據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日Infineon在匈牙利采格萊德建立了一家全新的大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測試工廠,目的主要是用于擴充大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能,同時推動世界減排以及新能源汽車的進程。
隨著蘋果新一代的140W氮化鎵(GaN)快充面世,GaN進一步走進了大眾視線。GaN具備超過硅20倍的開關(guān)速度,3倍的禁帶寬度。天然的優(yōu)勢可以讓整體的電源設(shè)計功率密度更高,讓整體電源方案體積和重量更小。但GaN作為一種新材料器件,要發(fā)揮其真正的優(yōu)勢,仍需要很多的新的技術(shù)積累來支撐...
增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性
意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN的首個參考設(shè)計,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,簡化產(chǎn)品設(shè)計,縮短上市時間。
據(jù)昨日報道,我國成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片,該芯片實驗室來自重慶郵電大學(xué)。
在東海汽車測試技術(shù)中心舉辦的“2020年博世汽車與智能交通技術(shù)創(chuàng)新體驗日”上,博世特別展示了其碳化硅和智能座艙域控制器解決方案?!安┦?,不僅是一家汽車零部件公司,同時也是半導(dǎo)體公司”。
“從未對創(chuàng)新懈怠,保持著一貫的技術(shù)迭代步伐?!边@是三菱電機半導(dǎo)體在60余年的漫長征程里彰顯出來的企業(yè)氣質(zhì)。
在實體經(jīng)濟項目中有幾個重大項目引人注意,包括富士康功率芯片工廠建設(shè)項目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目等。
HT45B0016是Holtek公司針對無線充電發(fā)射端(TX)開發(fā)的二合一半橋功率芯片。內(nèi)建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS,搭配HT66FW2230 / HT66FW2350實現(xiàn)無線充電TX完整方案。
HT45B0016是Holtek公司針對無線充電發(fā)射端(TX)開發(fā)的二合一半橋功率芯片。 內(nèi)建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS,搭配HT66FW2230 / HT66FW2350實現(xiàn)無線充電TX完整方案。