嚴峻挑戰(zhàn)——紫光攜手武漢新芯共創(chuàng)長江存儲

 對于中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。此前，武漢新芯在NAND Flash上有所布局，包括與Spansionw合作開發(fā)及專利交叉授權(quán)3D-NAND Flash技術(shù)。業(yè)界傳出的消息為，正在開發(fā)32層堆疊的3D NAND，計劃2018年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。此外也有消息稱，與美光洽談技術(shù)授權(quán)，甚至稱有可能采取類似美光與華亞科合作的模式(美光技術(shù)授權(quán)，并包下華亞科所有產(chǎn)能)。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來源美光的談判優(yōu)勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。

紫光集團與武漢新芯攜手的傳聞終于落地。根據(jù)近日雙方發(fā)布的消息，由紫光集團和武漢新芯聯(lián)手組建的長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)已于7月26日注冊成立。這意味著中國最大的存儲產(chǎn)業(yè)基地初見雛形。對此事件業(yè)界反響普遍持正面態(tài)度。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長魏少軍認為，從目前的股權(quán)安排來看，可以說既照顧了武漢新芯的現(xiàn)有狀況，也兼顧了未來發(fā)展需要，既有利于發(fā)揮“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的政策主導(dǎo)性作用，也可以充分發(fā)揮紫光集團的市場化作用。

然而，長江存儲未來將要面臨的挑戰(zhàn)仍然嚴峻，包括國際競爭環(huán)境，國內(nèi)的市場接受度等，特別是在存儲器產(chǎn)品的開發(fā)生產(chǎn)、專利技術(shù)的獲得以及市場競爭等關(guān)乎企業(yè)未來成敗的幾個方面，新公司將會如何應(yīng)對呢?

3D NAND +DRAM，產(chǎn)業(yè)鏈整合值得觀察

“長江存儲”成立的消息近來已在業(yè)內(nèi)持續(xù)發(fā)酵，業(yè)界關(guān)注的重點首先仍在存儲產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)上。畢竟這是一家企業(yè)生存發(fā)展的基礎(chǔ)。

對此，研究機構(gòu)DRAMeXchanGE研究協(xié)理楊文得指出，中國廠商近一年來通過布局閃存產(chǎn)業(yè)所展現(xiàn)的規(guī)劃力、執(zhí)行力與彈性均不容小覷，武漢新芯原為NOR 閃存生產(chǎn)廠，在生產(chǎn)經(jīng)驗、廠房與產(chǎn)能建置等基礎(chǔ)建設(shè)領(lǐng)域有所擅長，而紫光集團則在資金募集及國際合作等方面有過人之處。通過兩強攜手整合資源，能使中國閃存產(chǎn)業(yè)投資的整體資源分配更加集中，有助于中國建立產(chǎn)業(yè)自主性。

如果進一步分析可以發(fā)現(xiàn)，武漢新芯在3D NAND上已表現(xiàn)出一定技術(shù)實力。武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長陳少民此前接受記者采訪時表示，2015年武漢新芯已經(jīng)在3D NAND開發(fā)上取得進展，具有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲器芯片下線。他們有信心在2018年存儲器基地項目量產(chǎn)時，推出具有市場競爭力的產(chǎn)品。

而根據(jù)武漢新芯今年3月啟動“國家存儲器項目”時發(fā)布的發(fā)展規(guī)劃，2020年產(chǎn)能目標為30萬片/月，其中3D NAND 20萬片/月、DRAM 10萬片/月。

對此，Gartner研究總監(jiān)盛陵海表示，如果武漢新芯在3D NAND上有一定基礎(chǔ)的話，紫光進入有可能使新公司在DRAM上取得一定進展。紫光集團2015年收購了國內(nèi)唯一一家DRAM設(shè)計公司西安華芯，同時我國臺灣地區(qū)存儲器生產(chǎn)廠華亞科前董事長高啟全亦加入了紫光集團。

