今年以來,我國光伏企業(yè)厄運連連,接連遭到歐盟、美國兩大出口市場反傾銷、反補貼大棒的打擊。昨日,歐盟公布了反傾銷立案的中國應訴企業(yè)名單。記者發(fā)現(xiàn),歐盟公布的接受抽
20nm硅片技術(shù)可支持高密度設計和高功效系統(tǒng)的同時實現(xiàn)。它可以在單片管芯以及多芯片3D硅片器件中集成規(guī)模更大、更復雜的硅片功能。多種系統(tǒng)功能,一種架構(gòu)您經(jīng)過優(yōu)化的數(shù)字系統(tǒng)可以使用下圖所示的一項或者多項硅片技
近日,賽維LDK公布了2012年Q2季報,主要數(shù)據(jù)如下:總營收2.354億美元,上一季度為2億美元,去年同期為4.994億美元,同比下降52.86%;硅片出貨量為316.7MW,電池和組件出貨量為135.6MW;多晶硅總產(chǎn)量538.1公噸;硅片總
近日,賽維LDK公布了2012年Q2季報,主要數(shù)據(jù)如下:總營收2.354億美元,上一季度為2億美元,去年同期為4.994億美元,同比下降52.86%;硅片出貨量為316.7MW,電池和組件出貨量為135.6MW;多晶硅總產(chǎn)量538.1公噸;硅片總
降低太陽能電池成本新法,硅片厚度減少90%以上
在壓力傳感器的微細加工技術(shù)中要求在樣品背面的掩膜上光刻出壓力腔窗口的圖形而且與正面圖形嚴格對準。待別是在設計時必須將力敏電阻安排在膜內(nèi);有時離開膜邊的距離僅為30P”。正反圖形錯開時,力敏電阻條對壓
國內(nèi)最大的新能源企業(yè)之一保利協(xié)鑫今日在港交所公布上半年業(yè)績。今年上半年,保利協(xié)鑫實現(xiàn)收益117.82億港幣,同比下滑22.4%;毛利16.89億,同比下滑71.2%;最終虧損3.3億港幣,而去年同期盈利35.5億。 保利協(xié)鑫上
國內(nèi)最大的新能源企業(yè)之一保利協(xié)鑫今日在港交所公布上半年業(yè)績。今年上半年,保利協(xié)鑫實現(xiàn)收益117.82億港幣,同比下滑22.4%;毛利16.89億,同比下滑71.2%;最終虧損3.3億港幣,而去年同期盈利35.5億。 保利協(xié)鑫上
2012年7月,宜昌南玻硅片廠成功推出一款核心產(chǎn)品----高效多晶HM硅片,具有晶粒粒徑均勻、少子壽命高等優(yōu)點。該硅片制成的太陽能電池平均轉(zhuǎn)換效率達到17.1%-17.5%,目前市場上多晶硅片的平均轉(zhuǎn)換率一般在16.8%-17.0%,
2012年7月,宜昌南玻硅片廠成功推出一款核心產(chǎn)品----高效多晶HM硅片,具有晶粒粒徑均勻、少子壽命高等優(yōu)點。該硅片制成的太陽能電池平均轉(zhuǎn)換效率達到17.1%-17.5%,目前市場上多晶硅片的平均轉(zhuǎn)換率一般在16.8%-17.0%,
MEMS壓力傳感器是基于 MEMS(微機電)技術(shù),建立在微米/納米基礎上,在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋組成的硅應變計,這樣制造的壓力傳感器具有輸出靈敏度高,性能穩(wěn)定,批量可靠性、重復性好等優(yōu)點。下面從傳感器的
SEMI協(xié)會下屬全球硅制造商組織(SMG)分析顯示,2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度與去年同期都有所增長。2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了24.47億平方英寸,較第一季度的20.33億平方英寸增長了2
SEMI協(xié)會下屬全球硅制造商組織(SMG)分析顯示,2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度與去年同期都有所增長。2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了24.47億平方英寸,較第一季度的20.33億平方英寸增長了2
2012年8月13日,加利福尼亞州圣何塞---據(jù)SEMI協(xié)會屬下的全球硅制造商組織(SMG)關(guān)于硅晶片產(chǎn)業(yè)的季度分析顯示,2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度有所增長。 2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了
2012年8月13日,加利福尼亞州圣何塞---據(jù)SEMI協(xié)會屬下的全球硅制造商組織(SMG)關(guān)于硅晶片產(chǎn)業(yè)的季度分析顯示,2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度有所增長。2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了24.
2012年8月13日,加利福尼亞州圣何塞---據(jù)SEMI協(xié)會屬下的全球硅制造商組織(SMG)關(guān)于硅晶片產(chǎn)業(yè)的季度分析顯示,2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度有所增長。2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了24.
在壓力傳感器的微細加工技術(shù)中要求在樣品背面的掩膜上光刻出壓力腔窗口的圖形而且與正面圖形嚴格對準。待別是在設計時必須將力敏電阻安排在膜內(nèi);有時離開膜邊的距離僅為30P”。正反圖形錯開時,力敏電阻條對壓
據(jù)日本媒體報道,DISCO于8月7日發(fā)布消息稱,將在主力的桑畑工廠(廣島縣吳市)建設新廠房,力爭將半導體制造及研磨裝置的產(chǎn)能提高一倍。投資額約為110億日元(約合1.4009億美元),預計于2014年10月竣工。DISCO此次提高產(chǎn)
中國電子科技集團第四十五研究所開發(fā)的“太陽能級單晶硅材料多線切割機”近日通過了河北省科技廳組織的專家驗收。專家組一致認為:四十五所開發(fā)的具有完整自主知識產(chǎn)權(quán)的“太陽能級單晶硅材料多線
中國電子科技集團第四十五研究所開發(fā)的“太陽能級單晶硅材料多線切割機”近日通過了河北省科技廳組織的專家驗收。專家組一致認為:四十五所開發(fā)的具有完整自主知識產(chǎn)權(quán)的“太陽能級單晶硅材料多線