作者:Reuben George當(dāng)今,物聯(lián)網(wǎng)(IoT)已對所有行業(yè)產(chǎn)生了影響,而且有望到2020年成為一個(gè)1.7萬億美元的市場。IoT領(lǐng)域建立在云計(jì)算以及由移動(dòng)、虛擬和即時(shí)連接搭建的數(shù)據(jù)采
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM),可利用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細(xì)
作者:王鑫,王烈洋,占連樣,陳像,張水蘋,湯凡,黃小琥,李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機(jī)器(SRAM)用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取
進(jìn)入下半年,形勢已經(jīng)很明朗,全球集成電路行業(yè)將在2017年迎來大豐收,與年初相比,市場調(diào)研機(jī)構(gòu)給出的最新預(yù)測都大幅上調(diào)了增長預(yù)期。IC Insights在最新預(yù)測中就表示,20
在當(dāng)今競爭激烈的形勢下,使富含嵌入式軟件的復(fù)雜電子設(shè)備更快面市,但是同時(shí)確保其更便宜更可靠,是一種相當(dāng)冒險(xiǎn)的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計(jì)不可避免地導(dǎo)致返工,增加
在當(dāng)今競爭激烈的形勢下,使富含嵌入式軟件的復(fù)雜電子設(shè)備更快面市,但是同時(shí)確保其更便宜更可靠,是一種相當(dāng)冒險(xiǎn)的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計(jì)不可避免地導(dǎo)致返工,增加
如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中,我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫入一次呢? 將參數(shù)存
當(dāng)人們提到安防網(wǎng)絡(luò)化應(yīng)用時(shí)大多想到的是網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控?cái)z像機(jī),其實(shí)監(jiān)控系統(tǒng)的構(gòu)成不僅限于前端產(chǎn)品,若沒有后端的存儲(chǔ)設(shè)備,那么龐大的圖像數(shù)據(jù)也只能成“浮云”。與
IDC曾作出預(yù)測,在未來將會(huì)有更多的新應(yīng)用是對云環(huán)境而特別設(shè)計(jì)的,而這些虛擬化和云應(yīng)用的敏捷性需要通過多個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)連為一體而實(shí)現(xiàn)。所謂存儲(chǔ)聯(lián)合,可減化額外的虛擬化設(shè)
為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…,等等,問了那么多為什么,那我反問一個(gè)問題:你了解Nand Flash的特
隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及,以及手機(jī)處理器性能的提升,eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲(chǔ)存(UFS)規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。在高
在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯
全球數(shù)據(jù)量的猛增使得存儲(chǔ)日益成為一個(gè)更獨(dú)立的專業(yè)問題,越來越多的企業(yè)開始將存儲(chǔ)作為單獨(dú)的項(xiàng)目進(jìn)行管理。同時(shí),持續(xù)增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)壓力帶動(dòng)著整個(gè)存儲(chǔ)市場的快速發(fā)展。
自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來越高。雖然這不是一個(gè)新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
1、主存儲(chǔ)器概述(1)主存儲(chǔ)器的兩個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)◎讀寫速度:常常用存儲(chǔ)周期來度量,存儲(chǔ)周期是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(如讀操作)所必需的時(shí)間間隔。◎存儲(chǔ)容量:通常
一般而言,存儲(chǔ)虛擬化的實(shí)現(xiàn)方式通常分為三種:交換架構(gòu)虛擬化,磁盤陣列虛擬化,以及整合到應(yīng)用設(shè)備內(nèi)的虛擬化。對于三種不同的虛擬化方式,存儲(chǔ)供應(yīng)商都有各自的獨(dú)門兵器
近期臺(tái)積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用22nm工藝。這種次世代存儲(chǔ)將能夠?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算電腦和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快和耗電更低的存儲(chǔ)效能。臺(tái)積電此舉讓嵌入式存儲(chǔ)器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生。
VSS (Volume Shadow copy Service, 卷映射拷貝服務(wù)),最初是在Windows Server 2003 SP1中引入的存儲(chǔ)技術(shù)。它通過在卷管理模塊上加入快照功能,在此基礎(chǔ)上就可以創(chuàng)建基于時(shí)