多層PCB通常包括一對或多對電壓和接地層。電源層的功能等同于一個低電感的電容器,能夠約束在元件和信道上產(chǎn)生的RF電容。機殼一般會有多個接地點連接到接地層,有助于減小板子的機殼和板間、板中的電壓梯度。電壓梯度
日前傳聞國巨電子中國區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價10%,不過國巨方面馬上辟謠否認,表示MLCC沒有降價空間,未來只可能繼續(xù)漲價。
1、電源 DDR的電源可以分為三類:a、主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。
設(shè)計一個移動電源的一個關(guān)鍵設(shè)計挑戰(zhàn)是通過EMI測試。電子工程師經(jīng)常擔(dān)心EMI測試失敗。若電路EMI測試多次失敗,這將是一場噩夢。您將不得不夜以繼日地在EMI實驗室工作來解決
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個基本條件:
有人說是負載電容,是用來糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說是啟振電容;有人說起諧振作用的。電容與內(nèi)部電路共同組成一定頻率的振蕩,這個電容是硬連接,固定頻率能力很強,其
電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲能元件,它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動控制等電路中。熟悉電
在常用的低壓電源中,用電容器降壓(實際是電容限流)與用變壓器相比,電容降壓的電源體積小、經(jīng)濟、可靠、效率高,缺點是不如變壓器變壓的電源安全。通過電容器把交流電引
去耦和層電容有時工程師會忽略使用去耦的目的,僅僅在上分散大小不同的許多電容,使較低阻抗電源連接到地。但問題依舊:需要多少電容?許多相關(guān)文獻表明,必須使用大小不同的許多電容來降低功率傳輸系統(tǒng)(PDS)的阻抗,
對于電容的安裝,首先要提到的就是安裝距離。容值最小的電容,有最高的諧振頻率,去耦半徑最小,因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距離稍遠,最外層放置容值最大的。但是,所有對該芯片去耦的電容都盡量靠
低頻1/f噪聲(LF噪聲)指的是電壓基準(zhǔn)源在10Hz以下的噪聲,設(shè)計中很難抑制這部分噪聲。通過搭建低通RC濾波器有助于降低LF噪聲,但這需要很大的電容、電阻。電容值較大時,具有
尖峰電流的形成:數(shù)字電路輸出高電平時從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時灌入的電流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。以下圖的TTL與非門為例說明尖峰電流的形成:圖1TTL與非門輸出電壓如右圖(a)所示,理論上電源
電容是開關(guān)電源中的再普通不過的器件,它可以用來降低紋波噪聲,可以用來提高電源的穩(wěn)定性以及瞬態(tài)響應(yīng)性,然而,電容的種類繁多,如何通過技巧快速進行選型,而產(chǎn)品可靠性
如圖是電容串聯(lián)電路,電容串聯(lián)電路的電路形式與電阻串聯(lián)電路一樣。電路中,電容C1和C2串聯(lián)。如果將電容器的容抗用電阻的形式來等效,可以畫成等效電路,R1和R2串聯(lián)電路,電
當(dāng)今,電子系統(tǒng)的時鐘頻率為幾百兆赫,所用脈沖的前后沿在亞納秒范圍。網(wǎng)絡(luò)接口傳輸數(shù)據(jù)速率為100Mbit/s和155與622Mbit/s(ATM-異步傳輸模)。高質(zhì)量視頻電路也用以亞納秒級的
開關(guān)電源的壽命很大程度受到電解電容的制約,而電解電容的壽命取決于其內(nèi)核溫升。本文從紋波電流計算、紋波電流實測、電解電容選型、溫度測試方法、壽命估算等方面,對電解
耦合與退耦什么是電容?什么是去耦電路?指信號由第一級向第二級傳遞的過程,一般不加注明時往往是指交流耦合。是指對電源采取進一步的濾波措施,去除兩級間信號通過電源互相
21IC訊 今年年初,NIPPON CHEMI-CON(貴彌功株式會社公司),也就是大家熟知的黑金剛與在中國市場屹立了25年的中國十大本土分銷商——世強元件電商,簽署了全線代理協(xié)議。Nippon Chemi-Con作為鋁電解電容器
在 DS1302的實際使用中,采用輔助電容法,可以解決 DS1302 在應(yīng)用中由于晶振的負載電容不匹配而引起的停振問題。 概述 DS1302 是 Dallas 公司生產(chǎn)的一種實時時鐘芯片。它通過串行方式與單片機進行數(shù)