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單片式整合氮化鎵芯片即將推出，imec為提升功率電路性能拼了
3月22日消息，比利時微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺上，整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成，此次研發(fā)成功整合多個GaN元件，將能協(xié)助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發(fā)展。同時提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負載點(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動能，進一步縮小元件尺寸與提高運作效率。
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Transphorm氮化鎵芯片廠商普通股成功轉(zhuǎn)板納斯達克資本市場
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準在納斯達克資本市場(Nasdaq Capital Market，簡稱“納斯達克”)上市。
