存儲器
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國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江
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嵌入式存儲器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
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新形ReRAM存儲器帶來低能耗設(shè)計
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)通過廣泛的應(yīng)用，如智能家庭，智能樓宇，智能工廠以及智慧城市，將所有的設(shè)備和人們彼此互聯(lián)互通，因而具備了驅(qū)動價值數(shù)萬億美金應(yīng)用的巨大潛力。摩爾定律在開創(chuàng)更快速、更小巧、更低廉的設(shè)備方面仍然發(fā)揮著作用。其它先進技術(shù)，諸如可以將各種微小的傳感器和基于云端應(yīng)用互聯(lián)的低功耗、低成本的通信系統(tǒng)，開創(chuàng)了從信息共享方式中收獲頗豐的新型商業(yè)模式。然而，這也面臨著諸多障礙。
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存儲器和儲存有什么不同？
目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD)，但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字數(shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強大的成長態(tài)勢，2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
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NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出，繼移動裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲器廠積極擴增產(chǎn)能，并以儲存型(NAND Flash)為主要爭戰(zhàn)焦點。
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ARM平臺數(shù)據(jù)突然丟失的原因是什么
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。
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52單片機存儲器的擴展
STC89C52RC是STC公司生產(chǎn)的一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K字節(jié)系統(tǒng)可編程Flash存儲器。STC89C52使用經(jīng)典的MCS-51內(nèi)核，但是做了很多的改進使得芯片具有傳統(tǒng)51單
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對于早期、現(xiàn)在和未來存儲器的詳細解析
如今，我們電腦上常用的存儲設(shè)備容量基本都是幾百G。即便是小巧的MP3播放器和其他手持設(shè)備，通常都是好幾G。但在幾十年前，這么大的存儲量只能在科幻小說中出現(xiàn)。有時候，我
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。
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三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展
三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強化在非存儲器的
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清華大學(xué)論文：攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲器
12月2-6日，第63屆國際電子器件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國加州舊金山舉行。下面就隨手機便攜下半夜不起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。清華大學(xué)微
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美光起訴晉華，對中國存儲器的專利戰(zhàn)開始了？
像紫光集團等中國記憶體新貴在與三星、海力士和美光等記憶體三巨頭真正于市場上較量之前，很可能得先在法庭上打一場專利訴訟戰(zhàn)…
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三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲器SOC及代工業(yè)務(wù)發(fā)展
近日消息，根據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，三星即將在12月19日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強化在非存儲器的SOC(系統(tǒng)芯片)及代
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中國存儲器芯片市場風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”？
隨著全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來高速發(fā)展契機。值此背景之下，其上游存儲器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期，作為生產(chǎn)、消費大國的中國，自然首
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TMS320C6678 存儲器訪問性能（下）
本文作者：德州儀器 馮華亮1. DMA 訪問存儲器的性能EDMA3 架構(gòu)支持很多功能，可以實現(xiàn)高效的并行數(shù)據(jù)傳輸。本節(jié)討論影響它性能的很多因素，如存儲器類型，地址偏移等。1.1
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TMS320C6678 存儲器訪問性能 （上）
作者：德州儀器 馮華亮摘要TMS320C6678 有8 個C66x 核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一個
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PLC的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
作為一種工業(yè)控制的計算機，plc和普通計算機有著相似的結(jié)構(gòu);但是由于使用場合、目的不同，在結(jié)構(gòu)上又有一些差別。1.PLC的硬件組成PLC硬件系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)如下PLC的主機由CPU、存儲器(EPROM、RAM)、輸入/輸出單元、外設(shè)
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MikroElektronika 的 Click Board 板卡采用賽普拉斯 F-RAM 存儲器實現(xiàn)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的任務(wù)關(guān)鍵型數(shù)據(jù)捕獲
賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克代碼：CY)近日宣布嵌入式系統(tǒng)零售商 MikroElektronika (MikroE) 在其最新的帶有 mikroBUS™ 接口的 Click Board™ 板卡中采用了賽普拉斯 4-Mb 串行鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM™) 。
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紫光將投資300億美元打造紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
總投資300億元美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目正式宣布開工。這是紫光集團繼2016年12月30日武漢長江存儲項目開工后，時隔42天又一重大項目拓土動工。
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存儲器漲價，并不是誰的錯
存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預(yù)計，2016~2022年整個存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價格上漲，導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤!
