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DFN系列電阻網(wǎng)絡和分壓電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，
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新一代超級結MOSFET-SupreMOS（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應用的設計人員帶來SupreMOS™新一代600V超級結MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有1
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基于ATL技術原理圖解析器的開發(fā)
提出了一種以ATL(活動模板庫)技術為平臺的原理圖文件解析器的系統(tǒng)架構及設計方法。在該系統(tǒng)中，使用ATL技術封裝了原理圖文件解析的全過程，并將原理圖數(shù)據(jù)資源按照COM(組件對象模型)接口的要求進行了組織，使得解析器以一個COM組件的形式向客戶程序提供服務。
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FPGA：65nm器件上量低功耗市場興起
隨著65nm工藝的應用以及更多低功耗技術的采用，F(xiàn)PGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量，具備進入更廣泛市場的條件。FPGA從業(yè)者表示，今年FPGA快速增長，而預計明年仍將是一個增長年。比拼65nm器件加
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4款新的30V肖特基勢壘二極管（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。
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中國發(fā)展OLED產(chǎn)業(yè) 急需開放式的平臺
OLED(有機發(fā)光二極管)技術可謂是全球最耀眼的平板顯示技術之一。目前，OLED產(chǎn)業(yè)不僅是四川長虹發(fā)展的戰(zhàn)略重點，更是四川省平板顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略重點之一。四川虹視顯示技術有限公司成立于2008年1月，位于成都市高新
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V系列并口256Kb F-RAM器件（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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新款PNM系列精密無磁薄膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款PNM系列精密無磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標準TCR，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的
