆屬于
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Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內存控制器試驗成功
Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識產(chǎn)權的DDR4內存物理層及內存控制器電路已經(jīng)在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內存控制器。 Cadence公司產(chǎn)品部門、S
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處理器外接SDRAM的控制技術介紹
現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內建有內存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內存的控制接口。但不同處理器內部的內存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內，皆屬于
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處理器外接SDRAM的控制技術介紹
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嵌入式系統(tǒng)中的內存壓縮技術
嵌入式系統(tǒng)中的內存壓縮技術
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