根據(jù)預測,2023 年人類數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將會超過 103 個 ZB(數(shù)據(jù)單位量級 GB\\TB\\PB\\EB\\ZB)!全球內(nèi)存市場幾年前價格瘋漲對于 IT 產(chǎn)業(yè)業(yè)者大概仍然心有余悸!隨著這場“芯片戰(zhàn)
富士通電子亞太區(qū)產(chǎn)品管理部總經(jīng)理王鈺在以往公開采訪中表示,富士通正在加快元器件代理商的轉(zhuǎn)變,并積極開拓新的產(chǎn)品線以完善目前的元器件產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。面對不斷增長的氮化鎵功率、車載電子、裸眼3D等新興市場與創(chuàng)新應(yīng)用,富士通在增強自主研發(fā)實力之外,正以獨家代理、分銷、共同研發(fā)等合作方式擴大自身的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與市場影響力,在筆者看來,這正是富士通獨特的“破局之道”!
京超算今年8月份就要退役了,接替它的是富士通、RIKEN聯(lián)合研發(fā)的Post-K超算,目標是百億億次性能,為此富士通開發(fā)了7nm 52核架構(gòu)的A64FX處理器,雙精度浮點性能可達2.7TFLOPS。
FRAM的非易失性對于當時業(yè)界可以說是顛覆性的,存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲信息的特性,這意味著電路中無須加入后備電池,仍可在偶發(fā)斷電時保存重要數(shù)據(jù),因此一經(jīng)推出即備受關(guān)注。
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大
上海,2012年7月23日富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出面向便攜設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器MB39C326,可通過自動切換降壓/升壓工作模式來擴大工作電壓范圍。MB39C326通過內(nèi)
在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現(xiàn)場,聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺格外亮眼,而引發(fā)這場圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機存儲器(FRAM)。