太陽能光伏、風(fēng)力發(fā)電、節(jié)能燈具、電動汽車、混合動力汽車、汽車電子、三網(wǎng)合一、宇航設(shè)備等新興行業(yè)的快速發(fā)展,在給電容市場帶來了新的成長空間。電容的品質(zhì)保證,來自對產(chǎn)品設(shè)計、選材、采購、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)的
COMPUTEX 2012展場內(nèi)的最大亮點,是采用Windows 8作業(yè)系統(tǒng)的AIO PC及Ultrabook,而早在公布beta版時即已公開的使用情境,尤其是觸控介面的實際操作,更是值得注意的重點。DIGITIMES Research分析師楊仁杰分析,Windo
我們在調(diào)試傳感器的時候,有時會碰到這種情況:傳感器出廠的時候明明好好的,一到現(xiàn)場就沒有信號輸出,或者產(chǎn)生無序的信號。我們檢查發(fā)現(xiàn)安裝和接線都是沒有問題的,到底這又是什么情況呢?出現(xiàn)這種情況,你可能需要
電源是一臺電腦的核心部件,雖然價值不高,但是所有電腦部件都要依靠開關(guān)電源適配器提供能量,所以一臺電源的穩(wěn)定性就會影響到電腦的穩(wěn)定工作。這也就是為什么很多品牌機的
與點到點連接應(yīng)用相比,在多支路總線的應(yīng)用中,連接器系統(tǒng)的負(fù)荷要多一些。在點到點應(yīng)用中,被傳送的信號只穿過連接器一次。在這種情況下,連接器的串聯(lián)電感決定了其傳輸性能。多支路情況下就有很大不同,在如圖9.9所
根據(jù)日本市調(diào)機構(gòu)富士經(jīng)濟( Fuji Keizai)最新公布的調(diào)查報告指出,2011年全球觸控面板 (靜電容量式+ 電阻式)市場規(guī)模年增59.6%至3,683億日圓。其中,靜電容量式產(chǎn)品受惠于智慧型手機、平板電腦急速普及,故大幅成長至
手機、數(shù)碼相機、MP3播放器和個人數(shù)字助理(PDA)等手持產(chǎn)品設(shè)計人員不斷面對在更小的外形內(nèi)提供更多功能的挑戰(zhàn)。集成電路(IC)設(shè)計人員通過提高器件的速度和性能同時減小硅器件的尺寸推動了這種趨勢,使空間受限的便攜電
1.充電電阻中小功率通用變頻器一般為電壓型變頻器,采用交—直—交工作方式。當(dāng)變頻器剛上電時,由于直流側(cè)的濾波電容容量非常大,在剛充電的瞬間對電流相當(dāng)于短路,電流會很大。如果在整流橋與電解電容之
電源是一臺電腦的核心部件,雖然價值不高,但是所有電腦部件都要依靠開關(guān)電源適配器提供能量,所以一臺電源的穩(wěn)定性就會影響到電腦的穩(wěn)定工作。這也就是為什么很多品牌機的配置一般,卻一致的選擇了包括ASTECFSP(全
鋰離子電池充電的工作原理就是指其充放電原理。當(dāng)對電池進行充電時,電池的正極上有鋰離子生成,生成的鋰離子經(jīng)過電解液運動到負(fù)極。而作為負(fù)極的碳呈層狀結(jié)構(gòu),它有很多微
如圖用555和定時電阻R1~R3及待測電容Cx可組成指針式電容表,單穩(wěn)態(tài)電路測電容的原理,是利用Cx的容量越大,則單穩(wěn)態(tài)的暫穩(wěn)脈寬越大,即Cx上的電壓充到閾值電平(2/3Vdd)所需的時間就越長。由于td=1.1RCx關(guān)系的存在,
根據(jù)NPD DisplaySearch 新發(fā)表的2011年12月觸控面板市場分析報告,由于手機品牌商的偏好與導(dǎo)入,投射式電容觸控已經(jīng)成為觸控技術(shù)的主流;該研究報告預(yù)測2011全年將有超過5.6億片投射式觸控面板使用在手機應(yīng)用端。 單
MAX1470為完全集成的低功耗、CMOS超外差接收器,用于315MHz頻段的幅移鍵控(ASK)數(shù)據(jù)。需要極少的外部元器件并提供低電流工作模式,非常適合對成本和功耗要求苛刻的汽車與消費類產(chǎn)品。該芯片包括一個315MHz低噪聲放大
單片式玻璃觸控技術(shù)(SOC;Sensor-on-Cover,或OGS;One Glass Solution,或TOL;Touch-on-Lens)應(yīng)用逐漸成長。不僅包括勝華、達鴻、彩晶旗下和鑫等等觸控模塊供應(yīng)商均已于2011年搶先量產(chǎn)出貨,TPK宸鴻也已將TOL觸控
以反激式變換器的實例為大家講解關(guān)于輸出端電容的計算,此實例為RCC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),輸出功率6W,輸出電壓5V,輸出電壓1.2A。在最小輸入電壓下,占空比為0.5,工作頻率100KHz。(為了數(shù)據(jù)簡單取頻率為整數(shù)) 原理分析:
絕大多數(shù)的MCU愛好者對MCU晶體兩邊要接一個22pF附近的電容不理解,因為這個電容有些時候是可以不要的。參考很多書籍,講解的很少,往往提到最多的是起穩(wěn)定作用,負(fù)載電容之類的話,都不是很深入理論的分析。問題是很
我們先來看看MOS關(guān)模型: Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是 耗盡區(qū)電容
1、主存儲器概述(1)主存儲器的兩個重要技術(shù)指標(biāo)◎讀寫速度:常常用存儲周期來度量,存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔。◎存儲容量:通常用構(gòu)成存儲器的字節(jié)數(shù)或字?jǐn)?shù)來計量。(2)主存