為增進大家對電容的認識,本文將對法拉電容的原理、法拉電容的特點以及法拉電容的應(yīng)用予以介紹。
為增進大家對電容的認識,本文將對旁路電容和去耦電容的區(qū)別予以介紹。
為增進大家對電容的認識,本文將對電容參數(shù)、分布電容以及分布電容的影響予以介紹。
上篇文章本來想寫B(tài)UCK輸出電容的計算的,但是看到好多電子同行理解都比較深刻,理論基礎(chǔ)都非常扎實,我就改變了想法,轉(zhuǎn)而寫了一篇關(guān)于續(xù)流二極管參數(shù)的短文,所以如果對理論計算感興趣的話,還是優(yōu)先閱讀同行的文章吧,如果我覺得時機成熟的話后期還是會寫的,今天主要從工程的角度聊聊輸出電容。
對于 CL1 和 CL2,建議使用 5pF 至 25pF 范圍(典型值)的高質(zhì)量外部陶瓷電容器,專為高頻應(yīng)用而設(shè)計,并根據(jù)晶體或諧振器的要求進行選擇(見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會指定負載電容,即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時,必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容(10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計)。
以IEC61000-4-2標準人體靜電模型(HBM)為例,下圖是靜電發(fā)生器等效模型。Vx是合成電壓,Cx為待測件DUT(Device under test),Rc為充電電阻,Cd為充電電容,Rd為放電電阻。簡單的工作原理就是:充電開關(guān)1閉合,放電開關(guān)2斷開,高壓電源Vd通過Rc對Cd充電;充電開關(guān)1斷開,放電開關(guān)2閉合,Cd儲存電荷對DUT放電。 到此可以發(fā)現(xiàn)電容對抗靜電的原理就是能量的轉(zhuǎn)移,將Cd儲存的能量瞬間轉(zhuǎn)移到放電時的Cd和Cx上面。
為增進大家對電容的認識,本文將對超級電容以及濾波電容予以介紹。
為增進大家對電容的認識,本文將對去耦電容和濾波電容的區(qū)別,以及電容擊穿的相關(guān)事項予以介紹。
通過本文,你將了解到什么是旁路電容、旁路電容和去耦電容的區(qū)別和作用。
為增進大家對電容的認識,本文將對固態(tài)電容和電解電容的區(qū)別以及查看固態(tài)電容正負極的方法予以介紹。
為增進大家對固態(tài)電容的認識,本文將對固態(tài)電容的利與弊予以介紹。
為增進大家對電容的認識,本文將對固態(tài)電容以及固態(tài)電容的優(yōu)點予以介紹。
旁路(bypass)電容:pass是通過的意思,bypass指從靠近的地方,從旁邊通過。大路不走走小路,主路不走走輔路。所以, 旁路電容可以理解成把信號高頻成分旁路掉的電容。
為增進大家對電容的認識,本文將對鉭電解電容器的分類、鉭電解電容器的電場強度、鉭電解電容器的優(yōu)點予以介紹。
為增進大家對電容器的認識,本文將對常用的無極電容以及選擇電容的3要素予以介紹。
為增進大家對電容的認識,本文將對電容以及安規(guī)電容、X電容、Y電容予以介紹。
硬件的學(xué)習之路很長,但是會很有意思。同時記住一句話,在實驗室里面弄硬件的,第一是保證不短路,第二是保證電容不要炸,同時保證別觸電就行,其他別慫。
三極管教程是基于項目一的基礎(chǔ)(用可調(diào)電阻來理解三極管的工作原理),對三極管的放大原理進行了更詳細的說明。告訴大家三極管放大的實質(zhì)是:“小信號對大信號的控能量制過程”,而并非是“小信號變?yōu)榇笮盘柕哪芰哭D(zhuǎn)換過程”。
電感的工作特點其實與電容對的工作特點十分相似,其工作特性主要有兩個:1、電流不能突變;2、對電流“通直阻交”。而電感具有以上的兩個特性的原因是“電感會儲存磁場”。
在講解電感的儲能方式之前,先看看電容是如何儲能的。在項目二的視頻中可以了解到,電容儲存的能量時電壓,而在能量的角度上,我們可以把電壓稱之為“電場”。故,電容是一個儲存電場的物質(zhì)。