-
硅襯底完敗藍寶石襯底，芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣？
芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片
-
硅襯底LED未來有望引領(lǐng)市場發(fā)展
LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、Si
-
南昌有LED完整產(chǎn)業(yè)鏈 核心技術(shù)全球“領(lǐng)跑”
說起“光谷”，大家不一定會跟南昌聯(lián)系到一起?？烧f起LED，卻一定會想到南昌街頭無處不見的LED路燈。事實上，南昌也有自己的“光谷”了，短短兩年多時間里，包括LED產(chǎn)業(yè)、移動通訊終端產(chǎn)業(yè)及其他光電領(lǐng)域，已經(jīng)在這片紅土地落地生根，在此背景下南昌正在打造“一谷多園”的產(chǎn)業(yè)布局。南昌光谷帶來的產(chǎn)業(yè)集群，正從初期的政策集群，向著產(chǎn)業(yè)生態(tài)集群“質(zhì)變”。
-
硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器是個啥？
在硅襯底上成功生長了厚度達到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu)，位錯密度小于6×108 cm-2，成功實現(xiàn)了世界上首個室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。
-
硅襯底LED技術(shù)能否顛覆行業(yè)格局?
也許未來有一天，你會發(fā)現(xiàn)硅襯底LED的性能真的比藍寶石襯底要好，但是現(xiàn)在你一定不這么認為。什么原因可能妨礙了你對硅襯底LED的認知?歷經(jīng)2015年的艱難奮進，來到2016年，LED產(chǎn)業(yè)的走向喜或憂，業(yè)界各有猜想。在這樣
