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Vishay推出新的PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現(xiàn)可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值范圍擴(kuò)大至250Ω～3MΩ，并可提供非標(biāo)阻值。PLTT電阻的工作溫度范圍為-55℃～
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王子制紙展出替代ITO薄膜的透明導(dǎo)電薄膜
王子制紙展出了采用導(dǎo)電性高分子材料的“有機(jī)透明導(dǎo)電性（OTC）薄膜”。與原產(chǎn)品相比，提高了透明性，“其特性與ITO薄膜相當(dāng)”（王子制紙）。 有機(jī)透明導(dǎo)電性（OTC）薄膜是以導(dǎo)電性樹脂PEDOT:PSS為基礎(chǔ)的薄膜。P
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導(dǎo)電聚合物薄膜電阻率測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
摘要：介紹一種實(shí)用的導(dǎo)電聚合物薄膜電阻率測(cè)量系統(tǒng)。電阻率的測(cè)量原理基于四探針法與比率測(cè)量法，以低值恒壓激勵(lì)代替恒流激勵(lì)，使2種方法結(jié)合在一起；然后以ARM7微控制器為系統(tǒng)核心，構(gòu)建了量程自適應(yīng)的半自動(dòng)式系統(tǒng)
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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上公開了試制品。此次
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薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案
厚膜和薄膜技術(shù)的最近發(fā)展可以在給定的芯片尺寸上實(shí)現(xiàn)更高的額定功率。眾所周知，與厚膜電阻元件相比，薄膜電阻元件具有眾多性能優(yōu)勢(shì)，而厚膜電阻器唯一的明顯優(yōu)勢(shì)就是成本。
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方形表面貼裝薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款方形精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò) --- QFN系列器件。器件采用20腳的5mm x 5mm方形扁平無(wú)引腳封裝，端子間距和厚度分別為0.65mm和1mm。與傳統(tǒng)的20引腳SOIC封裝相比
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新款PNM系列精密無(wú)磁薄膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款PNM系列精密無(wú)磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的
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PLT系列TCR薄膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的薄膜 --- 在+70℃下經(jīng)過1萬(wàn)小時(shí)
