在電壓不斷降低的情況下增加輸出電流這個(gè)日益高漲的要求將繼續(xù)對(duì)電源開發(fā)起到推動(dòng)作用。該領(lǐng)域的進(jìn)步大多歸功于功率轉(zhuǎn)換技術(shù)所取得的成果,尤其是電源ic和功率半導(dǎo)體組件方面的改進(jìn)。一般來說,這些組件是通過在盡可
在電壓不斷降低的情況下增加輸出電流這個(gè)日益高漲的要求將繼續(xù)對(duì)電源開發(fā)起到推動(dòng)作用。該領(lǐng)域的進(jìn)步大多歸功于功率轉(zhuǎn)換技術(shù)所取得的成果,尤其是電源ic和功率半導(dǎo)體組件方面的改進(jìn)。一般來說,這些組件是通過在盡可
因?yàn)槔潢帢O熒光燈(CCFL)成本非常低,通常大屏幕液晶顯示器(LCD)使用CCFL作為背光源產(chǎn)生均勻的白光。不過將發(fā)光二極管(LED)用作背光燈正在引起主要制造商們的注意。LED在尺寸、能量效率、光譜純度、機(jī)械強(qiáng)度、可靠性
0 引 言 電流鏡(CM)是模擬集成電路中最基本的單元電路之一。它是一種能將電路中某一支路的參考電流在其他支路得以重現(xiàn)或復(fù)制的電路,能減少電壓變化和溫度變化帶來的誤差,其性能對(duì)整個(gè)電路乃至系統(tǒng)的性能都有重
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而代碼
日置HIOKI于12月底發(fā)售了專門面向工廠、樓宇、發(fā)電站控制系統(tǒng),半導(dǎo)體制造裝置等的養(yǎng)護(hù)作業(yè)所不可缺少的DC信號(hào)源SS7012。■前言(研發(fā)背景) 現(xiàn)在,工廠、樓宇的控制體系,半導(dǎo)體裝置等,都裝載了許多儀器設(shè)備,需要通
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出功率和電流監(jiān)視器 LT2940,該器件用于 4V 至 80V 的系統(tǒng)。在電流和電壓可能由于電源電壓的不確定性、組件參數(shù)的變化、瞬態(tài)狀況或時(shí)變信號(hào)而變化的情況下,LT2940
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出功率和電流監(jiān)視器 LT2940,該器件用于 4V 至 80V 的系統(tǒng)。在電流和電壓可能由于電源電壓的不確定性、組件參數(shù)的變化、瞬態(tài)狀況或時(shí)變信號(hào)而變化的情況下,LT2940
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出功率和電流監(jiān)視器 LT2940,該器件用于 4V 至 80V 的系統(tǒng)。在電流和電壓可能由于電源電壓的不確定性、組件參數(shù)的變化、瞬態(tài)狀況或時(shí)變信號(hào)而變化的情況下,LT2940
奧地利微電子公擴(kuò)展旗下低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)品線,推出“Eco”LDO AS1367,在穩(wěn)壓輸出時(shí)可提供高達(dá)150mA的電流。奧地利微電子消費(fèi)及通信市場(chǎng)總監(jiān)Bruce Ulrich表示:“AS1367 LDO為許多用戶遇到的可變占空比負(fù)載問題提供了
輸電線路電流保護(hù)和電壓保護(hù)分別作為電力系統(tǒng)保護(hù)原理和手段之一,是十分重要的保護(hù)類型。該設(shè)計(jì)分別對(duì)電力線路的過壓、欠壓以及過流進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)與控制。同時(shí)采用相間短路的電流/電壓保護(hù)和接地短路的零序電流/電壓保護(hù)。這里利用計(jì)算機(jī)的高速處理能力性能,達(dá)到了對(duì)輸電線路進(jìn)行復(fù)雜多方式監(jiān)測(cè),復(fù)雜多方式控制與保護(hù)的目的。
11/24/2009,美信半導(dǎo)體Maxim推出DS1842芯片。這是一款76V APD偏壓輸出和電流監(jiān)視用IC,采用3mm X 3mm TDFN封裝,采用美信最新的BiCMOS制造流程生產(chǎn)。該芯片內(nèi)置76V 電流源和針對(duì)APD監(jiān)視用的雙電流鏡像電路,還內(nèi)置了
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET,當(dāng)氧化層厚度<2 nm時(shí),大量載流子以不同機(jī)制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
輸電線路電流保護(hù)和電壓保護(hù)分別作為電力系統(tǒng)保護(hù)原理和手段之一,是十分重要的保護(hù)類型。該設(shè)計(jì)分別對(duì)電力線路的過壓、欠壓以及過流進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)與控制。同時(shí)采用相間短路的電流/電壓保護(hù)和接地短路的零序電流/電壓保護(hù)。這里利用計(jì)算機(jī)的高速處理能力性能,達(dá)到了對(duì)輸電線路進(jìn)行復(fù)雜多方式監(jiān)測(cè),復(fù)雜多方式控制與保護(hù)的目的。
Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級(jí)和電流監(jiān)測(cè)IC DS1842。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝設(shè)計(jì),集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡,用于監(jiān)測(cè)APD電流。該器件還包含一個(gè)FET開關(guān),可與外部DC-DC控制器配
針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下,實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計(jì),使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中,上述理論并不成立,因此在實(shí)際的應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一些問題,本文將詳細(xì)地論述這些問題,以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。