使用溫度傳感器為 PT100,這是一種穩(wěn)定性和線性都比較好的鉑絲熱電阻傳感器,可以工作在 -200℃ 至 650℃ 的范圍.本電路選擇其工作在 -19℃ 至 500℃ 范圍.整個電路分為兩部分,一是傳感器前置放大電路,一是單片機 A/D
近年來,高亮度LED應(yīng)用發(fā)展神速,特別是在指示牌、交通信號燈方面。而對汽車應(yīng)用來說,LED亦有極大的吸引力,長壽命、抗震、高效、對光源良好的控制能力,都是它的優(yōu)勢。當(dāng)然,相對于白熾燈,LED需要驅(qū)動電路,還有汽
大塚商會將上市韓國Fawoo Technology制造的“Lumidas-CL”系列LED燈泡。2009年12月22日開始通過大塚商會的郵購網(wǎng)站“P-tano”及網(wǎng)絡(luò)商城“樂天市場”的店鋪銷售。預(yù)定售價為2380日元。該公司表示爭取每年銷售10萬個。
針對某恒溫箱控制系統(tǒng)中存在的非線性、時變等特點,結(jié)合傳統(tǒng)PID與現(xiàn)代模糊控制理論,以EP1C12型FP-GA為核心控制器,采用模塊化思想,設(shè)計并實現(xiàn)溫度模糊自適應(yīng)PID控制。實際運行結(jié)果表明,采用該方法可明顯改善控制效果,在簡化設(shè)計的同時,也可提高系統(tǒng)的運算速度和可靠性。
0 引 言 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)是新近興起的研究領(lǐng)域,它是由一個主機(網(wǎng)絡(luò)接入點)和大量的無線傳感器節(jié)點組成的分布式系統(tǒng)。由無線傳感器節(jié)點負(fù)責(zé)對數(shù)據(jù)的感知和處理,并傳送給主機;主機用戶可通過公共網(wǎng)絡(luò)(如Inte
日本Ecorica上市了亮度相當(dāng)于60W白熾燈的LED燈泡“高功率LED燈泡60W級”。分別提供聚光型和漫射光型的白色(色溫度為5000K)和燈泡色(色溫度為2800K)共計4款產(chǎn)品。 1m的垂直照度方面,最亮的白色光聚光型為540lx,
基于FPGA的溫度模糊自適應(yīng)PID控制器的設(shè)計
以高性能單片機C8051F020為核心控制芯片的自動測控系統(tǒng),能自動測溫,到測溫點自動輸出線性電流、自動采集負(fù)載壓力等,并進(jìn)行計算、顯示及打印測試數(shù)據(jù),其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系統(tǒng)方案設(shè)計
以高性能單片機C8051F020為核心控制芯片的自動測控系統(tǒng),能自動測溫,到測溫點自動輸出線性電流、自動采集負(fù)載壓力等,并進(jìn)行計算、顯示及打印測試數(shù)據(jù),其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系統(tǒng)方案設(shè)計
針對高溫表面的要求 在開始介紹新法規(guī)要求之前, 讓我們先了解一下現(xiàn)有的法規(guī):歐洲電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化委員會CENELE所發(fā)布的指導(dǎo)書29法規(guī)涉及到針對可能接觸到的高溫表面要求,該指導(dǎo)書在一年前提出, 其中幾項要求已經(jīng)確
在某些歷史時刻,這個世界可以選擇不同的道路走下去。哥本哈根舉辦的COP15氣候大會是其中的一個決定性的時刻:我們可以選擇走向綠色繁榮和更可持續(xù)發(fā)展未來的道路?;蛘呶覀兛梢赃x擇另一條道路,那就是僵峙并對氣候變
傳統(tǒng)PID控制對于突然溫度變化控制不夠及時,因此加熱效果不好,采用模糊控制能夠很好解決各種工況干擾引起的溫度波動問題,可以實現(xiàn)波動實時調(diào)節(jié)。文章對于軋鋼加熱控制有著很大參考和借鑒意義。
用戶:滑雪場、冰球場 用途:利用數(shù)據(jù)記錄儀8430-21設(shè)定溫濕度,從而有效的控制冷凍機用戶管理對于冰的控制有嚴(yán)格要求的滑雪場和冰球賽場。 若對于溫濕度沒有一個很好的控制和調(diào)整,則將影響冰的狀態(tài),有時會降低比
通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中,上述理論并不成立,因此在實際的應(yīng)用中會產(chǎn)生一些問題,本文將詳細(xì)地論述這些問題,以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。
目前主要有兩種實現(xiàn)電阻型分壓器的方式:通過將兩個分立的片狀電阻連接到公共端,或者通過使用分壓器封裝在內(nèi)部的電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接。你所選擇的類型可能會對分壓器的性能有很大的影響。
通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在
據(jù)國外媒體報道,美國科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(