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單片式整合氮化鎵芯片即將推出，imec為提升功率電路性能拼了
3月22日消息，比利時(shí)微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺(tái)上，整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺(tái)以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成，此次研發(fā)成功整合多個(gè)GaN元件，將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能，推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動(dòng)能，進(jìn)一步縮小元件尺寸與提高運(yùn)作效率。
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Transphorm氮化鎵芯片廠商普通股成功轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克資本市場(chǎng)
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準(zhǔn)在納斯達(dá)克資本市場(chǎng)(Nasdaq Capital Market，簡(jiǎn)稱“納斯達(dá)克”)上市。
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