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電容式MEMS麥克風讀出電路設計
1 引言與傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風相比，電容式MEMS麥克風具有以下優(yōu)勢:1)性能穩(wěn)定，溫度系數(shù)低，受濕度和機械振動的影響小;2)成本低廉;3)體積小巧，電容式MEMS麥克風的背極板和振膜僅有最小的駐極體電容式麥克風的1
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解析新型量子光電探測器的讀出與顯示
1.引言目前工業(yè)、醫(yī)療、天文和軍事對近紅外探測和成像有大量需求，本文介紹了一種響應近紅外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光電探測器。首先測試和討論了探測器的I-V特性，探測器偏壓為-1.5V時響應率大于10A/W，響應率
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5MHz相位編碼的數(shù)據(jù)讀出電路
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字符發(fā)生器的讀出電路
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IC卡讀出電路
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字符發(fā)生器的讀出電路
字符發(fā)生器的讀出電路
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IC卡讀出電路
IC卡讀出電路
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反射型光斷續(xù)器檢測標記讀出電路
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精密電源電流讀出電路
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Vernier陽極探測器及其電子讀出電路的設計
介紹基于一維游標陽極的紫外單光子計數(shù)成像探測系統(tǒng)及其信號預處理電路的原理，重點設計和制作了一維游標陽極探測器的前端電子讀出電路，用以探測脈寬100～200 ms，電荷量為1～20 pc的脈沖。通過使用自己實驗室搭建的單光子計數(shù)成像系統(tǒng)對電子讀出電路進行了測試。測試結果表明，電子讀出電路能夠滿足探測系統(tǒng)的成像要求，并在實驗中利用電路對掩膜板成像，成功獲得了灰度圖像。
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2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設計
對In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎，結合器件特性設計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關雙采樣(CDS)電路單元構成，并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設計。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲能力為5×107個，功耗小，噪聲低，設計達到預期要求。
