在“IEDM 2010”開幕當天舉行的研討會上,韓國三星尖端技術研究所(SAIT)與美國IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計劃將其應用于高頻RF元件。 SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講,介紹了
石墨薄片──也就是石墨烯(graphene)──由于具備比傳統(tǒng)硅芯片高出百萬倍的導電性能,因此是頗具潛力的芯片上互連層(interconnectionlayers)替代材料。但若要用石墨烯制作半導體,需要開啟讓電子跳躍過的能隙(bandga
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道,美國科研人員制成了一種新型超級電容(DLC),只需不到1毫秒的時間即可完成充電,并在交流電路的測試中獲得了成功。相關論文發(fā)表在近期出版的《科學》雜志上?! 〕夒娙菀卜Q雙電層電
美科學家設計出簡便快速的納米電線制造方法,只需加熱即可將氧化石墨烯轉(zhuǎn)為導電物質(zhì)據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)6月10日報道,美國一聯(lián)合研究小組稱,他們在利用石墨烯制造納米電路領域獲得了突破:設計出了簡便、快速的納米
有一種“石墨烯半導體量子點(graphene quantum dots)”能實現(xiàn)單分子傳感器,也可能催生超小型晶體管或是利用半導體激光器所進行的芯片上通訊;美國萊斯大學(Rice University)日前即發(fā)表了該校進行這種技術研發(fā)的相關
美國IBM開發(fā)出了截止頻率(fT)為100GHz的石墨烯(Graphene)FET。由此未來實現(xiàn)工作頻率達到THz級FET的可能性變得更大。石墨烯是一種碳原子呈6角形網(wǎng)眼狀連接的片狀材料。借助石墨烯可將載流子遷移率提高到1萬cm2/V
美國IBM開發(fā)出了截止頻率(fT)為100GHz的石墨烯(Graphene)FET。由此未來實現(xiàn)工作頻率達到THz級FET的可能性變得更大。石墨烯是一種碳原子呈6角形網(wǎng)眼狀連接的片狀材料。借助石墨烯可將載流子遷移率提高到1萬cm2/V
在摩爾定律引領下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限,芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要替代技術。目前尚處于研發(fā)狀態(tài)中的各種新的芯片生產(chǎn)技術—分子計算、生物計算、量子計算、石墨烯等技術中,誰將最終勝出?1965年,芯片
據(jù)國外媒體報道,周五IBM研究中心公布石墨烯薄片(graphene)研究成果,其晶體管射頻最高可達100GHz。 石墨烯作為一種特殊形態(tài)的石墨,主要由一層蜂窩狀格網(wǎng)結構的碳原子構成,可用于提高傳導速度。 IBM的該篇研究報告
下一代的半導體組件可能是利用碳而非硅材料,美國賓州大學的研究人員聲稱,已成功制造出可生產(chǎn)純碳半導體組件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圓。 賓州大學光電材料中心(EOC)的研究人員指出,他們所開發(fā)的制程能生產(chǎn)
德國研究人員表示,砷化鎵(GaAs)晶圓片上的沉積石墨烯(graphene)的純碳原子,可望催生新一代的高性能半導體組件。位于德國布朗斯威克(Braunschweig)之聯(lián)邦物理技術研究院(Physikalisch-Technische Bundesanstalt,PT
碳-所有有機化合物的基本元素-有望代替硅成為未來半導體的可選材料。據(jù)研究人員介紹,基于元素周期表硅元素正上方元素的各種結構在熱性能、頻率范圍甚至超導電特性方面都要超過硅。 “在所有的碳技術中,金剛石是目前
在談及芯片技術進步時,除了不斷縮小的技術節(jié)點,新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談論較多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等,其它一些較為冷門的材料,如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。
在整個計算機行業(yè)的發(fā)展歷程中,人們總是在不斷追求更高的運算性能,提升處理器的運行頻率無疑是最簡單有效的方法。而我們知道,CPU的工作頻率是由外頻乘以倍頻來得出的。因此,如果能夠增大倍頻的提升空間,就能夠迅
石墨烯有望使CPU主頻1000GHz成為可能
IBM宣布研發(fā)出號稱全世界速度最快的石墨烯(graphene)場效晶體管(FET),可在26GHz頻率下運作。該公司Thomas J. Watson研究中心的研究人員并預測,碳元素更高的電子遷移率,可望使該種材料超越硅的極限,達到100GHz以上
眾所周知,根據(jù)半導體業(yè)著名的摩爾定律,芯片的集成度每18個月至2年提高一倍,即加工線寬縮小一半。人們普遍認為,這一定律還能延續(xù)10年。提出該定律的摩爾本人也曾公開表示,10年之后,摩爾定律將很難繼續(xù)有效,因為