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穩(wěn)！南京后，紫光成都再開工！四川省委加持！
兩個百億美金級大項目開工，有力的打消了外界對紫光集團到處圈地的揣測和懷疑。圈地謠言不攻自破。更驗證了今年初，趙偉國在深圳CITE2018上的豪言：復(fù)制兩個武漢新芯，趙偉國重磅宣布！
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武漢新芯芯片工程師獲“武漢工匠” 獎金30萬元
中國發(fā)展半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢、劣勢是什么？半導(dǎo)體是一個重資金、重技術(shù)的行業(yè)，國內(nèi)有強大的市場需求，也有資金投入，但是缺人才、缺技術(shù)，甚至可以說技術(shù)=人才，沒人才就沒技術(shù)。現(xiàn)在中國的芯片技術(shù)人才也出頭了，武
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由孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO
繼紫光集團宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱武漢新芯）宣布，聘請紫光集團全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）。孫世
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紫光再換高管：孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO
8月28日，繼紫光集團宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱武漢新芯）宣布，聘請紫光集團全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（C
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武漢新芯二期項目設(shè)備已搬入，進(jìn)入試產(chǎn)、投產(chǎn)階段！
武漢電子集成線路制造場二期工程舉行設(shè)備搬入儀式，這預(yù)示著預(yù)示著武漢新芯二期項目從廠房建設(shè)階段進(jìn)入試生產(chǎn)、投產(chǎn)階段。
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國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠(yuǎn)
你知道每年中國進(jìn)口的商品當(dāng)中，哪一項是花錢最多的嗎?糧食?原油?機械設(shè)備?都不是!中國在一種體積很小的產(chǎn)品上花掉的錢遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過那些大宗商品，這種產(chǎn)品就是——芯片。僅2016年1月份到10月份，中國在進(jìn)口芯片上一共花費了1.2萬億人民幣，是花費在原油進(jìn)口上的兩倍。2017年中國芯片市場規(guī)模達(dá)到千億美元，占全球芯片市場50%以上。
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嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——紫光攜手武漢新芯共創(chuàng)長江存儲
對于中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來源美光的談判優(yōu)勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。
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強強聯(lián)手，清華紫光并購武漢新芯
據(jù)外媒報道，據(jù)知情人士透露，中國兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起，以期強強聯(lián)手，打造出實力更強的技術(shù)公司，縮小與西方國家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱，一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團已
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收購美商美光失敗，清華紫光轉(zhuǎn)戰(zhàn)國內(nèi)廠商武漢新芯
據(jù)外媒報道，據(jù)知情人士透露，中國兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起，以期強強聯(lián)手，打造出實力更強的技術(shù)公司，縮小與西方國家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱，一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團已
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武漢新芯/臺積電南京廠同時動工 兩大派爭搶半導(dǎo)體市場
國內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體不差錢也不怕市場不夠，但技術(shù)和人才是繞不過去的兩個坎，現(xiàn)在也引起了海外投資及國內(nèi)自主兩大派系的興趣。今天國內(nèi)有2座12英寸晶圓廠同時動工，一個是武漢新芯為代表的國產(chǎn)自主力量，另一邊則是臺積電在南京投資的12英寸晶圓廠。
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武漢新芯進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，建12寸DRAM廠
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。這是繼紫光集團進(jìn)軍記憶體領(lǐng)
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武漢新芯：自主3D NAND研制成功，全靠“產(chǎn)學(xué)研用”
近日，武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商，今日宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，第一個具有9層結(jié)構(gòu)的存儲測試芯片通過存儲器
