氮化鎵(GaN)

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  • GaN 器件如何提高諧振轉換器效率

    隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非傳統(tǒng)的半導體材料，尤其是寬帶隙(WBG)半導體，例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因為寬帶隙材料具有相對寬的帶隙(與常用的硅相比)，所以寬帶隙器件可以在高電壓，高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。

  • 集成氮化鎵(GaN) 功率 FET正在改變傳統(tǒng)電源方案

    作為一名電力電子工程師，有句話說得好，沒有從電力設備爆炸中吸取的教訓，就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關模式電源的經(jīng)驗中，這似乎是正確的。通過反復試驗和對設備故障的研究，我們可以學習如何設計可靠工作的轉換器。