從 2030 年起,新型存儲技術(shù)有望進(jìn)入內(nèi)存路線圖,在延遲/生產(chǎn)力空間中補(bǔ)充 3D NAND 閃存、硬盤驅(qū)動器 (HDD) 和磁帶。本文介紹了兩種新的基于液體的存儲概念:膠體和電石存儲器。我們解釋了基本操作原理,展示了第一個實驗結(jié)果,并強(qiáng)調(diào)了它們在未來近線存儲應(yīng)用中的潛力。這些液態(tài)記憶最近在 2022 年國際記憶研討會 (IMW) 的一篇受邀論文中提出。
ST首款邊緣AI通用MCU震撼登場, 設(shè)計創(chuàng)意DIY解鎖你的AI芯片創(chuàng)想力
vim從入門到精通第01季:基礎(chǔ)命令入門
明德?lián)PPCIE視頻教程
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(5)
跟我學(xué)DC-DC電源管理技術(shù)——第二章,DC-DC的工程實踐
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com 電話:010-82165003 )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號