LTM®8045 是一款 μModule® (微型模塊) DC/DC 轉(zhuǎn)換器,其可通過簡單地把適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷很壗拥囟渲脼?SEPIC 或負(fù)輸出轉(zhuǎn)換器。在 SEPIC 配置中,經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓
純計數(shù)單位首先,dB 是一個純計數(shù)單位:對于功率,dB = 10*lg(A/B)。對于電壓或電流,dB = 20*lg(A/B).dB的意義其實再簡單不過了,就是把一個很大(后面跟一長串0的)或者很小
隨著電子系統(tǒng)的復(fù)雜性和集成度越來越高,而工作電壓越來越低,電子系統(tǒng)對可靠性、穩(wěn)定性和安全性的要求也越來越高,電路保護(hù)設(shè)計的重要性也越來越強。在電路保護(hù)設(shè)計中,電
AC-DC開關(guān)電源管理芯片,采用原邊反饋和副邊反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),應(yīng)用于適配器、手機充電器等電源供電。其典型規(guī)格包含5V/1A、5V/2A,12V/1A、12V/1.5A、12V2A、19V3.4A等,滿足六
本篇文章從五個方面對 三極管測量經(jīng)驗及技巧進(jìn)行了總結(jié)。在消化了各種三極管的測量方法之后,不妨通過閱讀此篇文章來進(jìn)階自己的技巧。希望大家在閱讀過本篇文章之后能夠有所收獲。
通常來說將交流電能轉(zhuǎn)化為直流電能的過程稱為整流,把整流功能的電路稱為整流電路,把實際整流過程的裝置稱為整流設(shè)備或整流器,與之對應(yīng)的將直流轉(zhuǎn)換為交流電能的過程稱為
患有選擇困難癥的你,決定體驗一把越來越火的卻無從下手?經(jīng)過4S店銷售的一頓狂轟亂炸,你還是搞不懂混合動力汽車有插電式與非插電式之分,還有串聯(lián)式、并聯(lián)式、混聯(lián)式的區(qū)別
6p1+6n2電子管功率放大器電路 推動級用“曙光”6N2,功率放大級用“北京”6P1。機箱:汽車功放的鋁機殼,重達(dá)4kg,非常厚實,對減少外界干擾很有益處
ITO跟有什么關(guān)系?ITO是一種透明的電極材料,具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。目前ITO膜主要是為了提高LED的出光效率。Burstein-Moss效
功率是能量被消耗的速率,這在十年前還不是熱門,但今天已是一個重要的設(shè)計考量。系統(tǒng)的能耗會帶來熱量、耗盡電池、增加電能分配網(wǎng)絡(luò)的壓力,并且加大成本。移動計算的發(fā)展最先推動了對降低能耗的期望,但能耗的效應(yīng)現(xiàn)在已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出這個范圍,可能在業(yè)界帶來一些最大的結(jié)構(gòu)性變化。
直流穩(wěn)壓電源已廣泛地應(yīng)用于許多工業(yè)領(lǐng)域中。在工業(yè)生產(chǎn)中(如電焊、電鍍或直流電機的調(diào)速等),需要用到大量的電壓可調(diào)的直流電源,他們一般都要求有可以方便的調(diào)節(jié)電壓輸出
5月3日,德國照明大廠歐司朗發(fā)布2017財年第二季度業(yè)績報告,2017年1-3月實現(xiàn)營收10.5億歐元(折合人民幣78.97億元),比上年同期增長約為10%。在半導(dǎo)體照明飛速發(fā)展的今天,L
功率器件MOSFET作為一種在開關(guān)電源新產(chǎn)品研發(fā)過程中不可或缺的重要元件,歷來是新人工程師開始接觸電源設(shè)計時的學(xué)習(xí)重點之一,而弄清楚MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷過程則是重中之重。本文將會就功率MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷過程進(jìn)行詳細(xì)分析和總結(jié)。
背板作為晶硅的關(guān)鍵部件,對組件的安全性、使用壽命和降低功率衰減起著至關(guān)重要的作用。要達(dá)到保護(hù)電池片的目的,背板必須具備良好的機械強度與韌性、耐候性、絕緣、水汽阻
概述單端變換器的磁復(fù)位技術(shù)使用單端隔離變壓器之后,變壓器磁芯如何在每個脈動工作磁通之后都能恢復(fù)到磁通起始值,這是產(chǎn)生的新問題,稱為去磁復(fù)位問題。因為線圈通過的是
作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技
電壓駐波比(VSWR)是射頻技術(shù)中最常用的參數(shù),用來衡量部件之間的匹配是否良好。當(dāng)業(yè)余無線電愛好者進(jìn)行聯(lián)絡(luò)時,當(dāng)然首先會想到測量一下天線系統(tǒng)的駐波比是否接近1:1,如果接
晶振的老搭檔負(fù)載電容分為C1和C2兩個貼片電容,負(fù)載電容的作用就是消減其他雜波所帶來的干擾,從而提高電路的穩(wěn)定性。大家在選擇負(fù)載電容時,可以按照電容的具體大小計算公
TO/SOT封裝的功率電阻已經(jīng)被廣泛的使用于汽車電子,新能源,電力等場合。相比較傳統(tǒng)的線繞電阻,TO/SOT封裝的電阻具有小體積和無感的特性。大部分TO/SOT封裝的電阻都采用厚
(一)富鋰材料負(fù)極材料近年來發(fā)展很快,例如傳統(tǒng)的晶體硅負(fù)極和氧化亞硅負(fù)極,比容量可以突破1000mAh/g以上,相比之下,正極材料發(fā)展相對較為緩慢,目前較為成熟的NCA和NCM三