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擴(kuò)充大功率芯片產(chǎn)能，這家公司匈牙利建廠(chǎng)
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日Infineon在匈牙利采格萊德建立了一家全新的大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測(cè)試工廠(chǎng)，目的主要是用于擴(kuò)充大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，同時(shí)推動(dòng)世界減排以及新能源汽車(chē)的進(jìn)程。
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釋放GaN全部潛力，GaNSense進(jìn)一步提高GaN功率芯片集成度
隨著蘋(píng)果新一代的140W氮化鎵（GaN）快充面世，GaN進(jìn)一步走進(jìn)了大眾視線(xiàn)。GaN具備超過(guò)硅20倍的開(kāi)關(guān)速度，3倍的禁帶寬度。天然的優(yōu)勢(shì)可以讓整體的電源設(shè)計(jì)功率密度更高，讓整體電源方案體積和重量更小。但GaN作為一種新材料器件，要發(fā)揮其真正的優(yōu)勢(shì)，仍需要很多的新的技術(shù)積累來(lái)支撐...
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納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)
增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過(guò)實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場(chǎng)帶來(lái)最高效率和可靠性
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意法半導(dǎo)體發(fā)布MasterGaN參考設(shè)計(jì)并演示250W無(wú)散熱器諧振變換器
意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN的首個(gè)參考設(shè)計(jì)，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，縮短上市時(shí)間。
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第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片研發(fā)成功
據(jù)昨日?qǐng)?bào)道，我國(guó)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，該芯片實(shí)驗(yàn)室來(lái)自重慶郵電大學(xué)。
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博世“芯”動(dòng)力，碳化硅功率芯片和域控制器芯片
在東海汽車(chē)測(cè)試技術(shù)中心舉辦的“2020年博世汽車(chē)與智能交通技術(shù)創(chuàng)新體驗(yàn)日”上，博世特別展示了其碳化硅和智能座艙域控制器解決方案?！安┦?，不僅是一家汽車(chē)零部件公司，同時(shí)也是半導(dǎo)體公司”。
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三菱電機(jī)打造功率半導(dǎo)體行業(yè)“樣本”
“從未對(duì)創(chuàng)新懈怠，保持著一貫的技術(shù)迭代步伐。”這是三菱電機(jī)半導(dǎo)體在60余年的漫長(zhǎng)征程里彰顯出來(lái)的企業(yè)氣質(zhì)。
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富士康要做芯片了，濟(jì)南2019重點(diǎn)項(xiàng)目透露了這些！
在實(shí)體經(jīng)濟(jì)項(xiàng)目中有幾個(gè)重大項(xiàng)目引人注意，包括富士康功率芯片工廠(chǎng)建設(shè)項(xiàng)目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車(chē)模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。
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HOLTEK新推出HT45B0016無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端專(zhuān)用功率芯片
HT45B0016是Holtek公司針對(duì)無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端(TX)開(kāi)發(fā)的二合一半橋功率芯片。內(nèi)建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS，搭配HT66FW2230 / HT66FW2350實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)充電TX完整方案。
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HOLTEK新推出HT45B0016無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端專(zhuān)用功率芯片
HT45B0016是Holtek公司針對(duì)無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端(TX)開(kāi)發(fā)的二合一半橋功率芯片。 內(nèi)建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS，搭配HT66FW2230 / HT66FW2350實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)充電TX完整方案。
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