氮化鎵 (GaN)

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  • Navitas 在 GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)計(jì)之旅

    Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動(dòng)汽車 (EV) 充電器到兆瓦級(jí)并網(wǎng)產(chǎn)品。

  • 下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關(guān)頻率

    傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個(gè)外部元件(例如驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。

  • .GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術(shù)選擇介紹

    氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng)，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過(guò)較低的 Rdson 降低，而動(dòng)態(tài)損耗可以通過(guò)GaN可能的更小的裸片尺寸來(lái)降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。

  • GaN 半橋集成加速電力電子革命

    功率半導(dǎo)體的第二次革命五年后，基于氮化鎵 (GaN)的移動(dòng)快速充電器主宰了旗艦智能手機(jī)和筆記本電腦型號(hào)，從傳統(tǒng)功率硅芯片中搶占了市場(chǎng)份額。這種下一代“寬帶隙”技術(shù)正在逐步進(jìn)入主流移動(dòng)應(yīng)用程序，同時(shí)從該灘頭市場(chǎng)突圍，進(jìn)入更高功率的消費(fèi)者、太陽(yáng)能、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車。一個(gè)新的電源平臺(tái)——集成的、功能豐富的、高效的 GaNSense?“半橋”——是高功率、高速應(yīng)用的基本組成部分，其中 GaN 不僅提供更小、更快速的充電和降低系統(tǒng)成本的應(yīng)用，而且還可以節(jié)省大約 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

  • Wise-Integration 在亞洲部署其功率 GaN IC

    Wise-integration是一家總部位于法國(guó)的初創(chuàng)公司，專注于設(shè)計(jì)和開發(fā)基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的解決方案，該公司宣布已與 EDOM Technology 建立渠道合作伙伴關(guān)系，以在亞洲部署其 WiseGan GaN 組件組合。

  • 動(dòng)態(tài)測(cè)試證實(shí)了 SiC 開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

    碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅，因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受，但專家們?nèi)栽诓粩鄼z查其真實(shí)性。

  • 用于空間應(yīng)用的 GaN 電源設(shè)計(jì)的問(wèn)答

    與需要定制制造工藝和封裝以使半導(dǎo)體免受輻射影響的硅不同，氮化鎵 (GaN) 器件由于物理特性和結(jié)構(gòu)而在很大程度上能夠抵抗輻射造成的損壞。 這些屬性可以在衛(wèi)星設(shè)計(jì)中加以利用。軌道電子必須承受伽馬射線、中子和重離子的影響。質(zhì)子占 空間輻射的 85% ，而較重的原子核占其余部分。輻射會(huì)惡化，中斷敲除衛(wèi)星電子元件。

  • 用于下一代電力電子的 GaN 出現(xiàn)

    荷蘭芯片制造商N(yùn)experia贊助的最近行業(yè)活動(dòng)的參與者表示，汽車、消費(fèi)和航空應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用正在利用氮化鎵 (GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。 例如，Kubos Semiconductor 正在開發(fā)一種稱為立方 GaN 的新材料?！八橇⒎降?，我們不僅可以在 150 毫米及以上的大型晶圓上生產(chǎn)它，而且還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸，并可以無(wú)縫插入現(xiàn)有的生產(chǎn)線，”Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline 說(shuō)奧布萊恩。

  • 了解 GaN 的電磁兼容性EMI

    氮化鎵 (GaN) 晶體管開關(guān)速度快！在工作臺(tái)上，我測(cè)量了每納秒 40V 的開關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt！這比我使用的典型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器高約 30 倍，雖然這有助于降低開關(guān)損耗，但它確實(shí)使?jié)M足電磁兼容性 (EMC) 的挑戰(zhàn)更加困難。為什么？因?yàn)殡妷汉碗娏鞯淖兓蕰?huì)激活寄生電路元件，從而產(chǎn)生輻射和傳導(dǎo)噪聲的噪聲源。