兩個(gè)百億美金級(jí)大項(xiàng)目開(kāi)工,有力的打消了外界對(duì)紫光集團(tuán)到處圈地的揣測(cè)和懷疑。圈地謠言不攻自破。更驗(yàn)證了今年初,趙偉國(guó)在深圳CITE2018上的豪言:復(fù)制兩個(gè)武漢新芯,趙偉國(guó)重磅宣布!
中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢(shì)、劣勢(shì)是什么?半導(dǎo)體是一個(gè)重資金、重技術(shù)的行業(yè),國(guó)內(nèi)有強(qiáng)大的市場(chǎng)需求,也有資金投入,但是缺人才、缺技術(shù),甚至可以說(shuō)技術(shù)=人才,沒(méi)人才就沒(méi)技術(shù)。現(xiàn)在中國(guó)的芯片技術(shù)人才也出頭了,武
繼紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后,紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢新芯)宣布,聘請(qǐng)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官(CEO)。孫世
8月28日,繼紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后,紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢新芯)宣布,聘請(qǐng)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官(C
武漢電子集成線路制造場(chǎng)二期工程舉行設(shè)備搬入儀式,這預(yù)示著預(yù)示著武漢新芯二期項(xiàng)目從廠房建設(shè)階段進(jìn)入試生產(chǎn)、投產(chǎn)階段。
你知道每年中國(guó)進(jìn)口的商品當(dāng)中,哪一項(xiàng)是花錢最多的嗎?糧食?原油?機(jī)械設(shè)備?都不是!中國(guó)在一種體積很小的產(chǎn)品上花掉的錢遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)那些大宗商品,這種產(chǎn)品就是——芯片。僅2016年1月份到10月份,中國(guó)在進(jìn)口芯片上一共花費(fèi)了1.2萬(wàn)億人民幣,是花費(fèi)在原油進(jìn)口上的兩倍。2017年中國(guó)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到千億美元,占全球芯片市場(chǎng)50%以上。
對(duì)于中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。相信,在紫光集團(tuán)與武漢新芯攜手之后,將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來(lái)源美光的談判優(yōu)勢(shì),一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。
據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)知情人士透露,中國(guó)兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起,以期強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,打造出實(shí)力更強(qiáng)的技術(shù)公司,縮小與西方國(guó)家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱,一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團(tuán)已
據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)知情人士透露,中國(guó)兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起,以期強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,打造出實(shí)力更強(qiáng)的技術(shù)公司,縮小與西方國(guó)家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱,一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團(tuán)已
國(guó)內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體不差錢也不怕市場(chǎng)不夠,但技術(shù)和人才是繞不過(guò)去的兩個(gè)坎,現(xiàn)在也引起了海外投資及國(guó)內(nèi)自主兩大派系的興趣。今天國(guó)內(nèi)有2座12英寸晶圓廠同時(shí)動(dòng)工,一個(gè)是武漢新芯為代表的國(guó)產(chǎn)自主力量,另一邊則是臺(tái)積電在南京投資的12英寸晶圓廠。
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)
近日,武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC),一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商,今日宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展,第一個(gè)具有9層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)存儲(chǔ)器