此外，有關(guān)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的整合也將是一個看點。紫光集團此前已經(jīng)在存儲產(chǎn)業(yè)鏈方面進行了一定布局，2015年斥資71億元人民幣成為紫光國芯的控股股東。紫光國芯除擁有FPGA、智能卡和安全芯片等傳統(tǒng)市場外，也是紫光集團進入存儲芯片領(lǐng)域的平臺。下一步紫光集團如何將此前的產(chǎn)業(yè)鏈布局與武漢新芯的晶圓制造整合，值得觀察。

與美光合作，“華亞科模式”并非最優(yōu)選擇

對于中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。此前，武漢新芯在NAND Flash上有所布局，包括與Spansionw合作開發(fā)及專利交叉授權(quán)3D-NAND Flash技術(shù)。業(yè)界傳出的消息為，正在開發(fā)32層堆疊的3D NAND，計劃2018年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。此外也有消息稱，與美光洽談技術(shù)授權(quán)，甚至稱有可能采取類似美光與華亞科合作的模式(美光技術(shù)授權(quán)，并包下華亞科所有產(chǎn)能)。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來源美光的談判優(yōu)勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。

但是，盛陵海卻表示，對中國企業(yè)來說，其實“華亞科模式”并不是最優(yōu)選擇。中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，強調(diào)的是自主可控。而華亞科模式在短期內(nèi)雖然有助于企業(yè)在市場上較快立足，但是從長遠來看，也會限制企業(yè)的成長。半導(dǎo)體專家莫大康在接受記者采訪時也表示，不傾向于采用“華亞科模式”。中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，應(yīng)當更加強調(diào)自主創(chuàng)新。

產(chǎn)能擴張，市場因素為成敗關(guān)鍵

如果資金與技術(shù)能夠跟上，存儲器產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)其實并沒有太大懸念，最關(guān)鍵仍是未來生產(chǎn)出的產(chǎn)品與價格能否為市場所接受。根據(jù)陳少民的估算：“每個晶圓片可切割芯片700顆～800顆。如果按月產(chǎn)能20萬片計算，屆時武漢新芯的產(chǎn)能約占全球市場的11%～13%。”如果不計算紫光加入帶來的變化因素，僅按這個市場目標，是頗具雄心的。

值得注意的是，近幾個月以來，國際半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)紛紛加碼投資先進存儲芯片項目。在NAND Flash方面，三星除西安廠的投資外，韓國平澤廠區(qū)也規(guī)劃新的3D NAND Flash產(chǎn)能。東芝電子與閃迪(SanDISk)在日本Fab2廠的產(chǎn)能持續(xù)增加，新廠可望在2018年下半年投產(chǎn)最新制程的3D NAND。SK海力士則除現(xiàn)階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D NAND的生產(chǎn)也將從明年第一季度開始進行。如果加上武漢新芯2017年年底至2018年量產(chǎn)的3D NAND，未來，全球在3DNAND的大戰(zhàn)看似己不可避免。

魏少軍在接受媒體采訪時曾談到“在長江存儲啟動投資后三年左右的時間，將是大家最難受的時候”，其中所指的正是這個產(chǎn)品生產(chǎn)出來并推向市場的關(guān)鍵時期。屆時，必然會有一場激烈的市場爭奪。“在這種情況下，紫光集團與武漢新芯兩強攜手，有利于渡過這個難關(guān)。這包括紫光集團在資金募集方面的能力。同時，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金應(yīng)當發(fā)揮政策主導(dǎo)性的作用。”莫大康指出。

此外，根據(jù)DRAMeXchanGE數(shù)據(jù)，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)方面，2011年至2016年NAND Flash需求的年復(fù)合增長率高達47%。而受益于3D NAND Flash的制程升級加速，SSD的價格開始滑落到廠商的甜蜜點，SSD在筆記本電腦的滲透率在2018年全年度將超過50%，而服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心等級的固態(tài)硬盤也將以每年20%的增長率快速增長。在SSD的帶動下，NAND Flash的需求量可望在未來10年內(nèi)維持強勁的增長態(tài)勢。市場增長也利于產(chǎn)能的消化，有助于中國存儲企業(yè)的立足與發(fā)展。