在對納米器件進行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時通常需要測量非常小的電壓或電流,因為其中需要分別加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里,低電平測量技術(shù)不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電導(dǎo)率材料的電阻測量都非常重要。
在繪制原理圖時,人們對系統(tǒng)接地回路(或 )符號總是有些想當(dāng)然。 符號遍及原理圖的各個角落,而且原理圖假定不同的 在印刷電路板 (PCB) 上都將處在相同的電勢下。事實上,經(jīng)
低電阻測量儀按其測試電流的大小可分為兩類:一類測試電流較大,主要用于接插件、開關(guān)、導(dǎo)體等產(chǎn)品的直流低電阻的測量;另一類測試電流很小(一般為1 mA左右),用于電雷管、點
上電時:C2兩端電壓不能突變,Q2基極電壓由VCC開始下降,下降到Q2可以導(dǎo)通(BE結(jié)壓降取0.7V),這個時間大概是0.12mS。但是同時Q1也在起到阻止Q2導(dǎo)通的作用,Q1導(dǎo)通的時間大概
在復(fù)合材料特性檢測、電路電氣特性檢測、人體心電檢測、核磁共振等方面需要對物體表面電壓進行精確測量。傳統(tǒng)上電壓的檢測都需要與物體直接接觸,通過傳導(dǎo)電流來完成。該種電壓測量方法無法測量空中電壓的變化,即使測量物體表面電壓,這種接觸測量方式也有許多缺點。
全球領(lǐng)先的電路保護產(chǎn)品及解決方案產(chǎn)品組合的供應(yīng)商Littelfuse發(fā)布了一款TVS二極管——P6SMB系列(包括P6SMB440A、P6SMB、P6SMB15A、P6SMB15CA、P6SMB36A、P6SMB400CA),其具有快速響應(yīng)及優(yōu)異的鉗位能力,從0V到BV min僅需小于1ps的反應(yīng)時間 。其不僅可廣泛應(yīng)用于TVS設(shè)備中以保護I/O接口,還能夠應(yīng)用在VCC總線、電信、計算機、工業(yè)以及消費電子電路中。
電感耦合電壓放大器電路
接口是嵌入式設(shè)備中最常見的組成部分,是數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?,它起著?shù)據(jù)傳輸與隔離保護電路的作用,今天我們一起探討接口保護設(shè)計一種常見方案。 氣體放電管是一種陶瓷或玻璃封
電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負電壓。對于不經(jīng)常跟雙向可控硅開關(guān)管打交道的人來說,“負電源”聽起來怪怪的,畢竟集成電路從來不使用負電壓。
快充技術(shù)日新月異,快充市場百家爭鳴的今天,高通QC快充依然主導(dǎo)著市場。如今QC快充已發(fā)展到第四代,每一代都有著革命性的進步。從QC1.0到QC4.0更新?lián)Q代時間之短,不免讓廣大人民群眾抱怨。“啥?老子QC3.0都沒用
想象一下,你正搭載著 Space X 的第一支火箭踏入火星,或者是成為 NASA 火星之旅計劃的第一位宇航員,在 2030 年登上了這座神秘的紅色星球。當(dāng)你降落在火星表面,終于能夠執(zhí)行日常任務(wù),卻在鉆取巖石樣本時,一下子
VCC、 VDD、VEE、VSS版本一:簡單說來,可以這樣理解:一、解釋VCC:C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓;VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓;VSS:S=series 表示公共連接的意思,通常指電
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將汽車級146 CTI和160 CLA系列表面貼裝鋁電容器的電壓范圍分別擴展到100V和80V。Vishay BCcomponents器件
在電源適配器上通常有一系列標(biāo)號的參數(shù),很少有人去關(guān)注這些參數(shù)。本文就將根據(jù)實例,為大家分析電源適配器中一種標(biāo)識數(shù)值超出輸入電壓范圍的情況,真的是廠家標(biāo)錯還是里面
本設(shè)計實例介紹了一種基于OVP/UVP測試、負載余量測試、電壓可編程性或其它任何理由而需要調(diào)節(jié)電源輸出電壓的方法。圖1電源輸出電壓雙向調(diào)節(jié)電路。圖1所示電路可以通過向反
相信各位電源設(shè)計者對于電源適配器并不陌生,但深究起來,各位電源工程師又是否對電源適配器足夠了解呢?實際上在各大論壇中關(guān)于電源適配器的討論幾乎都是最基礎(chǔ)的,本文來自
如下圖所示為一款復(fù)勵直流電機的自動調(diào)整電壓電路。該電路主要是用于40kW、230V的,電壓變化率可達2. 5%.圖中,BQ為并勵繞組,CQ為串勵繞組外接電阻Rw串接在并勵繞組回路。
隨著近年來電子可穿戴產(chǎn)品技術(shù)的進步,與之相關(guān)的充電技術(shù)、智能電源管理、集成密度方面的技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)很大的飛躍。因此可穿戴設(shè)備正在變得越來越小,與此同時功能卻不降反
雙向可控硅將設(shè)在正周期的開始處,用來門控經(jīng)過3μF電容的電流,可控硅晶體管C103是關(guān)閉的。負載電壓為1μF的電容充電,這樣在線性電壓的隨后負半周期中,雙向可控硅將
摘要:之前我們有接到客戶說在用我們E8000電能質(zhì)量分析儀,測量諧波電壓總諧波畸變率是3.4%,問不知道是否屬于正常范圍?”我暫時不回答這個問題先,這里想跟大家淺談一