緩啟動(dòng)

我要報(bào)錯(cuò)

  • MOSFET開關(guān)損耗分析

    摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。