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[導(dǎo)讀]氮化鎵 (GaN) 晶體管開關(guān)速度快!在工作臺(tái)上,我測(cè)量了每納秒 40V 的開關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt!這比我使用的典型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器高約 30 倍,雖然這有助于降低開關(guān)損耗,但它確實(shí)使?jié)M足電磁兼容性 (EMC) 的挑戰(zhàn)更加困難。為什么?因?yàn)殡妷汉碗娏鞯淖兓蕰?huì)激活寄生電路元件,從而產(chǎn)生輻射和傳導(dǎo)噪聲的噪聲源。

氮化鎵 (GaN) 晶體管開關(guān)速度快!在工作臺(tái)上,我測(cè)量了每納秒 40V 的開關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt!這比我使用的典型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器高約 30 倍,雖然這有助于降低開關(guān)損耗,但它確實(shí)使?jié)M足電磁兼容性 (EMC) 的挑戰(zhàn)更加困難。為什么?因?yàn)殡妷汉碗娏鞯淖兓蕰?huì)激活寄生電路元件,從而產(chǎn)生輻射和傳導(dǎo)噪聲的噪聲源。

經(jīng)驗(yàn)豐富的電源設(shè)計(jì)人員知道,在最大限度地降低開關(guān)模式電源 (SMPS) 電磁干擾 (EMI) 時(shí),他們必須仔細(xì)考慮組件選擇、組件布局和電路板走線布線。隨著寬帶隙晶體管及其皮秒開關(guān)速度的引入,通過對(duì) EMC 的機(jī)構(gòu)要求(例如來自 FCC 和 CISPR 的要求)的挑戰(zhàn)變得更加困難——變得更加困難。用較慢的 MOSFET 晶體管表現(xiàn)良好的寄生電路元件和 PCB 天線結(jié)構(gòu)在用 GaN 晶體管代替時(shí),其活性可以提高 10 到 100 倍。

好消息是,在前往 EMC 認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室之前,有一些低成本的方法可以幫助在工作臺(tái)上可視化和隔離問題。最終,這些工具將有助于加速 GaN 設(shè)計(jì)的 EMC。在這篇文章中,我將研究一些可以用來解決問題的設(shè)備;稍后,在后續(xù)帖子中,我將對(duì)解決方案進(jìn)行限定。

測(cè)量 EMI 所需的第一臺(tái)設(shè)備是頻譜分析儀 (SA)??梢栽?1,500 美元左右找到可接受的性能。在我的工作臺(tái)上,我使用的是 MDO4104-6 混合域(時(shí)間和頻譜域)示波器,SA 輸入可以達(dá)到 6GHz。我還使用電場(chǎng)和磁場(chǎng)探頭來定位板上的問題區(qū)域——圖 1 顯示了 MDO4104-6 和場(chǎng)探頭。

選擇 H 場(chǎng)和 E 場(chǎng)探頭屏蔽時(shí),分辨率和靈敏度很重要。多年前, 一種“EMI 嗅探器”探頭,能夠在 PCB 跡線級(jí)定位 EMI 問題——空間分辨率約為 1mm。圖 1 還顯示了一個(gè)橫向電磁開路 (TEM) 單元,我使用它來快速確定 SMPS 設(shè)計(jì)的好壞。TEM 是一種多功能、低成本且(在我看來)用于預(yù)合規(guī)輻射發(fā)射測(cè)試的必要設(shè)備。有關(guān)TEM 如何工作以及如何構(gòu)建 TEM 的詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱這篇出色的文章。

TEM 是一個(gè)雙端口條形線設(shè)備,其中中心板(稱為隔膜)夾在兩個(gè)接地平面之間(在這種情況下是開放的,因此并不完美)并設(shè)計(jì)為 50Ω。圖 2 顯示了被測(cè)設(shè)備 (DUT) 和 SA 之間的連接。EMI 的機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)單位為 dBμV(傳導(dǎo)發(fā)射)和 dBμV/米(輻射發(fā)射)。請(qǐng)注意,當(dāng)使用圖 2 所示的設(shè)置測(cè)量輻射發(fā)射時(shí),SA 將以 dBμV 為單位顯示發(fā)射。將此 dBμV 測(cè)量值轉(zhuǎn)換為以 dBμV/米為單位的有效讀數(shù)的過程和數(shù)學(xué)是復(fù)雜的,即使正確完成(在所有三個(gè)排序中),與經(jīng)過認(rèn)證的實(shí)驗(yàn)室的相關(guān)性也只有大約 6dB。出于這個(gè)原因,我更喜歡使用 TEM 進(jìn)行“定性測(cè)量”。

例如,給定 TEM 單元的幾何形狀,如果 SA 顯示的雜散大于 40dBμV,則在經(jīng)過認(rèn)證的 EMC 室中存在輻射發(fā)射失敗的可能性。此外,PCB 板諧振峰值可能特別成問題,并且會(huì)使原本良好的設(shè)計(jì)無法發(fā)射。

 

1:使用LMG5200 1MHz 和 24W 下將 24V 轉(zhuǎn)換為 12V 的TEM 單元測(cè)量設(shè)置

 

 

2:為發(fā)射測(cè)試配置 DUT

3 顯示了 SA 在 500kHz 和 1GHz 之間看到的情況,其中LMG5200 EVM在空載和 24W 下將 24V 轉(zhuǎn)換為 12V。下面的黑色軌跡代表環(huán)境噪聲。上部黑色跡線是LMG5200開關(guān),但沒有負(fù)載,棕色跡線帶有 24W 直流負(fù)載 - 事實(shí)上上部黑色跡線和棕色跡線之間的差異相對(duì)較小,這表明我預(yù)先存在的情況能夠使用我的現(xiàn)場(chǎng)探頭隔離輸入電容。250MHz 諧振的峰值超過 62dBμV - 大約是我去合規(guī)實(shí)驗(yàn)室之前通常接受的值的 100 倍。

 

3:LMG5200 1MHz 運(yùn)行 - 棕色 24W 負(fù)載,上黑色空載,下黑色跡線環(huán)境噪聲

出于比較目的,圖 4 顯示了一個(gè) EMC 優(yōu)化的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,它以兩倍的頻率 (2MHz) 工作,在 2A 時(shí)將 15V 轉(zhuǎn)換為 7.5V。開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間約為 10ns 或比LMG5200慢約 10 倍。峰值為 42dBμV,發(fā)射比上述情況少 100 倍。

 

4:針對(duì)工作頻率為 2MHz 的 EMI 優(yōu)化的 15V 至 7.5V(15W,50% 占空比)DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 與600ps相比,開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間僅為10ns。

由于寬帶隙半導(dǎo)體具有更快的開關(guān)邊沿,寄生阻抗、PCB 和元件阻抗將變得越來越成問題。為了理解和量化這種影響,RF 測(cè)試設(shè)備和技術(shù)知識(shí)將是必要的。像 TEM 單元和場(chǎng)探頭這樣的工具對(duì)于使用這項(xiàng)技術(shù)的任何人來說都是有效且必不可少的,因?yàn)槟梢允褂盟鼈儊響{經(jīng)驗(yàn)隔離 EMI,以進(jìn)行預(yù)合規(guī)性輻射發(fā)射測(cè)試。



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