功率

基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計(jì)

一文讀懂開關(guān)電源如何配合適的電感

開關(guān)電源的主要部件包括：輸入源、開關(guān)管、儲(chǔ)能電感、控制電路、二極管、負(fù)載和輸出電容。目前絕大部分半導(dǎo)體廠商會(huì)將開關(guān)管、控制電路、二極管集成到一顆CMOS/Bipolar工藝

關(guān)于智能天線的提出、工作原理和分類以及TD-SCDMA在智能天線中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)詳解

智能天線技術(shù)是TD-SCDMA(時(shí)分同步碼分多址)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。文中主要介紹了智能天線的提出、工作原理及分類，并分析了智能天線在TD-SCDMA中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。TD-SCDMA(TIme Di

IGBT是什么_IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理介紹

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的

SiC MOSFET的快速短路檢測(cè)與保護(hù)

功率器件有多種不同的短路模式，其中最嚴(yán)重的一種是橋臂短路，在這種短路模式下，電流迅速上升，同時(shí)器件承受母線電壓。我們需要首先對(duì)這種短路模式下的MOSFET的行為進(jìn)行研

淺談“非主流”光伏技術(shù)（九）：組件和逆變器的搭配

前言：在與很多設(shè)計(jì)院進(jìn)行技術(shù)交流時(shí)發(fā)現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員在逆變器和組件的匹配上還是略顯保守;有的直接按照廠家所謂的“超配”系數(shù)來設(shè)計(jì)組件串并聯(lián)。在筆者看來這樣的

簡(jiǎn)單高效的恒功率驅(qū)動(dòng)IC方案

輕松判斷射頻系統(tǒng)中的功率增益和電壓增益

我聽到越來越多的客戶在問“通過不同負(fù)載阻抗的信號(hào)鏈的增益是如何變化的?”;“當(dāng)以dB測(cè)量時(shí)，電壓增益和功率增益何時(shí)重合?”若你們中的任何人有相同的

SiC功率器件的封裝技術(shù)

具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件的最高工作溫度局限在1

專用示波器和軟件提高開發(fā)測(cè)試效率方案

為了滿足效率和外形尺寸要求，開關(guān)模式電源制造商不斷采用新的半導(dǎo)體和電路拓?fù)?，同時(shí)還須堅(jiān)持遵守更高的電源完整性標(biāo)準(zhǔn)。因此，設(shè)計(jì)人員必須對(duì)開關(guān)模式波形進(jìn)行更為復(fù)雜的

CPLD在基于PCI總線功率模塊設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車載照明保護(hù)與控制

RF FEM如何擴(kuò)大用于IoT短程無(wú)線電系統(tǒng)

低功耗藍(lán)牙和 zigbee 等廣泛使用的 2.45 GHz 短程無(wú)線電系統(tǒng)是特別適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用的成熟技術(shù)。雖然此頻段中的無(wú)線電確實(shí)具有良好的穿墻能力和覆蓋范圍特性，但在某些

DC/DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)原理介紹

當(dāng)今利用現(xiàn)有的組件、參考設(shè)計(jì)、工具和資源來設(shè)計(jì)一個(gè)基礎(chǔ)且好用的DC/DC電源穩(wěn)壓器(或稱為電源轉(zhuǎn)換器)已經(jīng)不是一件難事了，設(shè)計(jì)者需要將合適的控制IC、MOSFET晶體管、驅(qū)動(dòng)電

開關(guān)模式電源電流檢測(cè)—— 第三部分：電流檢測(cè)方法

開關(guān)模式電源有三種常用電流檢測(cè)方法是：使用檢測(cè)電阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，選擇檢測(cè)方法時(shí)應(yīng)予以考慮。檢測(cè)電阻電

IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)

IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和

基于D類功率放大的高效率音頻功率放大器設(shè)計(jì)

一文讀懂有源元件和無(wú)源元件的區(qū)別

簡(jiǎn)單地講就是需能(電)源的器件叫有源器件，無(wú)需能(電)源的器件就是無(wú)源器件。有源器件一般用來信號(hào)放大、變換等，無(wú)源器件用來進(jìn)行信號(hào)傳輸，或者通過方向性進(jìn)行“信號(hào)

Fairchild功率因數(shù)校正智能功率模塊

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業(yè)界首款功率因數(shù)校正 (PFC) 智能功率模塊 (SPM™)，能實(shí)現(xiàn)部分功率因子校正(PSC) 電路拓?fù)?，?-3 kW空調(diào)的理想選擇。通過在功率母線路電流的每個(gè)半周期內(nèi)觸發(fā)I

選區(qū)激光熔化成形過程中不同參數(shù)對(duì)溫度場(chǎng)的影響（一）

選區(qū)激光熔化成形技術(shù)(SelectiveLaser Melting，簡(jiǎn)稱SLM)是近十幾年才發(fā)展起來的新型快速成型(RapidPrototyping)技術(shù)。該技術(shù)能直接制造形狀復(fù)雜、機(jī)械性能良好、高精度、致