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硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底，芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣？
芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片
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硅襯底LED未來(lái)有望引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展
LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為L(zhǎng)ED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、Si
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南昌有LED完整產(chǎn)業(yè)鏈 核心技術(shù)全球“領(lǐng)跑”
說起“光谷”，大家不一定會(huì)跟南昌聯(lián)系到一起?？烧f起LED，卻一定會(huì)想到南昌街頭無(wú)處不見的LED路燈。事實(shí)上，南昌也有自己的“光谷”了，短短兩年多時(shí)間里，包括LED產(chǎn)業(yè)、移動(dòng)通訊終端產(chǎn)業(yè)及其他光電領(lǐng)域，已經(jīng)在這片紅土地落地生根，在此背景下南昌正在打造“一谷多園”的產(chǎn)業(yè)布局。南昌光谷帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)集群，正從初期的政策集群，向著產(chǎn)業(yè)生態(tài)集群“質(zhì)變”。
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硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器是個(gè)啥？
在硅襯底上成功生長(zhǎng)了厚度達(dá)到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)密度小于6×108 cm-2，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長(zhǎng)為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。
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硅襯底LED技術(shù)能否顛覆行業(yè)格局?
也許未來(lái)有一天，你會(huì)發(fā)現(xiàn)硅襯底LED的性能真的比藍(lán)寶石襯底要好，但是現(xiàn)在你一定不這么認(rèn)為。什么原因可能妨礙了你對(duì)硅襯底LED的認(rèn)知?歷經(jīng)2015年的艱難奮進(jìn)，來(lái)到2016年，LED產(chǎn)業(yè)的走向喜或憂，業(yè)界各有猜想。在這樣
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