數(shù)據(jù)存儲

北京恒頤嵌入式大容量數(shù)據(jù)存儲解決方案

PIC單片機A/D轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)存儲及串口效率

Microchip低檔單片機新增閃存數(shù)據(jù)存儲

stm32掉電前的數(shù)據(jù)存儲到flash

FLASh 必須是先擦 后 寫下面的函數(shù)是分析案例void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 flashdata1){FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;FLASH_Unlock();//解鎖FLASH編程擦除控制器// FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG

PIC單片機AD轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)存儲及串口效率

PIC 單片機A/D 轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)通常需要占用兩個8 位寬的RAM 單元, 而PIC 單片機的存儲單元有限,因此造成了單片機的存儲單元不能被有效利用, 同時通過串口向上位機傳送數(shù)據(jù)時也

SAR高速海量數(shù)據(jù)存儲與回放系統(tǒng)設(shè)計

云存儲管理的關(guān)鍵：存儲虛擬化

全球的數(shù)據(jù)存儲量正在以不可預(yù)測并且加倍的速度在增長。隨著企業(yè)在快速增長的情況下努力提升存儲性能，一些企業(yè)開始尋找云存儲服務(wù)作為一個解決方案。這顯然對于云提供商是一個機遇，但是他們也同樣要面對云存儲管理上的問題和淹沒在泛濫的數(shù)據(jù)中的風險。對于那些想要保留全部數(shù)據(jù)的客戶，在成本和容量管理之間取得恰當?shù)钠胶饪赡苁菢O其困難的;同時，不斷增長并調(diào)整的歸檔和分析數(shù)據(jù)的需求使企業(yè)必須保存更長時間的數(shù)據(jù)。

基于X24C45芯片的非易失性數(shù)據(jù)存儲設(shè)計

在智能化電子產(chǎn)品的設(shè)計過程中,經(jīng)常會遇到一些重要數(shù)據(jù)的非易失性保存問題。早期普遍采用的是電池維持RAM供電以實現(xiàn)整機掉電后的數(shù)據(jù)保存。但這樣做會由于電池本身的原因,如

詳解如何利用FPGA與SRAM設(shè)計大容量數(shù)據(jù)存儲

　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設(shè)計的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2 硬件設(shè)計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS6

2018年全球半導(dǎo)體預(yù)估市場規(guī)模將成長10.1%

資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)表示，觀測全球資訊系統(tǒng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢，全球資訊系統(tǒng)市場長期停滯，然2018年受惠于商用換機需求，全球電腦市場持平;展望2019年，在商用換機需求趨緩與貿(mào)易保護政策等影響下，全球電腦系統(tǒng)市場微幅衰退;服務(wù)器市場則受惠于AI新興應(yīng)用帶動的數(shù)據(jù)儲存與運算需求而呈現(xiàn)增長，然因缺乏平臺換機題材，年增率將略減低。

未來的數(shù)據(jù)存儲仍靠磁帶，為什么？

世界大部分的數(shù)據(jù)仍然保存在磁帶上，包括基礎(chǔ)科學(xué)如粒子物理學(xué)和射電天文學(xué)，文化遺產(chǎn)和國家檔案，電影，金融、保險和石油勘探等。

未來物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中的無故障數(shù)據(jù)存儲

幾十年來，遠程控制節(jié)點的基本架構(gòu)都是由控制器、傳感器、本地存儲器、網(wǎng)絡(luò)連接接口和電池組成。這一架構(gòu)廣泛應(yīng)用于實際操作所控制的系統(tǒng)中。在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，控制器以不同速率監(jiān)控多個傳感器，將已標記時間的傳感器數(shù)據(jù)保存在本地或擴展存儲器內(nèi)，然后通過ProfiBus等工業(yè)標準總線傳輸數(shù)據(jù)。在高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)或車輛事件記錄器(EDR)中，多個MCU能夠同時采集、控制汽車電子系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，從而提供優(yōu)質(zhì)的駕駛體驗與無故障的數(shù)據(jù)保障。醫(yī)療系統(tǒng)也有類似的應(yīng)用：通過傳感器獲得的關(guān)鍵患者數(shù)據(jù)，將被存儲在本地，或者定期上傳進行集中存儲。

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法

NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法。

單片機中C語言的程序與數(shù)據(jù)存儲

一、五大內(nèi)存分區(qū)：內(nèi)存分成5個區(qū)，它們分別是堆、棧、自由存儲區(qū)、全局/靜態(tài)存儲區(qū)和常量存儲區(qū)。1、棧區(qū)(stack)：FIFO就是那些由編譯器在需要的時候分配，在不需要的時候自動清除的變量的存儲區(qū)。里面的變量通常是

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲

LabVIEW的主要數(shù)據(jù)存儲方式

在使用NI產(chǎn)品進行數(shù)據(jù)過程中遇到過很多的問題，其中數(shù)據(jù)采集和保存的方式是一個很重要的，關(guān)系到我們實驗的結(jié)果。LabVIEW提供三種比較常用的波形數(shù)據(jù)存儲方式，分別是bin，txt,tdms。前兩種數(shù)據(jù)可能大家都比較熟悉也

stm32數(shù)據(jù)存儲

大端模式：數(shù)據(jù)高字節(jié)保存在內(nèi)存低地址，數(shù)據(jù)低字節(jié)保存在內(nèi)存高地址；小端模式：數(shù)據(jù)高字節(jié)保存在內(nèi)存高地址，數(shù)據(jù)低字節(jié)保存在內(nèi)存低地址；stm32默認小端存儲，如下圖：volatile float f = -0.1; vol

嵌入式系統(tǒng)海量數(shù)據(jù)存儲設(shè)計新思路

　　在“計算機接口技術(shù)”教學(xué)中, 有關(guān)硬磁盤接口適配器這一章比較難學(xué), 主要涉及到I?O 控制層對扇區(qū)讀寫和使用邏輯映射層對數(shù)據(jù)進行管理問題,內(nèi)容比較抽象, 教師和學(xué)生只能憑想象去教與學(xué)。筆者在科研

IDC對未來三年數(shù)據(jù)中心的十大趨勢預(yù)測

未來的數(shù)據(jù)中心業(yè)界或?qū)崿F(xiàn)更加智能的基礎(chǔ)設(shè)施、更為合理化的工作負載、以及全球范圍內(nèi)隨時可調(diào)用的數(shù)據(jù)中心即服務(wù)采購模式。

一文讀懂處理器流水線

本文將討論處理器的一個重要的基礎(chǔ)知識：“流水線”。熟悉計算機體系結(jié)構(gòu)的讀者一定知道，言及處理器微架構(gòu)，幾乎必談其流水線。處理器的流水線結(jié)構(gòu)是處理器微架構(gòu)最基本的一個要素，猶如汽車底盤對于汽車一般具有基石性的作用，它承載并決定了處理器其他微架構(gòu)的細節(jié)。本文將簡要介紹處理器的一些常見流水線結(jié)構(gòu)，讓您真正讀懂處理器流水線。