電容

兩款低電容及漏電流的ESD保護(hù)陣列器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線(xiàn)路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線(xiàn)路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線(xiàn)，以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。 具有 0.6 mm 超

用于靜電容量式觸摸面板亮相(圖)

美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Cambrios Technologies在“FPD International 2008”（2008年10月29～31日，太平洋橫濱會(huì)展中心）上展出了卷狀塑料底板，使用了通過(guò)溶液加工的透明導(dǎo)電膜。將用于靜電容量式觸摸面板。目前靜電容量式觸

2線(xiàn)總線(xiàn)上升時(shí)間加速電路

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

高速積分器(LM101A、LM108)

如圖所示為高速積分電路。該電路中積分時(shí)間常數(shù)RtCt有較大的變化范圍。如果不考慮積分電容Ct，A2是一個(gè)具有正反饋補(bǔ)償?shù)膶拵Ы涣鞣糯笃?。A2的負(fù)反饋回路中加上電容Ct，則構(gòu)成積分器。由于輸入信號(hào)的低頻和直流部分通

實(shí)用微分器

如圖所示為實(shí)用微分電路。該電路為由通用運(yùn)放構(gòu)成。當(dāng)微分器輸入一個(gè)三角波時(shí)，其輸出為方波，而輸入信號(hào)頻率由電路中電阻R1、R2和電容C決定。本電路要求R1的值約為R2的十分之一，即： R1=R2/10 而電容C的值由R2的值

與非門(mén)組成的寬延時(shí)觸發(fā)器

如圖所示是一個(gè)負(fù)脈沖觸發(fā)的寬延時(shí)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，它提供了數(shù)秒的延時(shí)時(shí)間，用于定時(shí)精度要求不高的場(chǎng)合。圖中延時(shí)主要決定于電容C。對(duì)于TTL電路來(lái)說(shuō)，R的阻值一般為5～10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ時(shí)，延時(shí)的實(shí)測(cè)數(shù)

利用電容來(lái)降低截止頻率的電路圖(寬帶應(yīng)變信號(hào)調(diào)理器1B31)

通過(guò)外部電容CSEL1、CSEL2可將低通濾波器的截止頻率設(shè)置在1kHz以下，以滿(mǎn)足窄帶應(yīng)用的需要，電路如圖所示。電容量的計(jì)算公式如下：

放大器市場(chǎng)與應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)與特點(diǎn)

從模擬及混合信號(hào)芯片，尤其是放大器類(lèi)產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，高集成度、兼顧速度與精度、低功耗、較寬的溫度范圍，以及軟件可控等性能，將是未來(lái)各個(gè)模擬器件供應(yīng)商的新產(chǎn)品呈現(xiàn)的新特點(diǎn)。對(duì)于某些中、低端電子產(chǎn)品的成

跨導(dǎo)放大器的設(shè)計(jì)考慮

總括來(lái)說(shuō)，總電容 (CT) 對(duì)于 TIA 的穩(wěn)定性起了很重要的作用，CT 愈小那穩(wěn)定性便愈高，而把 CT 盡量降低有兩個(gè)方法，一是選擇合適的運(yùn)算放大器，二是施加一個(gè)反向偏壓給光二極管，但這會(huì)引致有過(guò)量的電流和噪聲出現(xiàn)。本文證實(shí)從實(shí)驗(yàn)中不同光二極管和補(bǔ)償方法得出來(lái)的測(cè)量結(jié)果與理論非常吻合。

光電耦合器組成的最簡(jiǎn)單的多諧振蕩器電路

如圖所示為光電耦合器組成的最簡(jiǎn)單的多諧振蕩器。接通電源后，由于電容C兩端的電壓不能突變，以及電阻R的數(shù)值大于RL，則此時(shí)電源電壓Ec主要加在R上，F(xiàn)點(diǎn)電位很低，發(fā)光二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，隨著電容的充電電壓的增加

性能優(yōu)越功放電源的電路圖

如圖所示為性能優(yōu)越功放電源的電路。它具有體積小、功率大、效率高的特點(diǎn)。 工作原理：交流電源輸入經(jīng)T1進(jìn)行濾波后分成兩路輸出，一路去降壓變壓器T3，在T3的初級(jí)回路中串人了雙向晶閘管KS，用來(lái)改變變壓器T3的初級(jí)交