2016年8月24~26日,ELEXCON2016深圳國(guó)際電子展暨第五屆深圳國(guó)際嵌入式系統(tǒng)展(簡(jiǎn)稱(chēng)ELEXCON&IEE2016)在深圳會(huì)展中心正式拉開(kāi)序幕,據(jù)悉,這是ELEXCON&IEE2016首次聯(lián)合舉辦,吸引了超過(guò)350家全球優(yōu)秀企業(yè)同臺(tái)亮相,今年
Atmel 的SAM L 系列MCU為Atmel公司的基于ARM Cotex-M0+內(nèi)核的低功耗MCU產(chǎn)品,低功耗模式小于35uA/Hz,具有多的串口,計(jì)數(shù)器,ADC模擬比較器,另外L22系列產(chǎn)品還具有段式液晶控制器。
絕大多數(shù)的MCU愛(ài)好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解,因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。參考很多書(shū)籍,講解的很少,往往提到最多的是起穩(wěn)定作用,負(fù)載電容之
一直有個(gè)疑惑:電容感抗是1/jwC,大電容C大,高頻時(shí) w也大,阻抗應(yīng)該很小,不是更適合濾除高頻信號(hào)?然而事實(shí)卻是:大電容濾除低頻信號(hào)。答案如下:一般的10PF左右的電容用來(lái)濾除高頻的干擾信號(hào),0.1UF左右的用來(lái)濾除低
智能手機(jī)已成為人們?nèi)粘I畹囊徊糠?,其功能已超出了手機(jī)范疇。對(duì)于很多人而言,它還是重要的科學(xué)儀器、數(shù)字醫(yī)生、電子書(shū)閱讀器、音樂(lè)播放器、連接社交媒體以及其它無(wú)數(shù)應(yīng)
EMI電磁檢測(cè)是所有電源設(shè)計(jì)者都無(wú)法規(guī)避的問(wèn)題,每一位設(shè)計(jì)者都需要在設(shè)計(jì)的最終階段考慮EMI。對(duì)于新手來(lái)說(shuō),拿到EMI電路首先進(jìn)行分析是很有必要的。不知大家是否發(fā)現(xiàn),磁珠
為什么經(jīng)驗(yàn)老道的工程師都要在測(cè)試前調(diào)整一下探頭的檔位呢?不同檔位除了輸入阻抗、帶寬、上升時(shí)間等不同之外,還有個(gè)很重要的參數(shù)是輸入電容,它對(duì)于被測(cè)信號(hào)究竟有多大的影響?
相信很多剛剛接觸單片機(jī)的朋友都被前輩們前輩告誡過(guò),對(duì)于單片機(jī)晶振電路電容,不是使用22pf,就是使用30pf。但為什么要這樣使用?其中的道理是什么?卻很少有人了解。本文就
在之前的文章中,小編為大家介紹電路圖中整流電路的特點(diǎn)與結(jié)構(gòu)。大家能夠通過(guò)對(duì)大的電路進(jìn)行拆分來(lái)進(jìn)行快速閱讀電路圖的技巧。在本文中,小編將為大家?guī)?lái)有關(guān)濾波電路的特
智能手機(jī)已成為人們?nèi)粘I畹囊徊糠?,其功能已超出了手機(jī)范疇。對(duì)于很多人而言,它還是重要的科學(xué)儀器、數(shù)字醫(yī)生、電子書(shū)閱讀器、音樂(lè)播放器、連接社交媒體以及其它無(wú)數(shù)應(yīng)
MPK電容就是人們常說(shuō)的抗干擾電容。在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中經(jīng)常有人無(wú)法分清CBB電容與MPK電容的區(qū)別,本文就將從包封、用途、電性差異、效率等多個(gè)方面來(lái)為大家進(jìn)行介紹,幫助大家全
電源模塊以高集成度、高可靠性、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)等多重優(yōu)勢(shì),受到許多工程師的青睞,但即便使用相同的模塊,不同的用法也會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的可靠性大相徑庭。使用不當(dāng),非但不能發(fā)揮模塊的優(yōu)勢(shì),還可能降低系統(tǒng)可靠性。
隨著不間斷電源等特殊電源的興起,IGBT在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域地位變得越來(lái)越重要,在之前的文章中小編為大家介紹有關(guān)IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度的問(wèn)題,在本文中,小
伊頓公司今天宣布推出XLR超級(jí)電容儲(chǔ)能模塊,為在戶(hù)外震動(dòng)和沖擊強(qiáng)烈的惡劣環(huán)境中需要頻繁進(jìn)行大電流充放電的系統(tǒng)提供高可靠性、壽命長(zhǎng)和免維護(hù)的操作。XLR模塊作為取代電池
電容是開(kāi)關(guān)電源中的再普通不過(guò)的器件,它可以用來(lái)降低紋波噪聲,可以用來(lái)提高電源的穩(wěn)定性以及瞬態(tài)響應(yīng)性,然而,電容的種類(lèi)繁多,如何通過(guò)技巧快速進(jìn)行選型,而產(chǎn)品可靠性又高,性能又穩(wěn)定呢?
電解電容會(huì)隨時(shí)間而泄漏。圖1中的電路可以用來(lái)測(cè)試電容,決定它們是否值得使用。通過(guò)CREF/RREF比值可以設(shè)定對(duì)泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測(cè)試,從1nF的陶
文中針對(duì)電容和電感的測(cè)量,簡(jiǎn)單介紹了關(guān)于LC振蕩電路測(cè)量電容和電感的設(shè)計(jì)原理。同時(shí)通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明該方案能進(jìn)行高頻電感和電容的測(cè)量。測(cè)量的精度能達(dá)到應(yīng)有要求。1 測(cè)量原
電感常為儲(chǔ)能元件,也常與電容一起用在輸入濾波和輸出濾波電路上, 用來(lái)平滑電流。電感也被稱(chēng)為扼流圈,特點(diǎn)是流過(guò)其上的電流有“很大的慣性”。換句話(huà)說(shuō),由于
使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
AT89C52是美國(guó)Atmel公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含8KB的可反復(fù)擦寫(xiě)的程序存儲(chǔ)器和256B的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),器件采用Atmel公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng),片